logo
Giá tốt  Trực tuyến

chi tiết sản phẩm

Created with Pixso. Nhà Created with Pixso. Các sản phẩm Created with Pixso.
Chip Infineon
Created with Pixso.

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Tốc độ cao 5 IGBT trong công nghệ TRENCHSTOP 5 được đóng gói cùng với điốt antiparallel nhanh và mềm RAPID 1

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Tốc độ cao 5 IGBT trong công nghệ TRENCHSTOP 5 được đóng gói cùng với điốt antiparallel nhanh và mềm RAPID 1

Tên thương hiệu: Infineon Chip
Số mô hình: IKZ75N65EH5
MOQ: 2500
Chi tiết đóng gói: 2500 CÁI/cuộn
Điều khoản thanh toán: T/T
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc:
Trung Quốc
người mẫu:
IKZ75N65EH5
Tên sản phẩm:
Chip Infineon
Nhiệt độ hoạt động:
- 40°C ~ +175°C
Tản điện:
395 w
Kiểu cài đặt:
Qua lỗ
Điện áp tối đa của bộ thu-điện tử VCEO:
650 v
Khả năng cung cấp:
100000
Làm nổi bật:

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT

,

TRENCHSTOP 5 IGBT

,

Điốt Antiparallel Mềm IGBT

Mô tả sản phẩm

Chip IGBT Infineon IKZ75N65EH5 tốc độ cao 5 trong công nghệ TRENCHSTOP™5 được đóng gói cùng với diode antiparallel nhanh và mềm RAPID 1


IGBT
IGBT tốc độ cao 5 trong công nghệ TRENCHSTOP™5 được đóng gói cùng với diode antiparallel nhanh và mềm RAPID 1

IKZ75N65EH5
IGBT và diode DuoPack 650V
Thế hệ thứ năm dòng tốc độ cao

Tính năng và Lợi ích:
Công nghệ H5 tốc độ cao mang lại
Chuyển mạch tổn thất cực thấp nhờ chân Kelvin emitter kết hợp với TRENCHSTOP™ 5
Hiệu suất tốt nhất trong phân khúc ở các cấu trúc chuyển mạch cứng và cộng hưởng
Thay thế cắm và chạy cho các IGBT thế hệ trước
Điện áp đánh thủng 650V
Điện tích cổng thấp QG
IGBT đóng gói cùng với diode antiparallel nhanh và mềm RAPID 1
Nhiệt độ tiếp giáp tối đa 175°C
Được chứng nhận theo JEDEC cho các ứng dụng mục tiêu
Mạ chì không chì; tuân thủ RoHS
Toàn bộ phổ sản phẩm và Mô hình PSpice

Ứng dụng
Bộ lưu điện không ngắt quãng
Bộ chuyển đổi hàn
Bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch tầm trung đến cao
Bộ biến tần chuỗi năng lượng mặt trời

Định nghĩa chân gói
Chân C & mặt sau - collector
Chân E - emitter
Chân K - Kelvin emitter
Chân G - gate

Thông số định mức tối đaIKZ75N65EH5 Infineon IGBT Tốc độ cao 5 IGBT trong công nghệ TRENCHSTOP 5 được đóng gói cùng với điốt antiparallel nhanh và mềm RAPID 1
Điện trở nhiệt
IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Tốc độ cao 5 IGBT trong công nghệ TRENCHSTOP 5 được đóng gói cùng với điốt antiparallel nhanh và mềm RAPID 1

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Tốc độ cao 5 IGBT trong công nghệ TRENCHSTOP 5 được đóng gói cùng với điốt antiparallel nhanh và mềm RAPID 1

Ý nghĩa

Tìm kiếm 2 từ khóa, tham khảo 7 tài liệu

Văn bản gốc

IGBT

IGBT tốc độ cao 5 trong công nghệ TRENCHSTOP™5 được đóng gói cùng với diode antiparallel nhanh và mềm RAPID 1
IKZ75N65EH5

IGBT và diode DuoPack 650V

Dòng tốc độ cao thế hệ thứ năm

Dịch tiếng Trung (Phương pháp dịch tiêu chuẩn của datasheet Yingfei)

