logo
سعر جيد  متصل

تفاصيل المنتجات

Created with Pixso. المنزل Created with Pixso. المنتجات Created with Pixso.
رقاقة انفينيون
Created with Pixso.

IKZ75N65EH5 إنفينيون IGBT عالي السرعة 5 IGBT بتقنية TRENCHSTOP 5 معبأة مع ديود متوازي سريع وناعم RAPID 1

IKZ75N65EH5 إنفينيون IGBT عالي السرعة 5 IGBT بتقنية TRENCHSTOP 5 معبأة مع ديود متوازي سريع وناعم RAPID 1

اسم العلامة التجارية: Infineon Chip
رقم الموديل: IKZ75N65EH5
موك: 2500
تفاصيل التغليف: 2500 قطعة/بكرة
شروط الدفع: تي/تي
معلومات مفصلة
مكان المنشأ:
الصين
نموذج:
IKZ75N65EH5
اسم المنتج:
رقاقة انفينيون
درجة حرارة التشغيل:
- 40 درجة مئوية ~ + 175 درجة مئوية
تبديد الطاقة:
395 ث
نمط التثبيت:
من خلال ثقب
الجهد القصوى لجهاز الجمع والجهاز المصدر VCEO:
650 v
القدرة على العرض:
100000
إبراز:

IKZ75N65EH5 إنفينيون IGBT

,

TRENCHSTOP 5 IGBT

,

ديود متوازي ناعم IGBT

وصف المنتج

شريحة Infineon IKZ75N65EH5 IGBT عالية السرعة 5 بتقنية TRENCHSTOP™5 مجمعة مع ديود مضاد بالتوازي RAPID 1 سريع وناعم


IGBT
IGBT عالي السرعة 5 بتقنية TRENCHSTOP™5 مجمعة مع ديود مضاد بالتوازي RAPID 1 سريع وناعم

IKZ75N65EH5
IGBT وثنائي DuoPack 650V
الجيل الخامس من سلسلة السرعة العالية

الميزات والفوائد:
تقنية H5 عالية السرعة تقدم
تبديل فائق فقدان بفضل دبوس باعث كيلفن بالاشتراك مع TRENCHSTOP™ 5
كفاءة هي الأفضل في فئتها في طوبولوجيا التبديل الصلب والرنيني
استبدال مباشر للجيل السابق من IGBTs
جهد انهيار 650 فولت
شحنة بوابة منخفضة QG
IGBT مجمع مع ديود مضاد بالتوازي RAPID 1 سريع وناعم
درجة حرارة الوصلة القصوى 175 درجة مئوية
مؤهل وفقًا لـ JEDEC للتطبيقات المستهدفة
طلاء رصاص خالٍ من الرصاص؛ متوافق مع RoHS
طيف منتج كامل ونماذج PSpice

التطبيقات
مزودات الطاقة غير المنقطعة
محولات اللحام
محولات تردد التبديل من متوسط إلى عالي المدى
محولات سلسلة الطاقة الشمسية

تعريف دبوس الحزمة
الدبوس C & الخلفي - المجمع
الدبوس E - الباعث
الدبوس K - باعث كيلفن
الدبوس G - البوابة

الحد الأقصى للتقييماتIKZ75N65EH5 إنفينيون IGBT عالي السرعة 5 IGBT بتقنية TRENCHSTOP 5 معبأة مع ديود متوازي سريع وناعم RAPID 1
المقاومة الحرارية
IKZ75N65EH5 إنفينيون IGBT عالي السرعة 5 IGBT بتقنية TRENCHSTOP 5 معبأة مع ديود متوازي سريع وناعم RAPID 1

IKZ75N65EH5 إنفينيون IGBT عالي السرعة 5 IGBT بتقنية TRENCHSTOP 5 معبأة مع ديود متوازي سريع وناعم RAPID 1

ما هو المعنى

ابحث عن كلمتين رئيسيتين، ارجع إلى 7 مواد

النص الأصلي

IGBT

IGBT عالي السرعة 5 بتقنية TRENCHSTOP™5 مجمعة مع ديود مضاد بالتوازي RAPID 1 سريع وناعم
IKZ75N65EH5

IGBT وثنائي DuoPack 650V

الجيل الخامس من سلسلة السرعة العالية

ترجمة صينية (طريقة الترجمة القياسية لبيانات Infineon)

