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IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra Low On-Resistance Montage en Surface

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IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra Low On-Resistance Montage en Surface

Nom De La Marque:	Infineon Chip
Numéro De Modèle:	IRF7404TRPBF
Quantité Minimale De Commande:	2500
Détails De L'emballage:	2500 pièces/bobine
Conditions De Paiement:	T/T

Informations détaillées

Description du produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Chine

Documents:

modèle:

IRF7404TRPBF

Nom du produit:

Puce Infineon

Taper:

CMS/CMS

Courant continu de drain:

6.7 A

Température de fonctionnement:

- 55 °C ~ + 150 °C

Dissipation de puissance:

2,5 W

Capacité d'approvisionnement:

100000

Mettre en évidence:

IRF7404TRPBF

IRF7404 Infineon HEXFET MOSFET

Montage en Surface HEXFET MOSFET

Description du produit

MOSFET de puissance HEXFET® Infineon Chip IRF7404TRPBF à très faible résistance à l'état passant, montage en surface

MOSFET de puissance HEXFET® à très faible résistance à l'état passant, montage en surface

Technologie Generation V

Très faible résistance à l'état passant
MOSFET à canal P
Montage en surface
Disponible en bande et bobine
Capacité de dv/dt dynamique
Commutation rapide
Sans plomb

Description

Les HEXFET de cinquième génération d'International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir la plus faible résistance à l'état passant possible par surface de silicium. Ce bénéfice, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste des MOSFET de puissance HEXFET, bien connus, offre au concepteur un dispositif extrêmement efficace pour une utilisation dans une grande variété d'applications.

Le SO-8 a été modifié par un cadre de connexion personnalisé pour des caractéristiques thermiques améliorées et une capacité multi-puces, ce qui le rend idéal dans une variété d'applications d'alimentation. Avec ces améliorations, plusieurs dispositifs peuvent être utilisés dans une application avec un espace de carte considérablement réduit. Le boîtier est conçu pour les techniques de soudage par phase vapeur, infrarouge ou à la vague. Une dissipation de puissance supérieure à 0,8 W est possible dans une application typique de montage sur carte de circuit imprimé.

Caractéristiques absolues maximales

Caractéristiques de résistance thermique

Caractéristiques électriques @ Tj = 25°C (sauf indication contraire)

Balises:

PUCE LED OSRAM

Puce du Cree LED

Puces ST IC

Puces TI

Puce à LED Bridgelux

Puce Infineon

Puce LED LUMINUS

Perles de lampe de LED

Puces IC SAMSUNG

Puces microniques

Puces SK Hynix

Puce LED LumiLEDs

Puce LED SAMSUNG

Puce LED SEOUL

La puce LED NICHIA

Puces NeXperia

Puces ONsemi

Puces ADI

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