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Détails des produits

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Puce Infineon
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IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Haute vitesse 5 IGBT en technologie TRENCHSTOP 5 copackagé avec diode antiparallèle RAPID 1 rapide et douce

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IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Haute vitesse 5 IGBT en technologie TRENCHSTOP 5 copackagé avec diode antiparallèle RAPID 1 rapide et douce
  • Nom

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Haute vitesse 5 IGBT en technologie TRENCHSTOP 5 copackagé avec diode antiparallèle RAPID 1 rapide et douce

Nom De La Marque: Infineon Chip
Numéro De Modèle: Le numéro d'immatriculation du véhicule:
Quantité Minimale De Commande: 2500
Détails De L'emballage: 2500 pièces/bobine
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Description du produit
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
Documents:
infineon_ikz75n65eh5_ds_en.pdf
modèle:
Le numéro d'immatriculation du véhicule:
Nom du produit:
Puce Infineon
Température de fonctionnement:
- 40 °C ~ + 175 °C
Dissipation de puissance:
395 W
Style d'installation:
Par le trou
Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur:
650 V
Capacité d'approvisionnement:
100000
Mettre en évidence:

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT

,

TRENCHSTOP 5 IGBT

,

Diode Antiparallèle Douce IGBT

Description du produit

Infineon Chip IKZ75N65EH5 IGBT haute vitesse 5 en technologie TRENCHSTOP™5 co-encapsulé avec diode antiparallèle RAPID 1 rapide et douce


IGBT
IGBT haute vitesse 5 en technologie TRENCHSTOP™5 co-encapsulé avec diode antiparallèle RAPID 1 rapide et douce

IKZ75N65EH5
IGBT et diode DuoPack 650V
Série haute vitesse cinquième génération

Caractéristiques et avantages :
Offre de technologie H5 haute vitesse
Commutation à très faibles pertes grâce à la broche d'émetteur Kelvin en combinaison avec TRENCHSTOP™ 5
Efficacité optimale dans les topologies à commutation dure et résonantes
Remplacement plug and play des IGBT de génération précédente
Tension de claquage 650V
Faible charge de grille QG
IGBT co-encapsulé avec diode antiparallèle RAPID 1 rapide et douce
Température de jonction maximale 175°C
Qualifié selon JEDEC pour les applications cibles
Plombage sans plomb ; conforme RoHS
Spectre complet de produits et modèles PSpice

Applications
Alimentations sans interruption
Convertisseurs de soudage
Convertisseurs à fréquence de commutation moyenne à élevée
Onduleurs solaires string

Définition des broches du boîtier
Broche C & arrière - collecteur
Broche E - émetteur
Broche K - émetteur Kelvin
Broche G - grille

Valeurs nominales maximalesIKZ75N65EH5 Infineon IGBT Haute vitesse 5 IGBT en technologie TRENCHSTOP 5 copackagé avec diode antiparallèle RAPID 1 rapide et douce
Résistance thermique
IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Haute vitesse 5 IGBT en technologie TRENCHSTOP 5 copackagé avec diode antiparallèle RAPID 1 rapide et douce

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Haute vitesse 5 IGBT en technologie TRENCHSTOP 5 copackagé avec diode antiparallèle RAPID 1 rapide et douce

Quelle signification

Rechercher 2 mots-clés, référencer 7 documents

Texte original

IGBT

IGBT haute vitesse 5 en technologie TRENCHSTOP™5 co-encapsulé avec diode antiparallèle RAPID 1 rapide et douce
IKZ75N65EH5

IGBT et diode DuoPack 650V

Série haute vitesse cinquième génération

Traduction chinoise (méthode de traduction standard de la fiche technique Infineon)

IGBT

IGBT haute vitesse de cinquième génération utilisant la technologie TRENCHSTOP™5, avec diode antiparallèle RAPID 1 rapide et douce co-encapsulée
IKZ75N65EH5

IGBT et diode DuoPack 650V

Série haute vitesse cinquième génération

Explication simple des termes

  1. IGBT: Tube à cristal bipolaire, composant de commutation de puissance, couramment utilisé dans les onduleurs, les machines à souder, l'alimentation
  2. TRENCHSTOP™5: Technologie propriétaire Infineon IGBT de type tranchée de cinquième génération, axée sur une faible perte de commutation, commutation rapide
  3. copacked: Co-encapsulé, dans le même wafer, IGBT + diode de flux continu simultanément encapsulés
  4. diode antiparallèle rapide et douce: Diode antiparallèle rapide et douce (diode de flux continu, absorbe le courant inverse lors de la coupure, la récupération douce peut réduire les pics de tension, réduire les interférences EMI)
  5. DuoPack: Nom d'un type de boîtier Infineon, encapsule IGBT + diode de flux continu
  6. 650V: Tension nominale de l'appareil 650 volts
  7. Série haute vitesse cinquième génération (H5): Série H5 de cinquième génération haute vitesse, adaptée aux applications de commutation à haute fréquence (UPS, énergie solaire, alimentation industrielle, etc.)

Paramètres clés de l'appareil

Modèle IKZ75N65EH5, courant continu de collecteur 75A à 100°C, courant de crête 90A à 25°C, boîtier TO247-4, avec broche d'émetteur de Kelvin, adapté aux applications d'alimentation industrielle à haute fréquenceInfineon.
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IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Haute vitesse 5 IGBT en technologie TRENCHSTOP 5 copackagé avec diode antiparallèle RAPID 1 rapide et douce

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Caractéristiques et avantages :
Offre de technologie H5 haute vitesse
  • Commutation à très faibles pertes grâce à la broche d'émetteur Kelvin en combinaison avec TRENCHSTOP™ 5
  • Efficacité optimale dans les topologies à commutation dure et résonantes
  • Remplacement plug and play des IGBT de génération précédente
  • Tension de claquage 650V
  • Faible charge de grille QG
  • IGBT co-encapsulé avec diode antiparallèle RAPID 1 rapide et douce
  • Température de jonction maximale 175°C
  • Qualifié selon JEDEC pour les applications cibles
  • Plombage sans plomb ; conforme RoHS
  • Spectre complet de produits et modèles PSpice :
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Applications
  • Alimentations sans interruption
  • Convertisseurs de soudage
  • Convertisseurs à fréquence de commutation moyenne à élevée
  • Onduleurs solaires string
Définition des broches du boîtier :
  • Broche C & arrière - collecteur
  • Broche E - émetteur
  • Broche K - émetteur Kelvin
  • Broche G - grille
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Valeurs nominales maximales
Balises: 

mosfet de puissance infineon  

puce infineon  

contrôleur pfc infineon

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