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IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount

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IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount

Marchio:	Infineon Chip
Numero di modello:	IRF7404TRPBF
MOQ:	2500
Dettagli dell'imballaggio:	2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Documento:

modello:

IRF7404TRPBF

Nome del prodotto:

Chip Infineon

Tipo:

SMD/SMT

Corrente continua dello scolo:

6.7 A

Temperatura operativa:

-55°C~+150°C

Dissipazione di potenza:

2,5 W

Capacità di alimentazione:

100000

Evidenziare:

IRF7404TRPBF

IRF7404 Infineon HEXFET MOSFET

Surface Mount HEXFET MOSFET

Descrizione del prodotto

Infineon Chip IRF7404TRPBF HEXFET® Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount

HEXFET® Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount

Tecnologia di Generazione V

Resistenza On Ultra Bassa
MOSFET a Canale P
Montaggio Superficiale
Disponibile in Nastro e Bobina
Valutazione Dinamica dv/dt
Commutazione Rapida
Senza Piombo

Descrizione

I HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizzano tecniche di elaborazione avanzate per ottenere la più bassa resistenza on possibile per area di silicio. Questo vantaggio, combinato con la velocità di commutazione rapida e il design robusto dei dispositivi per cui i Power MOSFET HEXFET sono ben noti, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente da utilizzare in un'ampia varietà di applicazioni.

Il SO-8 è stato modificato attraverso un leadframe personalizzato per caratteristiche termiche migliorate e capacità multi-die, rendendolo ideale in una varietà di applicazioni di potenza. Con questi miglioramenti, è possibile utilizzare più dispositivi in un'applicazione con uno spazio su scheda drasticamente ridotto. Il package è progettato per tecniche di saldatura a fase vapore, infrarossi o a onda. La dissipazione di potenza superiore a 0,8 W è possibile in una tipica applicazione di montaggio su PCB.

Valutazioni Massime Assolute

Valutazioni di Resistenza Termica

Caratteristiche Elettriche @ Tj = 25°C (se non specificato)

Tag:

CHIP LED OSRAM

Chip del Cree LED

Chip ST IC

Chip TI

Chip a LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Perle della lampada del LED

Chip IC SAMSUNG

Chip micron

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