logo
Harga bagus  On line

rincian produk

Created with Pixso. Rumah Created with Pixso. Produk Created with Pixso.
Chip Infineon
Created with Pixso.

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Kecepatan tinggi 5 IGBT dalam teknologi TRENCHSTOP 5 yang dikemas dengan RAPID 1 antidiode paralel cepat dan lunak

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Kecepatan tinggi 5 IGBT dalam teknologi TRENCHSTOP 5 yang dikemas dengan RAPID 1 antidiode paralel cepat dan lunak

Nama Merek: Infineon Chip
Nomor Model: IKZ75N65EH5
MOQ: 2500
Detail Kemasan: 2500 buah/gulungan
Ketentuan Pembayaran: T/T
Informasi Rinci
Tempat asal:
Tiongkok
model:
IKZ75N65EH5
Nama Produk:
Chip Infineon
Suhu Operasional:
- 40 °C ~ + 175 °C
Pembuangan Daya:
395 w
Gaya instalasi:
Melalui lubang
Tegangan maksimum kolektor-emitter VCEO:
650 v
Menyediakan kemampuan:
100.000
Menyoroti:

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT

,

Trenchstop 5 IGBT

,

Soft Antiparallel Diode IGBT

Deskripsi Produk

Infineon Chip IKZ75N65EH5 IGBT Kecepatan Tinggi 5 dalam teknologi TRENCHSTOP™5 dikemas bersama dengan dioda antiparalel RAPID 1 yang cepat dan lunak


IGBT
IGBT Kecepatan Tinggi 5 dalam teknologi TRENCHSTOP™5 dikemas bersama dengan dioda antiparalel RAPID 1 yang cepat dan lunak

IKZ75N65EH5
IGBT dan dioda DuoPack 650V
Generasi kelima seri kecepatan tinggi

Fitur dan Keunggulan:
Penawaran teknologi H5 kecepatan tinggi
Peralihan rugi ultra rendah berkat pin emitor Kelvin dalam kombinasi dengan TRENCHSTOP™ 5
Efisiensi terbaik di kelasnya dalam topologi switching keras dan resonan
Penggantian plug and play IGBT generasi sebelumnya
Tegangan tembus 650V
Muatan gerbang rendah QG
IGBT dikemas bersama dengan dioda antiparalel RAPID 1 yang cepat dan lunak
Suhu sambungan maksimum 175°C
Berkualifikasi menurut JEDEC untuk aplikasi target
Pelapisan timah bebas Pb; Sesuai RoHS
Spektrum produk lengkap dan Model PSpice

Aplikasi
Catu daya tak terputus
Konverter pengelasan
Konverter frekuensi switching rentang menengah hingga tinggi
Inverter string surya

Definisi pin paket
Pin C & bagian belakang - kolektor
Pin E - emitor
Pin K - emitor Kelvin
Pin G - gerbang

Peringkat MaksimumIKZ75N65EH5 Infineon IGBT Kecepatan tinggi 5 IGBT dalam teknologi TRENCHSTOP 5 yang dikemas dengan RAPID 1 antidiode paralel cepat dan lunak
Resistansi Termal
IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Kecepatan tinggi 5 IGBT dalam teknologi TRENCHSTOP 5 yang dikemas dengan RAPID 1 antidiode paralel cepat dan lunak

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Kecepatan tinggi 5 IGBT dalam teknologi TRENCHSTOP 5 yang dikemas dengan RAPID 1 antidiode paralel cepat dan lunak

Apa artinya

Cari 2 kata kunci, rujuk 7 materi

Teks asli

IGBT

IGBT Kecepatan Tinggi 5 dalam teknologi TRENCHSTOP™5 dikemas bersama dengan dioda antiparalel RAPID 1 yang cepat dan lunak
IKZ75N65EH5

IGBT dan dioda DuoPack 650V

Generasi kelima seri kecepatan tinggi

Terjemahan Bahasa Mandarin (Metode terjemahan standar datasheet Yingfei)

