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dettagli dei prodotti

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Chip Infineon
Created with Pixso.

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT ad alta velocità 5 IGBT in tecnologia TRENCHSTOP 5 co-confezionato con diodo antiparallelo rapido e morbido RAPID 1

Tutte le categorie

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IKZ75N65EH5 Infineon IGBT ad alta velocità 5 IGBT in tecnologia TRENCHSTOP 5 co-confezionato con diodo antiparallelo rapido e morbido RAPID 1
  • Nome

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT ad alta velocità 5 IGBT in tecnologia TRENCHSTOP 5 co-confezionato con diodo antiparallelo rapido e morbido RAPID 1

Marchio: Infineon Chip
Numero di modello: I.C.75N65EH5
MOQ: 2500
Dettagli dell'imballaggio: 2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento: T/T
Informazioni dettagliate
Descrizione del prodotto
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Cina
Documento:
infineon_ikz75n65eh5_ds_en.pdf
modello:
I.C.75N65EH5
Nome del prodotto:
Chip Infineon
Temperatura operativa:
-40°C~+175°C
Dissipazione di potenza:
395 w
Stile di installazione:
Attraverso il buco
tensione massima VCEO dell'Collettore-emettitore:
650 v
Capacità di alimentazione:
100000
Evidenziare:

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT

,

IGBT TRENCHSTOP 5

,

IGBT a diodo antiparallelo morbido

Descrizione del prodotto

Infineon Chip IKZ75N65EH5 IGBT ad alta velocità 5 in tecnologia TRENCHSTOP™5 copacchettato con diodo antiparallelo rapido e morbido RAPID 1


IGBT
IGBT ad alta velocità 5 in tecnologia TRENCHSTOP™5 copacchettato con diodo antiparallelo rapido e morbido RAPID 1

IKZ75N65EH5
IGBT e diodo DuoPack 650V
Serie ad alta velocità quinta generazione

Caratteristiche e vantaggi:
Offerta tecnologia H5 ad alta velocità
Commutazione a bassissime perdite grazie al pin Kelvin emitter in combinazione con TRENCHSTOP™ 5
Efficienza migliore della categoria in topologie a commutazione dura e risonanti
Sostituzione plug and play delle generazioni precedenti di IGBT
Tensione di breakdown 650V
Bassa carica di gate QG
IGBT copacchettato con diodo antiparallelo rapido e morbido RAPID 1
Temperatura massima di giunzione 175°C
Qualificato secondo JEDEC per applicazioni target
Placcatura dei piombi senza piombo; conforme RoHS
Spettro completo di prodotti e modelli PSpice

Applicazioni
Gruppi di continuità
Convertitori per saldatura
Convertitori a frequenza di commutazione medio-alta
Inverter di stringa solare

Definizione dei pin del package
Pin C e retro - collettore
Pin E - emettitore
Pin K - emettitore Kelvin
Pin G - gate

Massime condizioni operativeIKZ75N65EH5 Infineon IGBT ad alta velocità 5 IGBT in tecnologia TRENCHSTOP 5 co-confezionato con diodo antiparallelo rapido e morbido RAPID 1
Resistenza termica
IKZ75N65EH5 Infineon IGBT ad alta velocità 5 IGBT in tecnologia TRENCHSTOP 5 co-confezionato con diodo antiparallelo rapido e morbido RAPID 1

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT ad alta velocità 5 IGBT in tecnologia TRENCHSTOP 5 co-confezionato con diodo antiparallelo rapido e morbido RAPID 1

Cosa significa

Cerca 2 parole chiave, fai riferimento a 7 documenti

Testo originale

IGBT

IGBT ad alta velocità 5 in tecnologia TRENCHSTOP™5 copacchettato con diodo antiparallelo rapido e morbido RAPID 1
IKZ75N65EH5

IGBT e diodo DuoPack 650V

Serie ad alta velocità quinta generazione

Traduzione cinese (metodo di traduzione standard datasheet Yingfei)

IGBT

IGBT ad alta velocità di quinta generazione con tecnologia TRENCHSTOP™5, diodo antiparallelo rapido e morbido RAPID 1 integrato nello stesso package
IKZ75N65EH5

IGBT e diodo DuoPack 650V

Serie ad alta velocità di quinta generazione

Spiegazione semplice dei termini

  1. IGBT: Collettore-emettitore a doppio drain, interruttore di alimentazione ad alta potenza, comunemente usato in inverter, saldatrici, alimentatori industriali
  2. TRENCHSTOP™5: Tecnologia proprietaria Infineon per IGBT Trench di quinta generazione, focalizzata sulla riduzione delle perdite di conduzione, commutazione ad alta velocità
  3. copacchettato: Copacchettato insieme, nello stesso chip, IGBT + diodo a ricircolo contemporaneamente
  4. diodo antiparallelo rapido e morbido: Diodo a ricircolo rapido e morbido (diodo a ricircolo, assorbe la corrente induttiva durante lo spegnimento, il morbido ricircolo può ridurre i picchi di sovratensione, ridurre le interferenze EMI)
  5. DuoPack: Nome di un tipo di package Infineon, package singolo che integra IGBT + diodo a ricircolo
  6. 650V: Tensione nominale del dispositivo 650 Volt
  7. Serie ad alta velocità di quinta generazione (H5): Serie H5 ad alta velocità di quinta generazione, adatta per applicazioni di commutazione ad alta frequenza (UPS, solare, alimentatori industriali, ecc.)

Parametri principali del dispositivo

Modello IKZ75N65EH5, corrente continua collettore-emettitore 75A a 100°C, picco 90A a 25°C, package TO247-4, con pin emettitore Kelvin, adatto per applicazioni industriali ad alta frequenzaInfineon.
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IKZ75N65EH5 Infineon IGBT ad alta velocità 5 IGBT in tecnologia TRENCHSTOP 5 co-confezionato con diodo antiparallelo rapido e morbido RAPID 1

Copia

Caratteristiche e vantaggi:
Offerta tecnologia H5 ad alta velocità
  • Commutazione a bassissime perdite grazie al pin Kelvin emitter in combinazione con TRENCHSTOP™ 5
  • Efficienza migliore della categoria in topologie a commutazione dura e risonanti
  • Sostituzione plug and play delle generazioni precedenti di IGBT
  • Tensione di breakdown 650V
  • Bassa carica di gate QG
  • IGBT copacchettato con diodo antiparallelo rapido e morbido RAPID 1
  • Temperatura massima di giunzione 175°C
  • Qualificato secondo JEDEC per applicazioni target
  • Placcatura dei piombi senza piombo; conforme RoHS
  • Spettro completo di prodotti e modelli PSpice:
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IKZ75N65EH5 Infineon IGBT ad alta velocità 5 IGBT in tecnologia TRENCHSTOP 5 co-confezionato con diodo antiparallelo rapido e morbido RAPID 1

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Applicazioni
  • Gruppi di continuità
  • Convertitori per saldatura
  • Convertitori a frequenza di commutazione medio-alta
  • Inverter di stringa solare
Definizione dei pin del package:
  • Pin C e retro - collettore
  • Pin E - emettitore
  • Pin K - emettitore Kelvin
  • Pin G - gate
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