logo
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
polski polski
فارسی فارسی
বাংলা বাংলা
ไทย ไทย
tiếng Việt tiếng Việt
العربية العربية
हिन्दी हिन्दी
Türkçe Türkçe
indonesia indonesia
Do domu
O nas
Profil przedsiębiorstwa
Wycieczka po fabryce
Kontrola jakości
Produkty

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy
rozwiązania
Wideo
Nowości
Skontaktuj się z nami
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
polski polski
فارسی فارسی
বাংলা বাংলা
ไทย ไทย
tiếng Việt tiếng Việt
العربية العربية
हिन्दी हिन्दी
Türkçe Türkçe
indonesia indonesia
Cytat
Do domu
O nas
Profil przedsiębiorstwa
Wycieczka po fabryce
Kontrola jakości
Produkty

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy
rozwiązania
Wideo
Blog
Skontaktuj się z nami
Cytat
Dobra cena W Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Chip Infineona
Created with Pixso.

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Wysoka prędkość 5 IGBT w technologii TRENCHSTOP 5 w pakiecie z diodą antyrównoległą RAPID 1 szybką i miękką

Wszystkie kategorie

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy
Skontaktuj się z nami
Miss. alice
+86 18802688921
Skontaktuj się teraz
Wszystkie kategorie

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy
IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Wysoka prędkość 5 IGBT w technologii TRENCHSTOP 5 w pakiecie z diodą antyrównoległą RAPID 1 szybką i miękką
  • Nazwa

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Wysoka prędkość 5 IGBT w technologii TRENCHSTOP 5 w pakiecie z diodą antyrównoległą RAPID 1 szybką i miękką

Nazwa marki: Infineon Chip
Numer modelu: IKZ75N65EH5
MOQ: 2500
Szczegóły opakowania: 2500 sztuk / rolka
Warunki płatności: T/T
Informacje szczegółowe
Opis produktu
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Chiny
Dokument:
infineon_ikz75n65eh5_ds_en.pdf
model:
IKZ75N65EH5
Nazwa produktu:
Chip Infineona
Temperatura pracy:
- 40°C ~ + 175°C
Rozpraszanie mocy:
395 W
Styl instalacji:
Przez dziurę
Maksymalne napięcie kolektor-emiter VCEO:
650 V
Możliwość Supply:
100 000
Podkreślić:

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT

,

TRENCHSTOP 5 IGBT

,

Miękka dioda antyrównoległa IGBT

Opis produktu

Szybki tranzystor IGBT Infineon IKZ75N65EH5 w technologii TRENCHSTOP™5, skompletowany z szybką i miękką diodą antyrównoległą RAPID 1


IGBT
Szybki tranzystor IGBT w technologii TRENCHSTOP™5, skompletowany z szybką i miękką diodą antyrównoległą RAPID 1

IKZ75N65EH5
650V DuoPack IGBT i dioda
Szybka seria piątej generacji

Cechy i zalety:
Oferta technologii H5 High speed
Bardzo niskie straty przełączania dzięki wyprowadzeniu emitera Kelvina w połączeniu z TRENCHSTOP™ 5
Najwyższa w swojej klasie sprawność w topologiach przełączania twardego i rezonansowego
Bezproblemowa wymiana tranzystorów IGBT poprzedniej generacji
Napięcie przebicia 650V
Niski ładunek bramki QG
IGBT skompletowany z szybką i miękką diodą antyrównoległą RAPID 1
Maksymalna temperatura złącza 175°C
Kwalifikowany zgodnie z JEDEC dla docelowych zastosowań
Bezciężarowe pokrycie ołowiem; zgodny z RoHS
Kompletne spektrum produktów i modele PSpice

Zastosowania
Zasilacze bezprzerwane
Przetwornice spawalnicze
Przetwornice o średniej i wysokiej częstotliwości przełączania
Falowniki stringowe solarne

Definicja wyprowadzeń obudowy
Wyprowadzenie C i tył - kolektor
Wyprowadzenie E - emiter
Wyprowadzenie K - emiter Kelvina
Wyprowadzenie G - bramka

Maksymalne parametry znamionoweIKZ75N65EH5 Infineon IGBT Wysoka prędkość 5 IGBT w technologii TRENCHSTOP 5 w pakiecie z diodą antyrównoległą RAPID 1 szybką i miękką
Rezystancja termiczna
IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Wysoka prędkość 5 IGBT w technologii TRENCHSTOP 5 w pakiecie z diodą antyrównoległą RAPID 1 szybką i miękką

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Wysoka prędkość 5 IGBT w technologii TRENCHSTOP 5 w pakiecie z diodą antyrównoległą RAPID 1 szybką i miękką

Co to znaczy

Znajdź 2 słowa kluczowe, odnieś się do 7 materiałów

Oryginalny tekst

IGBT

Szybki tranzystor IGBT w technologii TRENCHSTOP™5, skompletowany z szybką i miękką diodą antyrównoległą RAPID 1
IKZ75N65EH5

650V DuoPack IGBT i dioda

Szybka seria piątej generacji

Chińskie tłumaczenie (standardowa metoda tłumaczenia arkusza danych Infineon)

IGBT

Używa technologii TRENCHSTOP™5 piątej generacji szybkich tranzystorów IGBT, wbudowana szybka i miękka dioda antyrównoległa RAPID 1
IKZ75N65EH5

