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제품 세부 정보

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인피니언 칩
Created with Pixso.

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT 고속 5 IGBT TRENCHSTOP 5 기술 RAPID 1 고속 및 소프트 병렬 방지 다이오드와 함께 패키지됨

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT 고속 5 IGBT TRENCHSTOP 5 기술 RAPID 1 고속 및 소프트 병렬 방지 다이오드와 함께 패키지됨

브랜드 이름: Infineon Chip
모델 번호: IKZ75N65EH5
MOQ: 2500
포장 세부사항: 2500PCS/릴
지불 조건: 티/티
상세 정보
원래 장소:
중국
모델:
IKZ75N65EH5
제품명:
인피니언 칩
작동 온도:
- 40°C ~ + 175°C
전력 소비:
395 w
설치 스타일:
구멍을 통해
콜렉터-에미터 최대 전압 VCEO:
650 v
공급 능력:
100000
강조하다:

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT

,

TRENCHSTOP 5 IGBT

,

소프트 병렬 방지 다이오드 IGBT

제품 설명

TRENCHSTOP®5 기술이 적용된 IKZ75N65EH5 고속 5 IGBT, RAPID 1 고속 및 소프트 역병렬 다이오드와 함께 패키징됨


IGBT
TRENCHSTOP®5 기술이 적용된 고속 5 IGBT, RAPID 1 고속 및 소프트 역병렬 다이오드와 함께 패키징됨

IKZ75N65EH5
650V 듀오팩 IGBT 및 다이오드
고속 5세대 시리즈

주요 특징 및 장점:
고속 H5 기술 제공
켈빈 이미터 핀과 TRENCHSTOP® 5의 조합으로 인한 초저 손실 스위칭
하드 스위칭 및 공진 토폴로지에서 동급 최고의 효율성
이전 세대 IGBT와의 플러그 앤 플레이 교체
650V 항복 전압
낮은 게이트 전하 QG
RAPID 1 고속 및 소프트 역병렬 다이오드와 함께 패키징된 IGBT
최대 접합 온도 175°C
대상 애플리케이션에 대한 JEDEC 표준 준수
Pb-free 리드 도금; RoHS 준수
완전한 제품 스펙트럼 및 PSpice 모델

애플리케이션
무정전 전원 장치
용접 컨버터
중간~고주파 스위칭 주파수 컨버터
태양광 스트링 인버터

패키지 핀 정의
핀 C 및 후면 - 컬렉터
핀 E - 이미터
핀 K - 켈빈 이미터
핀 G - 게이트

최대 정격IKZ75N65EH5 Infineon IGBT 고속 5 IGBT TRENCHSTOP 5 기술 RAPID 1 고속 및 소프트 병렬 방지 다이오드와 함께 패키지됨
열 저항
IKZ75N65EH5 Infineon IGBT 고속 5 IGBT TRENCHSTOP 5 기술 RAPID 1 고속 및 소프트 병렬 방지 다이오드와 함께 패키지됨

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT 고속 5 IGBT TRENCHSTOP 5 기술 RAPID 1 고속 및 소프트 병렬 방지 다이오드와 함께 패키지됨

무엇을 의미하는가

2개의 키워드 검색, 7개의 자료 참조

원본 텍스트

IGBT

TRENCHSTOP®5 기술이 적용된 고속 5 IGBT, RAPID 1 고속 및 소프트 역병렬 다이오드와 함께 패키징됨
IKZ75N65EH5

650V 듀오팩 IGBT 및 다이오드

고속 5세대 시리즈

중국어 번역 (영문 데이터시트 표준 번역법)

IGBT

TRENCHSTOP®5 기술을 사용하는 5세대 고속 IGBT, RAPID 1 고속 소프트 리커버리 역병렬 다이오드와 함께 통합 패키징됨
IKZ75N65EH5

650V 듀오팩 통합 IGBT 및 다이오드

고속 시리즈 5세대

용어 간략 해설

  1. IGBT: 절연 게이트 양극성 트랜지스터, 고전력 스위칭 소자, 인버터, 용접기, 전원 공급 장치에 사용됨
  2. TRENCHSTOP®5: Infineon의 5세대 트렌치형 IGBT 독점 기술, 낮은 온 상태 손실, 고속 하드 스위칭에 최적화됨
  3. copacked: 통합 패키징, 동일 칩에 IGBT + 프리휠링 다이오드를 동시에 패키징함
  4. fast and soft antiparallel diode: 고속 소프트 리커버리 역병렬 다이오드 (프리휠링 다이오드, 스위칭 시 역방향 전류를 흡수, 소프트 리커버리는 전압 스파이크를 낮추고 EMI 간섭을 줄일 수 있음)
  5. DuoPack: Infineon의 패키지 명칭, IGBT + 프리휠링 다이오드를 통합한 단일 패키지
  6. 650V: 소자 정격 내압 650 볼트
  7. High speed series fifth generation(H5): 고속 5세대 H5 시리즈, 고주파 하드 스위칭 (UPS, 태양광, 산업용 전원 등)에 적합

소자 핵심 파라미터

모델명 IKZ75N65EH5, 100°C에서 연속 컬렉터 전류 75A, 25°C에서 피크 전류 90A, TO247-4 리드 패키지, 켈빈 이미터 핀 포함, 고주파 산업용 전원 애플리케이션에 적합Infineon.
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IKZ75N65EH5 Infineon IGBT 고속 5 IGBT TRENCHSTOP 5 기술 RAPID 1 고속 및 소프트 병렬 방지 다이오드와 함께 패키지됨

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주요 특징 및 장점:
고속 H5 기술 제공
  • 켈빈 이미터 핀과 TRENCHSTOP® 5의 조합으로 인한 초저 손실 스위칭
  • 하드 스위칭 및 공진 토폴로지에서 동급 최고의 효율성
  • 이전 세대 IGBT와의 플러그 앤 플레이 교체
  • 650V 항복 전압
  • 낮은 게이트 전하 QG
  • RAPID 1 고속 및 소프트 역병렬 다이오드와 함께 패키징된 IGBT
  • 최대 접합 온도 175°C
  • 대상 애플리케이션에 대한 JEDEC 표준 준수
  • Pb-free 리드 도금; RoHS 준수
  • 완전한 제품 스펙트럼 및 PSpice 모델:
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IKZ75N65EH5 Infineon IGBT 고속 5 IGBT TRENCHSTOP 5 기술 RAPID 1 고속 및 소프트 병렬 방지 다이오드와 함께 패키지됨

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애플리케이션
  • 무정전 전원 장치
  • 용접 컨버터
  • 중간~고주파 스위칭 주파수 컨버터
  • 태양광 스트링 인버터
패키지 핀 정의:
  • 핀 C 및 후면 - 컬렉터
  • 핀 E - 이미터
  • 핀 K - 켈빈 이미터
  • 핀 G - 게이트
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