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제품 세부 정보

Created with Pixso. 집 Created with Pixso. 제품 Created with Pixso.
인피니언 칩
Created with Pixso.

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET 초저온 저항 표면 실장

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET 초저온 저항 표면 실장

브랜드 이름: Infineon Chip
모델 번호: IRF7404TRPBF
MOQ: 2500
포장 세부사항: 2500PCS/릴
지불 조건: 티/티
상세 정보
원래 장소:
중국
모델:
IRF7404TRPBF
제품명:
인피니언 칩
유형:
SMD/SMT
연속배수 경향:
6.7A
작동 온도:
- 55°C ~ + 150°C
전력 소비:
2.5 W
공급 능력:
100000
강조하다:

IRF7404TRPBF

,

IRF7404 Infineon HEXFET MOSFET

,

표면 실장 HEXFET MOSFET

제품 설명

Infineon 칩 IRF7404TRPBF HEXFET® 전력 MOSFET 초저 온-저항 표면 실장


HEXFET® 전력 MOSFET 초저 온-저항 표면 실장


5세대 기술

초저 온-저항
P채널 모스펫
표면 실장
테이프 및 릴로 제공
동적 dv/dt 정격
고속 스위칭
무연


설명
International Rectifier의 5세대 HEXFET은 고급 공정 기술을 활용하여 실리콘 면적당 가장 낮은 온-저항을 달성합니다. 이 장점은 HEXFET 전력 MOSFET으로 잘 알려진 고속 스위칭 속도 및 견고한 장치 설계와 결합되어 다양한 애플리케이션에 사용할 수 있는 매우 효율적인 장치를 설계자에게 제공합니다.
SO-8은 향상된 열 특성 및 다중 다이 기능을 위한 맞춤형 리드프레임을 통해 수정되어 다양한 전력 애플리케이션에 이상적입니다. 이러한 개선을 통해 여러 장치를 애플리케이션에 사용하여 보드 공간을 크게 줄일 수 있습니다. 이 패키지는 증기상, 적외선 또는 웨이브 솔더링 기술을 위해 설계되었습니다. 일반적인 PCB 실장 애플리케이션에서 0.8W 이상의 전력 소산이 가능합니다.

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET 초저온 저항 표면 실장

절대 최대 정격
IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET 초저온 저항 표면 실장
열 저항 정격
IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET 초저온 저항 표면 실장

전기적 특성 @ Tj = 25°C (명시되지 않은 경우)
IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET 초저온 저항 표면 실장