Infineon Chip IKZ75N65EH5 हाई स्पीड 5 IGBT TRENCHSTOP™5 तकनीक में RAPID 1 फास्ट और सॉफ्ट एंटीपैरेलल डायोड के साथ कोपैक्ड
IGBT
TRENCHSTOP™5 तकनीक में हाई स्पीड 5 IGBT RAPID 1 फास्ट और सॉफ्ट एंटीपैरेलल डायोड के साथ कोपैक्ड
IKZ75N65EH5
650V डुओपैक IGBT और डायोड
हाई स्पीड सीरीज फिफ्थ जनरेशन
विशेषताएं और लाभ:
हाई स्पीड H5 तकनीक की पेशकश
TRENCHSTOP™ 5 के साथ केल्विन एमिटर पिन के संयोजन के कारण अल्ट्रा लो लॉस स्विचिंग
हार्ड स्विचिंग और रेजोनेंट टोपोलॉजी में बेस्ट-इन-क्लास एफिशिएंसी
पिछली पीढ़ी के IGBTs का प्लग एंड प्ले रिप्लेसमेंट
650V ब्रेकडाउन वोल्टेज
लो गेट चार्ज QG
RAPID 1 फास्ट और सॉफ्ट एंटीपैरेलल डायोड के साथ कोपैक्ड IGBT
अधिकतम जंक्शन तापमान 175°C
लक्षित अनुप्रयोगों के लिए JEDEC के अनुसार योग्य
Pb-free लीड प्लेटिंग; RoHS कंप्लायंट
पूर्ण उत्पाद स्पेक्ट्रम और PSpice मॉडल
अनुप्रयोग अनइंटरप्टिबल पावर सप्लाई वेल्डिंग कन्वर्टर्स मध्य से उच्च रेंज स्विचिंग फ्रीक्वेंसी कन्वर्टर्स सोलर स्ट्रिंग इन्वर्टर
पैकेज पिन परिभाषा
पिन C और बैकसाइड - कलेक्टर
पिन E - एमिटर
पिन K - केल्विन एमिटर
पिन G - गेट
अधिकतम रेटिंग
थर्मल रेजिस्टेंस
क्या मतलब है
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मूल पाठ
IGBT
TRENCHSTOP™5 तकनीक में हाई स्पीड 5 IGBT RAPID 1 फास्ट और सॉफ्ट एंटीपैरेलल डायोड के साथ कोपैक्ड
IKZ75N65EH5
650V डुओपैक IGBT और डायोड
हाई स्पीड सीरीज फिफ्थ जनरेशन
चीनी अनुवाद (इंग्लिश डेटाशीट मानक अनुवाद विधि)
IGBT
TRENCHSTOP™5 तकनीक का उपयोग करने वाली पांचवीं पीढ़ी की हाई-स्पीड IGBT, आंतरिक रूप से RAPID 1 फास्ट सॉफ्ट रिकवरी एंटी-पैरेलल डायोड के साथ को-पैकेज्ड
IKZ75N65EH5
650V डुओपैक IGBT और एंटी-पैरेलल डायोड
हाई-स्पीड सीरीज फिफ्थ जनरेशन
संक्षिप्त व्याख्या
IGBT:
डबल-टर्मिनल क्रिस्टल ट्यूब, हाई-पावर स्विचिंग डिवाइस, इनवर्टर, वेल्डिंग मशीन, पावर सप्लाई के लिए उपयोग किया जाता है
TRENCHSTOP™5:
इंग्लिश पांचवीं पीढ़ी की ट्रेंच IGBT पेटेंट तकनीक, मुख्य रूप से कम स्विचिंग लॉस, हाई-स्पीड हार्ड स्विचिंग पर ध्यान केंद्रित करती है
copacked:
को-पैकेज्ड, एक ही चिप पर एक साथ पैक किया गया IGBT + डायोड
फास्ट और सॉफ्ट एंटीपैरेलल डायोड:
फास्ट सॉफ्ट रिकवरी एंटी-पैरेलल डायोड (डायोड, स्विचिंग के दौरान रिवर्स करंट को अवशोषित करता है, सॉफ्ट रिकवरी वोल्टेज स्पाइक्स को कम कर सकती है, EMI हस्तक्षेप को कम कर सकती है)
DuoPack:
इंग्लिश एक पैकेजिंग नाम, सिंगल पैकेज इंटीग्रेटिंग IGBT + डायोड
650V:
डिवाइस रेटेड वोल्टेज 650 वोल्ट
हाई स्पीड सीरीज फिफ्थ जनरेशन (H5):
हाई-स्पीड फिफ्थ जनरेशन H5 सीरीज, हाई-फ्रीक्वेंसी हार्ड स्विचिंग (UPS, फोटोवोल्टिक, इंडस्ट्रियल पावर सप्लाई आदि) के लिए उपयुक्त
डिवाइस कोर पैरामीटर्स
मॉडल IKZ75N65EH5, 100°C पर कंटीन्यूअस कलेक्टर करंट 75A, 25°C पर पीक 90A, TO247-4 लीड पैकेज, केल्विन एमिटर के साथ, हाई-फ्रीक्वेंसी इंडस्ट्रियल पावर सप्लाई एप्लीकेशन के लिए उपयुक्तइंग्लिश.
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विशेषताएं और लाभ:
हाई स्पीड H5 तकनीक की पेशकश
TRENCHSTOP™ 5 के साथ केल्विन एमिटर पिन के संयोजन के कारण अल्ट्रा लो लॉस स्विचिंग
हार्ड स्विचिंग और रेजोनेंट टोपोलॉजी में बेस्ट-इन-क्लास एफिशिएंसी
पिछली पीढ़ी के IGBTs का प्लग एंड प्ले रिप्लेसमेंट
650V ब्रेकडाउन वोल्टेज
लो गेट चार्ज QG
RAPID 1 फास्ट और सॉफ्ट एंटीपैरेलल डायोड के साथ कोपैक्ड IGBT
अधिकतम जंक्शन तापमान 175°C
लक्षित अनुप्रयोगों के लिए JEDEC के अनुसार योग्य
Pb-free लीड प्लेटिंग; RoHS कंप्लायंट
पूर्ण उत्पाद स्पेक्ट्रम और PSpice मॉडल:
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अनुप्रयोग
अनइंटरप्टिबल पावर सप्लाई
वेल्डिंग कन्वर्टर्स
मध्य से उच्च रेंज स्विचिंग फ्रीक्वेंसी कन्वर्टर्स
सोलर स्ट्रिंग इन्वर्टर
पैकेज पिन परिभाषा:
पिन C और बैकसाइड - कलेक्टर
पिन E - एमिटर
पिन K - केल्विन एमिटर
पिन G - गेट
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