شريحة Infineon IKZ75N65EH5 IGBT عالية السرعة 5 بتقنية TRENCHSTOP™5 مجمعة مع ديود مضاد بالتوازي RAPID 1 سريع وناعم
IGBT
IGBT عالي السرعة 5 بتقنية TRENCHSTOP™5 مجمعة مع ديود مضاد بالتوازي RAPID 1 سريع وناعم
IKZ75N65EH5
IGBT وثنائي DuoPack 650V
الجيل الخامس من سلسلة السرعة العالية
الميزات والفوائد:
تقنية H5 عالية السرعة تقدم
تبديل فائق فقدان بفضل دبوس باعث كيلفن بالاشتراك مع TRENCHSTOP™ 5
كفاءة هي الأفضل في فئتها في طوبولوجيا التبديل الصلب والرنيني
استبدال مباشر للجيل السابق من IGBTs
جهد انهيار 650 فولت
شحنة بوابة منخفضة QG
IGBT مجمع مع ديود مضاد بالتوازي RAPID 1 سريع وناعم
درجة حرارة الوصلة القصوى 175 درجة مئوية
مؤهل وفقًا لـ JEDEC للتطبيقات المستهدفة
طلاء رصاص خالٍ من الرصاص؛ متوافق مع RoHS
طيف منتج كامل ونماذج PSpice
التطبيقات مزودات الطاقة غير المنقطعة محولات اللحام محولات تردد التبديل من متوسط إلى عالي المدى محولات سلسلة الطاقة الشمسية
تعريف دبوس الحزمة
الدبوس C & الخلفي - المجمع
الدبوس E - الباعث
الدبوس K - باعث كيلفن
الدبوس G - البوابة
الحد الأقصى للتقييمات
المقاومة الحرارية
ما هو المعنى
ابحث عن كلمتين رئيسيتين، ارجع إلى 7 مواد
النص الأصلي
IGBT
IGBT عالي السرعة 5 بتقنية TRENCHSTOP™5 مجمعة مع ديود مضاد بالتوازي RAPID 1 سريع وناعم
IKZ75N65EH5
IGBT وثنائي DuoPack 650V
الجيل الخامس من سلسلة السرعة العالية
ترجمة صينية (طريقة الترجمة القياسية لبيانات Infineon)
IGBT
الجيل الخامس من IGBT عالي السرعة بتقنية TRENCHSTOP™5، مدمج مع ديود مضاد بالتوازي RAPID 1 سريع وناعم
IKZ75N65EH5
IGBT وثنائي DuoPack 650V
الجيل الخامس من سلسلة السرعة العالية
شرح موجز
IGBT: أنبوب بلوري ثنائي القطب عالي الطاقة، مفتاح طاقة، يستخدم في العواكس، آلات اللحام، مصادر الطاقة
TRENCHSTOP™5: تقنية Infineon الحصرية لـ IGBT من الجيل الخامس من نوع Trench، تركز على تقليل خسائر التشغيل، والتبديل السريع عالي السرعة
مجمع: مجمع، في نفس الرقاقة، يوضع IGBT + ديود مضاد بالتوازي في نفس الحزمة
ديود مضاد بالتوازي سريع وناعم: ديود مضاد بالتوازي سريع وناعم (ديود مضاد بالتوازي، يمتص التيار العكسي عند إيقاف التشغيل، استرداد ناعم يمكن أن يقلل من ذروة الجهد، ويقلل من تداخل EMI)
DuoPack: اسم حزمة Infineon، يجمع بين IGBT + ديود مضاد بالتوازي في حزمة واحدة
650 فولت: جهد تصنيف الجهاز 650 فولت
الجيل الخامس من سلسلة السرعة العالية (H5): سلسلة H5 عالية السرعة من الجيل الخامس، مناسبة لتطبيقات التبديل عالية التردد (UPS، الطاقة الشمسية، الطاقة الصناعية، إلخ)
معلمات أساسية للجهاز
طراز IKZ75N65EH5، تيار مستمر 75 أمبير عند 100 درجة مئوية، ذروة 90 أمبير عند 25 درجة مئوية، حزمة TO247-4، مع دبوس باعث كيلفن، مناسب لتطبيقات الطاقة الصناعية عالية الترددInfineon.
هل تحتاج إلى ترجمة مستمرة لمحتوى الصفحة التالية من بيانات Infineon؟
نسخ
الميزات والفوائد:
تقنية H5 عالية السرعة تقدم
تبديل فائق فقدان بفضل دبوس باعث كيلفن بالاشتراك مع TRENCHSTOP™ 5
كفاءة هي الأفضل في فئتها في طوبولوجيا التبديل الصلب والرنيني
استبدال مباشر للجيل السابق من IGBTs
جهد انهيار 650 فولت
شحنة بوابة منخفضة QG
IGBT مجمع مع ديود مضاد بالتوازي RAPID 1 سريع وناعم
درجة حرارة الوصلة القصوى 175 درجة مئوية
مؤهل وفقًا لـ JEDEC للتطبيقات المستهدفة
طلاء رصاص خالٍ من الرصاص؛ متوافق مع RoHS
طيف منتج كامل ونماذج PSpice:
هل تحتاج إلى أن أقدم لك ترجمة صينية احترافية لهذه الفقرة؟