IGBT

IGBT kecepatan tinggi generasi kelima dengan teknologi TRENCHSTOP™5, dilengkapi dengan dioda antiparalel RAPID 1 yang cepat dan lunak
IKZ75N65EH5

IGBT dan dioda paket ganda DuoPack 650V

Generasi kelima seri kecepatan tinggi

Penjelasan istilah

  1. IGBT: Tabung kristal semikonduktor sakelar daya tipe ganda, komponen sakelar daya, umum digunakan dalam inverter, mesin las, catu daya
  2. TRENCHSTOP™5: Teknologi eksklusif IGBT tipe trench generasi kelima Yingfei, terutama berfokus pada kerugian switching rendah, switching frekuensi tinggi
  3. dikemas bersama: Dikemas bersama, dioda IGBT + aliran kontinu ditempatkan dalam paket wafer yang sama pada saat yang sama
  4. dioda antiparalel cepat dan lunak: Dioda antiparalel cepat dan lunak (dioda aliran kontinu, menyerap lonjakan tegangan balik saat dimatikan, pemulihan lunak dapat mengurangi lonjakan tegangan, mengurangi interferensi EMI)
  5. DuoPack: Nama paket Yingfei, paket tunggal mengintegrasikan IGBT + dioda aliran kontinu
  6. 650V: Tegangan pengenal perangkat 650 Volt
  7. Generasi kelima seri kecepatan tinggi(H5): Seri H5 generasi kelima kecepatan tinggi, cocok untuk aplikasi switching frekuensi tinggi (UPS, tenaga surya, catu daya industri, dll.)

Parameter inti perangkat

Model IKZ75N65EH5, arus kolektor kontinu 75A pada 100°C, arus puncak 90A pada 25°C, paket lead TO247-4, dengan pin emitor Kelvin, cocok untuk aplikasi catu daya industri frekuensi tinggiYingfei.
Apakah Anda perlu saya menerjemahkan konten halaman berikutnya dari datasheet ini?

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Kecepatan tinggi 5 IGBT dalam teknologi TRENCHSTOP 5 yang dikemas dengan RAPID 1 antidiode paralel cepat dan lunak

Salin

Fitur dan Keunggulan:
Penawaran teknologi H5 kecepatan tinggi
  • Peralihan rugi ultra rendah berkat pin emitor Kelvin dalam kombinasi dengan TRENCHSTOP™ 5
  • Efisiensi terbaik di kelasnya dalam topologi switching keras dan resonan
  • Penggantian plug and play IGBT generasi sebelumnya
  • Tegangan tembus 650V
  • Muatan gerbang rendah QG
  • IGBT dikemas bersama dengan dioda antiparalel RAPID 1 yang cepat dan lunak
  • Suhu sambungan maksimum 175°C
  • Berkualifikasi menurut JEDEC untuk aplikasi target
  • Pelapisan timah bebas Pb; Sesuai RoHS
  • Spektrum produk lengkap dan Model PSpice:
Apakah Anda perlu saya memberikan terjemahan profesional Bahasa Mandarin untuk bagian ini secara sinkron?

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Kecepatan tinggi 5 IGBT dalam teknologi TRENCHSTOP 5 yang dikemas dengan RAPID 1 antidiode paralel cepat dan lunak

Salin

Aplikasi
  • Catu daya tak terputus
  • Konverter pengelasan
  • Konverter frekuensi switching rentang menengah hingga tinggi
  • Inverter string surya
Definisi pin paket:
  • Pin C & bagian belakang - kolektor
  • Pin E - emitor
  • Pin K - emitor Kelvin
  • Pin G - gerbang
Apakah Anda perlu saya memberikan terjemahan profesional Bahasa Mandarin yang sesuai untuk Anda?

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT Kecepatan tinggi 5 IGBT dalam teknologi TRENCHSTOP 5 yang dikemas dengan RAPID 1 antidiode paralel cepat dan lunak

Salin







Peringkat Maksimum