logo
Giá tốt  Trực tuyến

chi tiết sản phẩm

Created with Pixso. Nhà Created with Pixso. Các sản phẩm Created with Pixso.
Chip Infineon
Created with Pixso.

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Điện trở cực thấp Gắn trên bề mặt

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Điện trở cực thấp Gắn trên bề mặt

Tên thương hiệu: Infineon Chip
Số mô hình: IRF7404TRPBF
MOQ: 2500
Chi tiết đóng gói: 2500 CÁI/cuộn
Điều khoản thanh toán: T/T
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc:
Trung Quốc
người mẫu:
IRF7404TRPBF
Tên sản phẩm:
Chip Infineon
Kiểu:
SMD/SMT
Dòng xả liên tục:
6,7 A
Nhiệt độ hoạt động:
- 55°C ~ + 150°C
Tản điện:
2,5W
Khả năng cung cấp:
100000
Làm nổi bật:

IRF7404TRPBF

,

IRF7404 Infineon HEXFET MOSFET

,

MOSFET HEXFET Gắn trên bề mặt

Mô tả sản phẩm

Chip MOSFET Công suất HEXFET® IRF7404TRPBF Điện trở cực thấp Gắn trên bề mặt


MOSFET Công suất HEXFET® Điện trở cực thấp Gắn trên bề mặt


Công nghệ Thế hệ V

Điện trở cực thấp
MOSFET Kênh P
Gắn trên bề mặt
Có sẵn trong Băng & Cuộn
Đánh giá Tốc độ dv/dt Động
Chuyển mạch Nhanh
Không Chì


Mô tả
Các HEXFET Thế hệ thứ năm của International Rectifier sử dụng các kỹ thuật xử lý tiên tiến để đạt được điện trở cực thấp trên mỗi diện tích silicon. Lợi ích này, kết hợp với tốc độ chuyển mạch nhanh và thiết kế thiết bị bền bỉ mà MOSFET Công suất HEXFET nổi tiếng, cung cấp cho nhà thiết kế một thiết bị cực kỳ hiệu quả để sử dụng trong nhiều ứng dụng.
SO-8 đã được sửa đổi thông qua khung dẫn tùy chỉnh để tăng cường đặc tính nhiệt và khả năng đa chip, làm cho nó trở nên lý tưởng trong nhiều ứng dụng công suất. Với những cải tiến này, nhiều thiết bị có thể được sử dụng trong một ứng dụng với không gian bo mạch giảm đáng kể. Gói được thiết kế cho các kỹ thuật hàn pha hơi, hồng ngoại hoặc sóng. Công suất tiêu tán lớn hơn 0,8W có thể có trong ứng dụng gắn trên PCB điển hình.

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Điện trở cực thấp Gắn trên bề mặt

Thông số tối đa tuyệt đối
IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Điện trở cực thấp Gắn trên bề mặt
Thông số điện trở nhiệt
IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Điện trở cực thấp Gắn trên bề mặt

Đặc tính điện @ Tj = 25°C (trừ khi được chỉ định)
IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Điện trở cực thấp Gắn trên bề mặt