Infineon 칩 IRF7404TRPBF HEXFET® 전력 MOSFET 초저 온-저항 표면 실장
HEXFET® 전력 MOSFET 초저 온-저항 표면 실장
5세대 기술
초저 온-저항 P채널 모스펫 표면 실장 테이프 및 릴로 제공 동적 dv/dt 정격 고속 스위칭 무연
설명
International Rectifier의 5세대 HEXFET은 고급 공정 기술을 활용하여 실리콘 면적당 가장 낮은 온-저항을 달성합니다. 이 장점은 HEXFET 전력 MOSFET으로 잘 알려진 고속 스위칭 속도 및 견고한 장치 설계와 결합되어 다양한 애플리케이션에 사용할 수 있는 매우 효율적인 장치를 설계자에게 제공합니다.
SO-8은 향상된 열 특성 및 다중 다이 기능을 위한 맞춤형 리드프레임을 통해 수정되어 다양한 전력 애플리케이션에 이상적입니다. 이러한 개선을 통해 여러 장치를 애플리케이션에 사용하여 보드 공간을 크게 줄일 수 있습니다. 이 패키지는 증기상, 적외선 또는 웨이브 솔더링 기술을 위해 설계되었습니다. 일반적인 PCB 실장 애플리케이션에서 0.8W 이상의 전력 소산이 가능합니다.