650V DuoPack IGBT i dioda

Szybka seria piątej generacji

Proste wyjaśnienie terminów

  1. IGBT: dwubiegunowy tranzystor z izolowaną bramką, duży element przełączający, powszechnie stosowany w falownikach, spawarkach, zasilaczach
  2. TRENCHSTOP™5: Opatentowana technologia Infineon IGBT typu Trench, głównie skupiająca się na niskich stratach przełączania, szybkie przełączanie
  3. copacked: skompletowany, w tej samej płytce krzemowej jednocześnie umieszczony IGBT + dioda prądu zwrotnego
  4. fast and soft antiparallel diode: szybka i miękka dioda antyrównoległa (dioda prądu zwrotnego, pochłania energię indukcyjną podczas wyłączania, miękka regeneracja może obniżyć szczytowe przepięcie, zmniejsza zakłócenia EMI)
  5. DuoPack: nazwa obudowy Infineon, pojedyncza obudowa integrująca IGBT + diodę prądu zwrotnego
  6. 650V: znamionowe napięcie przebicia elementu 650 woltów
  7. High speed series fifth generation(H5): szybka seria piątej generacji H5, odpowiednia do przełączania o wysokiej częstotliwości (UPS, panele słoneczne, zasilacze przemysłowe itp.)

Parametry rdzenia elementu

Model IKZ75N65EH5, ciągły prąd kolektora 75A przy 100°C, prąd szczytowy 90A przy 25°C, obudowa TO247-4, z wyprowadzeniem emitera Kelvina, odpowiedni do zastosowań zasilania przemysłowego o wysokiej częstotliwościInfineon.
Czy potrzebujesz, abym przetłumaczył dalszą część tego arkusza danych?

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Wysoka prędkość 5 IGBT w technologii TRENCHSTOP 5 w pakiecie z diodą antyrównoległą RAPID 1 szybką i miękką

Kopiuj

Cechy i zalety:
Oferta technologii H5 High speed
  • Bardzo niskie straty przełączania dzięki wyprowadzeniu emitera Kelvina w połączeniu z TRENCHSTOP™ 5
  • Najwyższa w swojej klasie sprawność w topologiach przełączania twardego i rezonansowego
  • Bezproblemowa wymiana tranzystorów IGBT poprzedniej generacji
  • Napięcie przebicia 650V
  • Niski ładunek bramki QG
  • IGBT skompletowany z szybką i miękką diodą antyrównoległą RAPID 1
  • Maksymalna temperatura złącza 175°C
  • Kwalifikowany zgodnie z JEDEC dla docelowych zastosowań
  • Bezciężarowe pokrycie ołowiem; zgodny z RoHS
  • Kompletne spektrum produktów i modele PSpice:
Czy potrzebujesz, abym zsynchronizował profesjonalne chińskie tłumaczenie tego fragmentu?

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Wysoka prędkość 5 IGBT w technologii TRENCHSTOP 5 w pakiecie z diodą antyrównoległą RAPID 1 szybką i miękką

Kopiuj

Zastosowania
  • Zasilacze bezprzerwane
  • Przetwornice spawalnicze
  • Przetwornice o średniej i wysokiej częstotliwości przełączania
  • Falowniki stringowe solarne
Definicja wyprowadzeń obudowy:
  • Wyprowadzenie C i tył - kolektor
  • Wyprowadzenie E - emiter
  • Wyprowadzenie K - emiter Kelvina
  • Wyprowadzenie G - bramka
Czy potrzebujesz odpowiedniego profesjonalnego tłumaczenia na język chiński?

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Wysoka prędkość 5 IGBT w technologii TRENCHSTOP 5 w pakiecie z diodą antyrównoległą RAPID 1 szybką i miękką

Kopiuj







Maksymalne parametry znamionowe
Tagi: 

mosfet mocy infineon  

chip infineon  

kontroler pfc infineon

Powiązane produkty
SAK-TC234L-32F200F Infineon Chip AC 32-bit Mikrokontroler AC-Step

SAK-TC234L-32F200F Infineon Chip AC 32-bit Mikrokontroler AC-Step

Najlepszą cenę
SAK-TC233LP-32F200N Infineon Chip AC 32-bit Jednokrotkowy Mikrokontroler AC-Step

SAK-TC233LP-32F200N Infineon Chip AC 32-bit Jednokrotkowy Mikrokontroler AC-Step

Najlepszą cenę
SAK-TC233LP-32F200F Infineon Chip 32-bit Jednostrumieniowy Mikrokontroler AC-Step

SAK-TC233LP-32F200F Infineon Chip 32-bit Jednostrumieniowy Mikrokontroler AC-Step

Najlepszą cenę
SAK-TC233L-32F200N Infineon Chip AC 32-bitowy pojedynczy układ mikrokontrolerowy AC-Step

SAK-TC233L-32F200N Infineon Chip AC 32-bitowy pojedynczy układ mikrokontrolerowy AC-Step

Najlepszą cenę
SAK-TC212S-8F133SC Infineon Chip AC Single Chip Microcontroller Typ standardowy z HSM i bez

SAK-TC212S-8F133SC Infineon Chip AC Single Chip Microcontroller Typ standardowy z HSM i bez

Najlepszą cenę