Name: IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET 超低オン抵抗表面実装
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: IRF7404TRPBF
Price: 交渉可能 USD
Availability: InStock

ブランド名:	Infineon Chip
モデル番号:	IRF7404TRPBF
MOQ:	2500
梱包の詳細:	2500個/リール
支払い条件:	T/T

詳細情報

製品説明

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起源の場所:

中国

書類:

Infineon_IRF7404_DataSheet_...EN.pdf

モデル:

IRF7404TRPBF

製品名:

インフィニオンチップ

タイプ:

SMD/SMT

連続的な下水管の流れ:

6.7A

動作温度:

-55℃～+150℃

消費電力:

2.5 W

供給の能力:

100000

ハイライト:

IRF7404TRPBF

IRF7404 Infineon HEXFET MOSFET

表面実装 HEXFET MOSFET

製品説明

Infineon Chip IRF7404TRPBF HEXFET® パワーMOSFET 超低オン抵抗表面実装

HEXFET® パワーMOSFET 超低オン抵抗表面実装

第5世代テクノロジー

超低オン抵抗
PチャネルMOSFET
表面実装
テープ＆リールで入手可能
動的dv/dt定格
高速スイッチング
鉛フリー

説明

International Rectifier社の第5世代HEXFETは、高度なプロセス技術を利用して、シリコン面積あたりのオン抵抗を可能な限り低くしています。この利点と、HEXFETパワーMOSFETでよく知られている高速スイッチング速度と堅牢なデバイス設計を組み合わせることで、設計者は幅広い用途に非常に効率的なデバイスを使用できます。

SO-8は、熱特性の向上とマルチダイ機能のためにカスタムリードフレームで改良されており、さまざまな電源アプリケーションに最適です。これらの改善により、複数のデバイスをアプリケーションで使用でき、基板スペースを劇的に削減できます。このパッケージは、ベーパーフェーズ、赤外線、またはウェーブはんだ付け技術用に設計されています。典型的なPCB実装アプリケーションでは、0.8Wを超える電力散逸が可能です。

絶対最大定格

熱抵抗定格

電気的特性 @ Tj = 25℃ (指定がない場合)

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