Name: MOSFET HEXFET Infineon IRF7404TRPBF Ultra Baixa Resistência On-Resistance Montagem em Superfície
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: IRF7404TRPBF
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Infineon Chip
Número do modelo:	IRF7404TRPBF
Quantidade mínima:	2500
Detalhes da embalagem:	2500 unidades/carretel
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Documento:

Infineon_IRF7404_DataSheet_...EN.pdf

modelo:

IRF7404TRPBF

Nome do produto:

Chip Infineon

Tipo:

SMD/SMT

Corrente contínua do dreno:

6.7 A

Temperatura operacional:

- 55 °C ~ + 150 °C

Dissipação de energia:

2,5 W

Habilidade da fonte:

100.000

Destacar:

IRF7404TRPBF

MOSFET HEXFET Infineon IRF7404

MOSFET HEXFET de Montagem em Superfície

Descrição do produto

Chip HEXFET® MOSFET de Potência IRF7404TRPBF com Resistência Ultra Baixa Ligado Montagem em Superfície

MOSFET de Potência HEXFET® com Resistência Ultra Baixa Ligado Montagem em Superfície

Tecnologia Geração V

Resistência Ultra Baixa Ligado
MOSFET de Canal P
Montagem em Superfície
Disponível em Fita e Carretel
Classificação Dinâmica dv/dt
Comutação Rápida
Livre de Chumbo

Descrição

Os HEXFETs de Quinta Geração da International Rectifier utilizam técnicas de processamento avançadas para alcançar a menor resistência ligada possível por área de silício. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o design robusto do dispositivo pelos quais os MOSFETs de Potência HEXFET são bem conhecidos, fornece ao projetista um dispositivo extremamente eficiente para uso em uma ampla variedade de aplicações.

O SO-8 foi modificado através de um leadframe customizado para características térmicas aprimoradas e capacidade de múltiplos dies, tornando-o ideal em uma variedade de aplicações de potência. Com essas melhorias, múltiplos dispositivos podem ser usados em uma aplicação com espaço de placa dramaticamente reduzido. O encapsulamento é projetado para técnicas de soldagem por fase de vapor, infravermelho ou onda. Dissipação de potência superior a 0,8W é possível em uma aplicação típica de montagem em PCB.

Classificações Máximas Absolutas

Classificações de Resistência Térmica

Características Elétricas @ Tj = 25°C (a menos que especificado)

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

Chips de mícron

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLEDs

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chips ONsemi

Chips ADI

Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

Chips de mícron

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLEDs

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chips ONsemi

Chips ADI

Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

detalhes dos produtos

MOSFET HEXFET Infineon IRF7404TRPBF Ultra Baixa Resistência On-Resistance Montagem em Superfície

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

Chips de mícron

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLEDs

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chips ONsemi

Chips ADI

Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

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Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

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Chipe LED Bridgelux

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