λεπτομέρειες προϊόντων

Σπίτι Προϊόντα

Infineon Chip

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Εξαιρετικά Χαμηλή Αντίσταση On Επιφανειακή Στήριξη

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

Μας ελάτε σε επαφή με

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Επαφή τώρα

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Εξαιρετικά Χαμηλή Αντίσταση On Επιφανειακή Στήριξη

Επωνυμία:	Infineon Chip
Αριθμός μοντέλου:	IRF7404TRPBF
MOQ:	2500
Λεπτομέρειες συσκευασίας:	2500 ΤΕΜ/κύλινδρο
Όροι πληρωμής:	T/T

Λεπτομέρειες

Περιγραφή προϊόντος

Λεπτομέρειες

Τόπος καταγωγής:

Έγγραφο:

μοντέλο:

IRF7404TRPBF

Όνομα προϊόντος:

Infineon Chip

Τύπος:

SMD/SMT

Συνεχές ρεύμα αγωγών:

6.7 Α

Θερμοκρασία λειτουργίας:

- 55 °C ~ + 150 °C

Διαρροή Ισχύος:

2.5 W

Δυνατότητα προσφοράς:

100000

Επισημαίνω:

IRF7404TRPBF

IRF7404 Infineon HEXFET MOSFET

Επιφανειακή Στήριξη HEXFET MOSFET

Περιγραφή προϊόντος

Infineon Chip IRF7404TRPBF HEXFET® Power MOSFET Εξαιρετικά Χαμηλή Αντίσταση On Επιφανειακή Στήριξη

HEXFET® Power MOSFET Εξαιρετικά Χαμηλή Αντίσταση On Επιφανειακή Στήριξη

Τεχνολογία Γενιάς V

Εξαιρετικά Χαμηλή Αντίσταση On
P-Channel Mosfet
Επιφανειακή Στήριξη
Διαθέσιμο σε Ταινία & Τροχό
Δυναμική Βαθμολογία dv/dt
Γρήγορη Μεταγωγή
Χωρίς Μόλυβδο

Περιγραφή

Οι HEXFETs Πέμπτης Γενιάς από την International Rectifier χρησιμοποιούν προηγμένες τεχνικές επεξεργασίας για να επιτύχουν την χαμηλότερη δυνατή αντίσταση on ανά περιοχή πυριτίου. Αυτό το όφελος, σε συνδυασμό με την γρήγορη ταχύτητα μεταγωγής και τον στιβαρό σχεδιασμό της συσκευής για τον οποίο είναι ευρέως γνωστοί οι HEXFET Power MOSFETs, παρέχει στον σχεδιαστή μια εξαιρετικά αποδοτική συσκευή για χρήση σε μια ευρεία ποικιλία εφαρμογών.

Το SO-8 έχει τροποποιηθεί μέσω ενός προσαρμοσμένου leadframe για βελτιωμένα θερμικά χαρακτηριστικά και δυνατότητα πολλαπλών die καθιστώντας το ιδανικό σε μια ποικιλία εφαρμογών ισχύος. Με αυτές τις βελτιώσεις, πολλαπλές συσκευές μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε μια εφαρμογή με δραματικά μειωμένο χώρο στην πλακέτα. Η συσκευασία έχει σχεδιαστεί για τεχνικές συγκόλλησης με ατμούς, υπέρυθρες ή κυματοειδείς. Η διάχυση ισχύος μεγαλύτερη από 0,8W είναι δυνατή σε μια τυπική εφαρμογή στήριξης PCB.

Απόλυτες Μέγιστες Βαθμολογίες

Θερμική Αντίσταση Βαθμολογίες

Ηλεκτρικά Χαρακτηριστικά @ Tj = 25°C (εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)

Ετικέτες:

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

λεπτομέρειες προϊόντων

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Εξαιρετικά Χαμηλή Αντίσταση On Επιφανειακή Στήριξη

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI