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Einzelheiten zu den Produkten

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Infineon-Chip
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IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Hochgeschwindigkeits-5-IGBT in TRENCHSTOP 5 Technologie, kopackt mit RAPID 1 schnellen und weichen antiparallelen Dioden

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IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Hochgeschwindigkeits-5-IGBT in TRENCHSTOP 5 Technologie, kopackt mit RAPID 1 schnellen und weichen antiparallelen Dioden
  • Name

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Hochgeschwindigkeits-5-IGBT in TRENCHSTOP 5 Technologie, kopackt mit RAPID 1 schnellen und weichen antiparallelen Dioden

Markenname: Infineon Chip
Modellnummer: Die Ausrüstung ist in Form von
Mindestbestellmenge: 2500
Verpackungsdetails: 2500 Stück/Rolle
Zahlungsbedingungen: T/T
Detailinformationen
Produktbeschreibung
Detailinformationen
Herkunftsort:
China
Dokumentieren:
infineon_ikz75n65eh5_ds_en.pdf
Modell:
Die Ausrüstung ist in Form von
Produktname:
Infineon-Chip
Betriebstemperatur:
- 40 °C ~ + 175 °C
Verlustleistung:
395 w
Installationsstil:
Durch Loch
Kollektor-Emitter maximale Spannung VCEO:
650 V
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
100000
Hervorheben:

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT

,

TRENCHSTOP 5 IGBT

,

Weiche Antiparallele Diode IGBT

Produktbeschreibung

Infineon Chip IKZ75N65EH5 High-Speed 5 IGBT in TRENCHSTOP™5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode


IGBT
High-Speed 5 IGBT in TRENCHSTOP™5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode

IKZ75N65EH5
650V DuoPack IGBT und Diode
High-Speed Serie fünfte Generation

Merkmale und Vorteile:
High-Speed H5-Technologie bietet
Ultra-niedrige Schaltverluste dank Kelvin-Emitter-Pin in Kombination mit TRENCHSTOP™ 5
Beste Effizienz in Hard-Switching- und Resonanztopologien
Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation
650V Spannungsfestigkeit
Geringe Gate-Ladung QG
IGBT copackt mit RAPID 1 schneller und weicher antiparalleler Diode
Maximale Sperrschichttemperatur 175°C
Qualifiziert nach JEDEC für Zielanwendungen
Pb-freie Lötmittelbeschichtung; RoHS-konform
Komplettes Produktspektrum und PSpice-Modelle

Anwendungen
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
Schweißstromrichter
Mittel- bis Hochfrequenz-Schaltnetzteile
Solar-Stringwechselrichter

Gehäuse-Pinbelegung
Pin C & Rückseite - Kollektor
Pin E - Emitter
Pin K - Kelvin-Emitter
Pin G - Gate

Maximale NennwerteIKZ75N65EH5 Infineon IGBT Hochgeschwindigkeits-5-IGBT in TRENCHSTOP 5 Technologie, kopackt mit RAPID 1 schnellen und weichen antiparallelen Dioden
Wärmewiderstand
IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Hochgeschwindigkeits-5-IGBT in TRENCHSTOP 5 Technologie, kopackt mit RAPID 1 schnellen und weichen antiparallelen Dioden

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Hochgeschwindigkeits-5-IGBT in TRENCHSTOP 5 Technologie, kopackt mit RAPID 1 schnellen und weichen antiparallelen Dioden

Was bedeutet das?

Suche nach 2 Schlüsselwörtern, verweise auf 7 Dokumente

Originaltext

IGBT

High-Speed 5 IGBT in TRENCHSTOP™5 Technologie copackt mit RAPID 1 schneller und weicher antiparalleler Diode
IKZ75N65EH5

650V DuoPack IGBT und Diode

High-Speed Serie fünfte Generation

Chinesische Übersetzung (Englisch-Flug-Datenblatt-Standardübersetzungsmethode)

IGBT

Verwendet TRENCHSTOP™5 Technologie der fünften Generation High-Speed IGBT, integrierte RAPID 1 schnelle und weiche antiparallele Diode
IKZ75N65EH5

650V DuoPack IGBT und Diode

High-Speed Serie fünfte Generation

Einfache Erklärung der Begriffe

  1. IGBT: Halbleiter-Doppelröhre vom Typ "DuoPack", Hochleistungs-Schaltkomponente, häufig verwendet in Wechselrichtern, Schweißgeräten, Stromversorgungen
  2. TRENCHSTOP™5: Infineon's proprietäre Trench-Technologie der fünften Generation, konzentriert sich auf niedrige Schaltverluste, hohe Geschwindigkeit beim harten Schalten
  3. copacked: Co-verpackt, gleichzeitig in einem Chip-Gehäuse untergebracht IGBT + kontinuierliche Diode
  4. fast and soft antiparallel diode: Schnelle und weiche antiparallele Diode (kontinuierliche Diode, absorbiert induktive Energie beim Abschalten, weiche Erholung kann Spannungsspitzen reduzieren, reduziert EMI-Störungen)
  5. DuoPack: Ein von Infineon verwendeter Gehäusenamen, integriert IGBT + kontinuierliche Diode in einem einzigen Gehäuse
  6. 650V: Nennspannung der Komponente 650 Volt
  7. High-Speed series fifth generation(H5): High-Speed fünfte Generation H5 Serie, geeignet für Hochfrequenz-Hartschaltanwendungen (USV, Solar, Industrie Stromversorgung usw.)

Kernparameter der Komponente

Modell IKZ75N65EH5, kontinuierlicher Kollektorstrom 75A bei 100°C, Spitzenstrom 90A bei 25°C, TO247-4 Pin-Gehäuse, mit Kelvin-Emitter-Pin, geeignet für Hochfrequenz-IndustriestromversorgungsanwendungenInfineon.
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IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Hochgeschwindigkeits-5-IGBT in TRENCHSTOP 5 Technologie, kopackt mit RAPID 1 schnellen und weichen antiparallelen Dioden

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Merkmale und Vorteile:
High-Speed H5-Technologie bietet
  • Ultra-niedrige Schaltverluste dank Kelvin-Emitter-Pin in Kombination mit TRENCHSTOP™ 5
  • Beste Effizienz in Hard-Switching- und Resonanztopologien
  • Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation
  • 650V Spannungsfestigkeit
  • Geringe Gate-Ladung QG
  • IGBT copackt mit RAPID 1 schneller und weicher antiparalleler Diode
  • Maximale Sperrschichttemperatur 175°C
  • Qualifiziert nach JEDEC für Zielanwendungen
  • Pb-freie Lötmittelbeschichtung; RoHS-konform
  • Komplettes Produktspektrum und PSpice-Modelle:
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Anwendungen
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
  • Schweißstromrichter
  • Mittel- bis Hochfrequenz-Schaltnetzteile
  • Solar-Stringwechselrichter
Gehäuse-Pinbelegung:
  • Pin C & Rückseite - Kollektor
  • Pin E - Emitter
  • Pin K - Kelvin-Emitter
  • Pin G - Gate
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Maximale Nennw
Schlagworte: 

Infineon Power MOSFET  

Infineon Chip  

Infineon PFC Controller

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