IGBT

Sử dụng công nghệ TRENCHSTOP™5, IGBT tốc độ cao thế hệ thứ năm, tích hợp sẵn diode antiparallel nhanh và mềm RAPID 1
IKZ75N65EH5

IGBT và diode đóng gói DuoPack 650V

Dòng tốc độ cao thế hệ thứ năm

Giải thích thuật ngữ

  1. IGBT: ống bán dẫn lưỡng cực cổng cách ly, thiết bị chuyển mạch công suất lớn, thường dùng trong bộ nghịch lưu, máy hàn, nguồn công nghiệp
  2. TRENCHSTOP™5: Công nghệ độc quyền IGBT kiểu rãnh thế hệ thứ năm của Yingfei, chủ yếu tập trung vào giảm tổn thất khi bật, chuyển mạch cứng tốc độ cao
  3. copacked: đóng gói chung, trong cùng một chip đóng gói cùng lúc IGBT + diode liên tục
  4. diode antiparallel nhanh và mềm: diode antiparallel nhanh và mềm (diode liên tục, hấp thụ dòng điện ngược khi ngắt, phục hồi mềm có thể giảm đỉnh điện áp, giảm nhiễu EMI)
  5. DuoPack: Tên một loại gói của Yingfei, tích hợp IGBT + diode liên tục trong một gói
  6. 650V: Điện áp định mức của thiết bị 650 Volt
  7. Dòng tốc độ cao thế hệ thứ năm (H5): Dòng H5 thế hệ thứ năm tốc độ cao, phù hợp với các ứng dụng chuyển mạch tần số cao (UPS, biến tần, nguồn công nghiệp, v.v.)

Thông số cốt lõi của thiết bị

Mẫu IKZ75N65EH5, dòng điện cực liên tục 75A ở 100°C, đỉnh 90A ở 25°C, gói TO247-4, có chân Kelvin emitter, phù hợp cho các ứng dụng nguồn công nghiệp tần số caoYingfei.
Bạn có cần tôi tiếp tục dịch nội dung tiếp theo của datasheet này không?

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Tốc độ cao 5 IGBT trong công nghệ TRENCHSTOP 5 được đóng gói cùng với điốt antiparallel nhanh và mềm RAPID 1

Sao chép

Tính năng và Lợi ích:
Công nghệ H5 tốc độ cao mang lại
  • Chuyển mạch tổn thất cực thấp nhờ chân Kelvin emitter kết hợp với TRENCHSTOP™ 5
  • Hiệu suất tốt nhất trong phân khúc ở các cấu trúc chuyển mạch cứng và cộng hưởng
  • Thay thế cắm và chạy cho các IGBT thế hệ trước
  • Điện áp đánh thủng 650V
  • Điện tích cổng thấp QG
  • IGBT đóng gói cùng với diode antiparallel nhanh và mềm RAPID 1
  • Nhiệt độ tiếp giáp tối đa 175°C
  • Được chứng nhận theo JEDEC cho các ứng dụng mục tiêu
  • Mạ chì không chì; tuân thủ RoHS
  • Toàn bộ phổ sản phẩm và Mô hình PSpice:
Bạn có cần tôi cung cấp bản dịch tiếng Trung chuyên nghiệp cho đoạn này không?

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Tốc độ cao 5 IGBT trong công nghệ TRENCHSTOP 5 được đóng gói cùng với điốt antiparallel nhanh và mềm RAPID 1

Sao chép

Ứng dụng
  • Bộ lưu điện không ngắt quãng
  • Bộ chuyển đổi hàn
  • Bộ chuyển đổi tần số chuyển mạch tầm trung đến cao
  • Bộ biến tần chuỗi năng lượng mặt trời
Định nghĩa chân gói:
  • Chân C & mặt sau - collector
  • Chân E - emitter
  • Chân K - Kelvin emitter
  • Chân G - gate
Bạn có cần bản dịch tiếng Trung chuyên nghiệp tương ứng không?

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Tốc độ cao 5 IGBT trong công nghệ TRENCHSTOP 5 được đóng gói cùng với điốt antiparallel nhanh và mềm RAPID 1

Sao chép







Thông số định mức tối đa