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IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra Low On-Resistance Oberflächenmontage

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IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra Low On-Resistance Oberflächenmontage

Markenname:	Infineon Chip
Modellnummer:	IRF7404TRPBF
Mindestbestellmenge:	2500
Verpackungsdetails:	2500 Stück/Rolle
Zahlungsbedingungen:	T/T

Detailinformationen

Produktbeschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

China

Dokumentieren:

Modell:

IRF7404TRPBF

Produktname:

Infineon-Chip

SMD/SMT

Ununterbrochener Abfluss-Strom:

6.7 A

Betriebstemperatur:

- 55 °C ~ + 150 °C

Verlustleistung:

2,5 W

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

100000

Hervorheben:

IRF7404TRPBF

IRF7404 Infineon HEXFET MOSFET

Oberflächenmontage HEXFET MOSFET

Produktbeschreibung

Infineon Chip IRF7404TRPBF HEXFET® Power MOSFET Ultra-Niedrigwiderstandsoberflächenhalter

HEXFET® Power MOSFET Ultra-Low-On-Resistance Oberflächenhalter

Technologie der 5. Generation

Ultra-niedriges Widerstandsniveau
P-Kanal Mosfet
Oberflächenbefestigung
Erhältlich auf Band und Rollen
Dynamische DV/dt-Klassifizierung
Schnell wechseln
Bleifrei

Beschreibung

Die fünfte Generation von HEXFETs von International Rectifier nutzt fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um den geringstmöglichen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen.kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Power MOSFETs bekannt sind, stellt dem Konstrukteur ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen zur Verfügung.

Der SO-8 wurde durch einen maßgeschneiderten Leiterrahmen für verbesserte thermische Eigenschaften und mehrfache Verformungsfähigkeit modifiziert, was ihn ideal für eine Vielzahl von Anwendungen macht.mehrere Geräte können in einer Anwendung mit drastisch reduziertem Plattenraum verwendet werdenDas Paket ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlösungstechniken ausgelegt.

Absolute Höchstratings

Wärmewiderstandswerte

Elektrische Eigenschaften @ Tj = 25°C (sofern nicht angegeben)

Schlagworte:

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