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detalhes dos produtos

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Chip Infineon
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IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Alta velocidade 5 IGBT em tecnologia TRENCHSTOP 5 copacotado com díodo antiparalelo rápido e suave RAPID 1

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Alta velocidade 5 IGBT em tecnologia TRENCHSTOP 5 copacotado com díodo antiparalelo rápido e suave RAPID 1

Marca: Infineon Chip
Número do modelo: ICZ75N65EH5
Quantidade mínima: 2500
Detalhes da embalagem: 2500 unidades/carretel
Condições de pagamento: T/T
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
modelo:
ICZ75N65EH5
Nome do produto:
Chip Infineon
Temperatura operacional:
- 40 °C ~ + 175 °C
Dissipação de energia:
395 W
Estilo de instalação:
Através do buraco
tensão máxima VCEO do Coletor-emissor:
650 V
Habilidade da fonte:
100.000
Destacar:

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT

,

TRENCHSTOP 5 IGBT

,

Díodo Antiparalelo Suave IGBT

Descrição do produto

Chip Infineon IKZ75N65EH5 IGBT de alta velocidade 5 em tecnologia TRENCHSTOP™5 copacotado com diodo antiparalelo rápido e suave RAPID 1


IGBT
IGBT de alta velocidade 5 em tecnologia TRENCHSTOP™5 copacotado com diodo antiparalelo rápido e suave RAPID 1

IKZ75N65EH5
IGBT e diodo DuoPack de 650V
Série de alta velocidade quinta geração

Recursos e Benefícios:
Oferta de tecnologia H5 de alta velocidade
Comutação de perdas ultrabaixas graças ao pino emissor Kelvin em combinação com TRENCHSTOP™ 5
Eficiência líder de classe em topologias de comutação dura e ressonante
Substituição plug and play de IGBTs de geração anterior
Tensão de ruptura de 650V
Baixa carga de gate QG
IGBT copacotado com diodo antiparalelo rápido e suave RAPID 1
Temperatura máxima da junção 175°C
Qualificado de acordo com JEDEC para aplicações alvo
Revestimento de chumbo sem Pb; compatível com RoHS
Espectro completo de produtos e modelos PSpice

Aplicações
Fontes de alimentação ininterruptas
Conversores de soldagem
Conversores de frequência de comutação de médio a alto alcance
Inversores de string solar

Definição de pinos do pacote
Pino C e parte traseira - coletor
Pino E - emissor
Pino K - emissor Kelvin
Pino G - gate

Máximos AbsolutosIKZ75N65EH5 Infineon IGBT Alta velocidade 5 IGBT em tecnologia TRENCHSTOP 5 copacotado com díodo antiparalelo rápido e suave RAPID 1
Resistência Térmica
IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Alta velocidade 5 IGBT em tecnologia TRENCHSTOP 5 copacotado com díodo antiparalelo rápido e suave RAPID 1

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Alta velocidade 5 IGBT em tecnologia TRENCHSTOP 5 copacotado com díodo antiparalelo rápido e suave RAPID 1

O que significa

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Texto original

IGBT

IGBT de alta velocidade 5 em tecnologia TRENCHSTOP™5 copacotado com diodo antiparalelo rápido e suave RAPID 1
IKZ75N65EH5

IGBT e diodo DuoPack de 650V

Série de alta velocidade quinta geração

Tradução Chinesa (Método de tradução padrão do datasheet Yingfei)

IGBT

IGBT de alta velocidade de quinta geração com tecnologia TRENCHSTOP™5, diodo antiparalelo rápido e suave RAPID 1 integrado
IKZ75N65EH5

IGBT e diodo DuoPack de 650V

Série de alta velocidade de quinta geração

Explicação simples dos termos

  1. IGBT: tubo de cristal de junção dupla de alta potência, componente de chaveamento de alta potência, comumente usado em inversores, máquinas de solda, fontes de alimentação
  2. TRENCHSTOP™5: Tecnologia proprietária de IGBT de canal N de quinta geração Yingfei, focada em baixa perda de chaveamento, chaveamento rápido
  3. copacotado: copacotado, o mesmo chip encapsulado ao mesmo tempo contém IGBT + diodo de fluxo contínuo
  4. diodo antiparalelo rápido e suave: diodo antiparalelo rápido e suave (diodo de fluxo contínuo, absorve corrente reversa durante o desligamento, recuperação suave pode reduzir picos de tensão, reduzir interferência EMI)
  5. DuoPack: Nome de um tipo de encapsulamento Yingfei, encapsulamento único integra IGBT + diodo de fluxo contínuo
  6. 650V: Tensão nominal do dispositivo 650 Volts
  7. Série de alta velocidade quinta geração(H5): Série H5 de quinta geração de alta velocidade, adequada para aplicações de chaveamento de alta frequência (UPS, energia solar, fontes de alimentação industriais, etc.)

Parâmetros principais do dispositivo

Modelo IKZ75N65EH5, corrente contínua do coletor 75A a 100°C, pico de 90A a 25°C, encapsulamento TO247-4, com pino emissor Kelvin, adequado para aplicações de fonte de alimentação industrial de alta frequênciaYingfei.
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IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Alta velocidade 5 IGBT em tecnologia TRENCHSTOP 5 copacotado com díodo antiparalelo rápido e suave RAPID 1

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Recursos e Benefícios:
Oferta de tecnologia H5 de alta velocidade
  • Comutação de perdas ultrabaixas graças ao pino emissor Kelvin em combinação com TRENCHSTOP™ 5
  • Eficiência líder de classe em topologias de comutação dura e ressonante
  • Substituição plug and play de IGBTs de geração anterior
  • Tensão de ruptura de 650V
  • Baixa carga de gate QG
  • IGBT copacotado com diodo antiparalelo rápido e suave RAPID 1
  • Temperatura máxima da junção 175°C
  • Qualificado de acordo com JEDEC para aplicações alvo
  • Revestimento de chumbo sem Pb; compatível com RoHS
  • Espectro completo de produtos e modelos PSpice:
Você precisa que eu forneça a tradução profissional chinesa correspondente para este trecho?

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Alta velocidade 5 IGBT em tecnologia TRENCHSTOP 5 copacotado com díodo antiparalelo rápido e suave RAPID 1

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Aplicações
  • Fontes de alimentação ininterruptas
  • Conversores de soldagem
  • Conversores de frequência de comutação de médio a alto alcance
  • Inversores de string solar
Definição de pinos do pacote:
  • Pino C e parte traseira - coletor
  • Pino E - emissor
  • Pino K - emissor Kelvin
  • Pino G - gate
Você precisa que eu forneça a tradução profissional chinesa correspondente para você?

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Alta velocidade 5 IGBT em tecnologia TRENCHSTOP 5 copacotado com díodo antiparalelo rápido e suave RAPID 1

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Máximos Absolutos