details van de producten

Huis Producten

Infineon-chip

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra Lage Aan-Weerstand Oppervlaktemontage

Alle Categorieën

Hoogvermogen led-chip

Contacteer ons

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Contact nu

Alle Categorieën

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra Lage Aan-Weerstand Oppervlaktemontage

Merknaam:	Infineon Chip
Modelnummer:	IRF7404TRPBF
MOQ:	2500
Verpakkingsdetails:	2500 STKS/spoel
Betalingsvoorwaarden:	T/T

Gedetailleerde informatie

Productbeschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

China

Document:

model:

IRF7404TRPBF

Productnaam:

Infineon-chip

Type:

SMD/SMT

Ononderbroken Afvoerkanaalstroom:

6.7 A

Bedrijfstemperatuur:

- 55 °C ~ + 150 °C

Vermogensdissipatie:

2.5 W

Levering vermogen:

100000

Markeren:

IRF7404TRPBF

IRF7404 Infineon HEXFET MOSFET

Oppervlaktemontage HEXFET MOSFET

Productbeschrijving

Infineon Chip IRF7404TRPBF HEXFET® Power MOSFET Ultra Lage On-Weerstand Oppervlaktemontage

HEXFET® Power MOSFET Ultra Lage On-Weerstand Oppervlaktemontage

Generatie V Technologie

Ultra Lage On-Weerstand
P-Kanaals Mosfet
Oppervlaktemontage
Verkrijgbaar op Tape & Reel
Dynamische dv/dt Beoordeling
Snelle Schakeling
Loodvrij

Beschrijving

Vijfde Generatie HEXFETs van International Rectifier maken gebruik van geavanceerde verwerkingstechnieken om de laagst mogelijke on-weerstand per siliciumoppervlak te bereiken. Dit voordeel, gecombineerd met de snelle schakelsnelheid en het robuuste apparaatontwerp waar HEXFET Power MOSFETs bekend om staan, biedt de ontwerper een extreem efficiënt apparaat voor gebruik in een breed scala aan toepassingen.

De SO-8 is aangepast via een op maat gemaakt leadframe voor verbeterde thermische kenmerken en meerdere die-mogelijkheden, waardoor het ideaal is in een verscheidenheid aan stroomtoepassingen. Met deze verbeteringen kunnen meerdere apparaten in een toepassing worden gebruikt met drastisch verminderde bordruimte. Het pakket is ontworpen voor dampfase-, infrarood- of golfsoldeertechnieken. Een vermogensdissipatie van meer dan 0,8 W is mogelijk in een typische PCB-montagetoepassing.

Absolute Maximale Beoordelingen

Thermische Weerstand Beoordelingen

Elektrische Kenmerken @ Tj = 25°C (tenzij anders gespecificeerd)

Labels:

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

details van de producten

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra Lage Aan-Weerstand Oppervlaktemontage

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips