logo
قیمت خوب  آنلاین

جزئیات محصولات

Created with Pixso. خونه Created with Pixso. محصولات Created with Pixso.
تراشه Infineon
Created with Pixso.

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT سرعت بالا 5 IGBT در تکنولوژی TRENCHSTOP 5 با دیود ضد موازی سریع و نرم RAPID 1

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT سرعت بالا 5 IGBT در تکنولوژی TRENCHSTOP 5 با دیود ضد موازی سریع و نرم RAPID 1

نام تجاری: Infineon Chip
شماره مدل: IKZ75N65EH5
MOQ: 2500
جزئیات بسته بندی: 2500 PCS / قرقره
شرایط پرداخت: T/T
اطلاعات جزئیات
محل منبع:
چین
مدل:
IKZ75N65EH5
نام محصول:
تراشه Infineon
دمای عملیاتی:
- 40 درجه سانتیگراد ~ + 175 درجه سانتیگراد
اتلاف نیرو:
395 W
سبک نصب:
از طریق سوراخ
VCEO حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر:
650 ولت
قابلیت ارائه:
100000
برجسته کردن:

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT

,

ترنچستاپ 5 IGBT

,

دیود ضد موازی نرم IGBT

توضیحات محصول

تراشه Infineon IKZ75N65EH5 IGBT با سرعت بالا 5 در فناوری TRENCHSTOP™5 همراه با دیود ضد موازی سریع و نرم RAPID 1


IGBT
IGBT با سرعت بالا 5 در فناوری TRENCHSTOP™5 همراه با دیود ضد موازی سریع و نرم RAPID 1

IKZ75N65EH5
IGBT و دیود DuoPack 650 ولت
نسل پنجم سری با سرعت بالا

ویژگی ها و مزایا:
ارائه فناوری H5 با سرعت بالا
سوئیچینگ با اتلاف فوق العاده کم به لطف پین امیتر کلین در ترکیب با TRENCHSTOP™ 5
بهترین راندمان در کلاس خود در توپولوژی های سوئیچینگ سخت و تشدید کننده
جایگزینی پلاگین و پلی برای IGBT های نسل قبلی
ولتاژ شکست 650 ولت
شارژ گیت کم QG
IGBT همراه با دیود ضد موازی سریع و نرم RAPID 1
حداکثر دمای اتصال 175 درجه سانتیگراد
مطابق با JEDEC برای برنامه های هدف واجد شرایط است
آبکاری سرب بدون سرب؛ مطابق با RoHS
طیف کامل محصول و مدل های PSpice

برنامه ها
منابع تغذیه بدون وقفه
مبدل های جوشکاری
مبدل های فرکانس سوئیچینگ متوسط تا بالا
اینورترهای رشته خورشیدی

تعریف پین بسته
پین C و پشت - کلکتور
پین E - امیتر
پین K - امیتر کلین
پین G - گیت

حداکثر رتبه بندی هاIKZ75N65EH5 Infineon IGBT سرعت بالا 5 IGBT در تکنولوژی TRENCHSTOP 5 با دیود ضد موازی سریع و نرم RAPID 1
مقاومت حرارتی
IKZ75N65EH5 Infineon IGBT سرعت بالا 5 IGBT در تکنولوژی TRENCHSTOP 5 با دیود ضد موازی سریع و نرم RAPID 1

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT سرعت بالا 5 IGBT در تکنولوژی TRENCHSTOP 5 با دیود ضد موازی سریع و نرم RAPID 1

چه مفهومی دارد

جستجو 2 کلمه کلیدی، مراجعه به 7 قطعه اطلاعات

متن اصلی

IGBT

IGBT با سرعت بالا 5 در فناوری TRENCHSTOP™5 همراه با دیود ضد موازی سریع و نرم RAPID 1
IKZ75N65EH5

IGBT و دیود DuoPack 650 ولت

نسل پنجم سری با سرعت بالا

ترجمه چینی (روش استاندارد ترجمه دیتاشیت Infineon)

IGBT

IGBT نسل پنجم با سرعت بالا با فناوری TRENCHSTOP™5، همراه با دیود ضد موازی سریع و نرم RAPID 1 در یک بسته
IKZ75N65EH5

IGBT و دیود بسته بندی شده DuoPack 650 ولت

نسل پنجم سری با سرعت بالا

توضیحات ساده

  1. IGBT:​​ترانزیستور اثر میدانی گیت عایق، دستگاه های سوئیچینگ قدرت، معمولاً در اینورترها، جوشکارها، منابع تغذیه استفاده می شود
  2. TRENCHSTOP™5:​​فناوری اختصاصی ترانزیستور اثر میدانی گیت عایق شیاری نسل پنجم Infineon، عمدتاً برای کاهش اتلاف سوئیچینگ، سوئیچینگ با سرعت بالا
  3. copacked:​​بسته بندی شده با هم، در یک تراشه، همزمان IGBT + دیود ضد موازی قرار می گیرد
  4. fast and soft antiparallel diode:​​دیود ضد موازی سریع و نرم (دیود ضد موازی، جریان معکوس را در هنگام خاموش شدن جذب می کند، بازیابی نرم می تواند اوج ولتاژ را کاهش دهد، تداخل EMI را کاهش می دهد)
  5. DuoPack:​​نام بسته بندی Infineon، بسته بندی واحد شامل IGBT + دیود ضد موازی
  6. 650V:​​ولتاژ نامی دستگاه 650 ولت
  7. High speed series fifth generation(H5):​​سری نسل پنجم با سرعت بالا H5، مناسب برای کاربردهای سوئیچینگ فرکانس بالا (مانند UPS، منابع تغذیه خورشیدی، منابع تغذیه صنعتی)

پارامترهای اصلی دستگاه

مدل IKZ75N65EH5، جریان پیوسته کلکتور 75 آمپر در دمای 100 درجه سانتیگراد، جریان پیک 90 آمپر در دمای 25 درجه سانتیگراد، بسته بندی TO247-4، با پین امیتر کلین، مناسب برای کاربردهای منبع تغذیه صنعتی فرکانس بالاInfineon.
آیا نیاز دارید که محتوای صفحه بعدی دیتاشیت را ترجمه کنم؟

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT سرعت بالا 5 IGBT در تکنولوژی TRENCHSTOP 5 با دیود ضد موازی سریع و نرم RAPID 1

کپی

ویژگی ها و مزایا:
ارائه فناوری H5 با سرعت بالا
  • سوئیچینگ با اتلاف فوق العاده کم به لطف پین امیتر کلین در ترکیب با TRENCHSTOP™ 5
  • بهترین راندمان در کلاس خود در توپولوژی های سوئیچینگ سخت و تشدید کننده
  • جایگزینی پلاگین و پلی برای IGBT های نسل قبلی
  • ولتاژ شکست 650 ولت
  • شارژ گیت کم QG
  • IGBT همراه با دیود ضد موازی سریع و نرم RAPID 1
  • حداکثر دمای اتصال 175 درجه سانتیگراد
  • مطابق با JEDEC برای برنامه های هدف واجد شرایط است
  • آبکاری سرب بدون سرب؛ مطابق با RoHS
  • طیف کامل محصول و مدل های PSpice:
آیا نیاز دارید که این بخش را به ترجمه حرفه ای چینی همگام کنم؟

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT سرعت بالا 5 IGBT در تکنولوژی TRENCHSTOP 5 با دیود ضد موازی سریع و نرم RAPID 1

کپی

برنامه ها
  • منابع تغذیه بدون وقفه
  • مبدل های جوشکاری
  • مبدل های فرکانس سوئیچینگ متوسط تا بالا
  • اینورترهای رشته خورشیدی
تعریف پین بسته:
  • پین C و پشت - کلکتور
  • پین E - امیتر
  • پین K - امیتر کلین
  • پین G - گیت
آیا نیاز دارید که ترجمه حرفه ای چینی مربوطه را به شما بدهم؟

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT سرعت بالا 5 IGBT در تکنولوژی TRENCHSTOP 5 با دیود ضد موازی سریع و نرم RAPID 1

کپی







حداکثر رتبه بندی