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Chip Infineon
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IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra Baja Resistencia Encendido Montaje en Superficie

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IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra Baja Resistencia Encendido Montaje en Superficie
  • Nombre

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra Baja Resistencia Encendido Montaje en Superficie

Nombre De La Marca: Infineon Chip
Número De Modelo: IRF7404TRPBF
Cantidad Mínima De Pedido: 2500
Detalles De Embalaje: 2500PCS/carrete
Condiciones De Pago: T/T
Información detallada
Descripción del Producto
Información detallada
Lugar de origen:
China
Documento:
Infineon_IRF7404_DataSheet_...EN.pdf
modelo:
IRF7404TRPBF
Nombre del producto:
Chip Infineon
Tipo:
SMD/SMT
Corriente continua del dren:
6.7 A
Temperatura de funcionamiento:
- 55 ºC ~ + 150 ºC
Disipación de energía:
2,5 W
Capacidad de la fuente:
100000
Resaltar:

IRF7404TRPBF

,

IRF7404 Infineon HEXFET MOSFET

,

HEXFET MOSFET de Montaje en Superficie

Descripción del Producto

Chip IRF7404TRPBF HEXFET® MOSFET de potencia de canal P de baja resistencia en encendido, montaje en superficie


MOSFET de potencia HEXFET® de baja resistencia en encendido, montaje en superficie


Tecnología Generation V

Resistencia en encendido ultrabaja
MOSFET de canal P
Montaje en superficie
Disponible en cinta y carrete
Calificación de dv/dt dinámico
Conmutación rápida
Sin plomo


Descripción
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia en encendido posible por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
El SO-8 ha sido modificado a través de un marco de plomo personalizado para mejorar las características térmicas y la capacidad de múltiples matrices, lo que lo hace ideal en una variedad de aplicaciones de potencia. Con estas mejoras, se pueden usar múltiples dispositivos en una aplicación con un espacio de placa drásticamente reducido. El paquete está diseñado para técnicas de soldadura por fase de vapor, infrarrojos u onda. La disipación de potencia de más de 0,8 W es posible en una aplicación típica de montaje en PCB.

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra Baja Resistencia Encendido Montaje en Superficie

Calificaciones máximas absolutas
IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra Baja Resistencia Encendido Montaje en Superficie
Calificaciones de resistencia térmica
IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra Baja Resistencia Encendido Montaje en Superficie

Características eléctricas @ Tj = 25°C (a menos que se especifique)
IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra Baja Resistencia Encendido Montaje en Superficie
Etiquetas: 

Infineon potencia mosfet  

el chip infineón  

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