IGBT

الجيل الخامس من IGBT عالي السرعة بتقنية TRENCHSTOP™5، مدمج مع ديود مضاد بالتوازي RAPID 1 سريع وناعم
IKZ75N65EH5

IGBT وثنائي DuoPack 650V

الجيل الخامس من سلسلة السرعة العالية

شرح موجز

  1. IGBT: أنبوب بلوري ثنائي القطب عالي الطاقة، مفتاح طاقة، يستخدم في العواكس، آلات اللحام، مصادر الطاقة
  2. TRENCHSTOP™5: تقنية Infineon الحصرية لـ IGBT من الجيل الخامس من نوع Trench، تركز على تقليل خسائر التشغيل، والتبديل السريع عالي السرعة
  3. مجمع: مجمع، في نفس الرقاقة، يوضع IGBT + ديود مضاد بالتوازي في نفس الحزمة
  4. ديود مضاد بالتوازي سريع وناعم: ديود مضاد بالتوازي سريع وناعم (ديود مضاد بالتوازي، يمتص التيار العكسي عند إيقاف التشغيل، استرداد ناعم يمكن أن يقلل من ذروة الجهد، ويقلل من تداخل EMI)
  5. DuoPack: اسم حزمة Infineon، يجمع بين IGBT + ديود مضاد بالتوازي في حزمة واحدة
  6. 650 فولت: جهد تصنيف الجهاز 650 فولت
  7. الجيل الخامس من سلسلة السرعة العالية (H5): سلسلة H5 عالية السرعة من الجيل الخامس، مناسبة لتطبيقات التبديل عالية التردد (UPS، الطاقة الشمسية، الطاقة الصناعية، إلخ)

معلمات أساسية للجهاز

طراز IKZ75N65EH5، تيار مستمر 75 أمبير عند 100 درجة مئوية، ذروة 90 أمبير عند 25 درجة مئوية، حزمة TO247-4، مع دبوس باعث كيلفن، مناسب لتطبيقات الطاقة الصناعية عالية الترددInfineon.
هل تحتاج إلى ترجمة مستمرة لمحتوى الصفحة التالية من بيانات Infineon؟

IKZ75N65EH5 إنفينيون IGBT عالي السرعة 5 IGBT بتقنية TRENCHSTOP 5 معبأة مع ديود متوازي سريع وناعم RAPID 1

نسخ

الميزات والفوائد:
تقنية H5 عالية السرعة تقدم
  • تبديل فائق فقدان بفضل دبوس باعث كيلفن بالاشتراك مع TRENCHSTOP™ 5
  • كفاءة هي الأفضل في فئتها في طوبولوجيا التبديل الصلب والرنيني
  • استبدال مباشر للجيل السابق من IGBTs
  • جهد انهيار 650 فولت
  • شحنة بوابة منخفضة QG
  • IGBT مجمع مع ديود مضاد بالتوازي RAPID 1 سريع وناعم
  • درجة حرارة الوصلة القصوى 175 درجة مئوية
  • مؤهل وفقًا لـ JEDEC للتطبيقات المستهدفة
  • طلاء رصاص خالٍ من الرصاص؛ متوافق مع RoHS
  • طيف منتج كامل ونماذج PSpice:
هل تحتاج إلى أن أقدم لك ترجمة صينية احترافية لهذه الفقرة؟

IKZ75N65EH5 إنفينيون IGBT عالي السرعة 5 IGBT بتقنية TRENCHSTOP 5 معبأة مع ديود متوازي سريع وناعم RAPID 1

نسخ

التطبيقات
  • مزودات الطاقة غير المنقطعة
  • محولات اللحام
  • محولات تردد التبديل من متوسط إلى عالي المدى
  • محولات سلسلة الطاقة الشمسية
تعريف دبوس الحزمة:
  • الدبوس C & الخلفي - المجمع
  • الدبوس E - الباعث
  • الدبوس K - باعث كيلفن
  • الدبوس G - البوابة
هل تحتاج إلى ترجمة صينية احترافية مقابلة لك؟

IKZ75N65EH5 إنفينيون IGBT عالي السرعة 5 IGBT بتقنية TRENCHSTOP 5 معبأة مع ديود متوازي سريع وناعم RAPID 1

نسخ







الحد الأقصى للتقييمات