logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
อินฟิเนียนชิป
Created with Pixso.

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT ความเร็วสูง 5 IGBT ในเทคโนโลยี TRENCHSTOP 5 ที่บรรจุร่วมกับ RAPID 1 ไดโอด antiparallel ที่รวดเร็วและอ่อนนุ่ม

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT ความเร็วสูง 5 IGBT ในเทคโนโลยี TRENCHSTOP 5 ที่บรรจุร่วมกับ RAPID 1 ไดโอด antiparallel ที่รวดเร็วและอ่อนนุ่ม

ชื่อแบรนด์: Infineon Chip
หมายเลขรุ่น: IKZ75N65EH5
ขั้นต่ำ: 2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: 2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
เอกสาร:
แบบอย่าง:
IKZ75N65EH5
ชื่อสินค้า:
อินฟิเนียนชิป
อุณหภูมิในการทำงาน:
- 40 องศาเซลเซียส ~ + 175 องศาเซลเซียส
การกระจายพลังงาน:
395 วัตต์
รูปแบบการติดตั้ง:
ผ่านรู
VCEO แรงดันไฟฟ้าสูงสุดของตัวสะสมและตัวปล่อย:
650 โวลต์
สามารถในการผลิต:
100000
เน้น:

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT

,

TRENCHSTOP 5 IGBT

,

Soft Antiparallel Diode IGBT

รายละเอียดสินค้า

Infineon Chip IKZ75N65EH5 IGBT ความเร็วสูง 5 ในเทคโนโลยี TRENCHSTOP™5 พร้อมไดโอด antiparallel RAPID 1 ที่รวดเร็วและนุ่มนวล


IGBT
IGBT ความเร็วสูง 5 ในเทคโนโลยี TRENCHSTOP™5 พร้อมไดโอด antiparallel RAPID 1 ที่รวดเร็วและนุ่มนวล

IKZ75N65EH5
IGBT และไดโอด DuoPack 650V
ซีรีส์ความเร็วสูงรุ่นที่ห้า

คุณสมบัติและประโยชน์:
เทคโนโลยี H5 ความเร็วสูงนำเสนอ
การสวิตช์ที่สูญเสียต่ำเป็นพิเศษด้วยขา Kelvin emitter ร่วมกับ TRENCHSTOP™ 5
ประสิทธิภาพที่ดีที่สุดในระดับเดียวกันในโทโพโลยีแบบสวิตชิ่งแบบฮาร์ดและแบบเรโซแนนซ์
การเปลี่ยนแทน IGBT รุ่นก่อนหน้าแบบ Plug and play
แรงดันไฟฟ้าทะลุ 650V
ประจุเกตต่ำ QG
IGBT พร้อมไดโอด antiparallel RAPID 1 ที่รวดเร็วและนุ่มนวล
อุณหภูมิรอยต่อสูงสุด 175°C
ผ่านการรับรองตาม JEDEC สำหรับแอปพลิเคชันเป้าหมาย
การเคลือบตะกั่วปราศจากสารตะกั่ว; เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
สเปกตรัมผลิตภัณฑ์ที่สมบูรณ์และ PSpice Models

แอปพลิเคชัน
แหล่งจ่ายไฟสำรอง
ตัวแปลงการเชื่อม
ตัวแปลงความถี่สวิตชิ่งระดับกลางถึงสูง
อินเวอร์เตอร์สตริงโซลาร์

การกำหนดขาแพ็คเกจ
ขา C & ด้านหลัง - คอลเลคเตอร์
ขา E - อิมิตเตอร์
ขา K - เคลวิน อิมิตเตอร์
ขา G - เกต

การให้คะแนนสูงสุดIKZ75N65EH5 Infineon IGBT ความเร็วสูง 5 IGBT ในเทคโนโลยี TRENCHSTOP 5 ที่บรรจุร่วมกับ RAPID 1 ไดโอด antiparallel ที่รวดเร็วและอ่อนนุ่ม
ความต้านทานความร้อน
IKZ75N65EH5 Infineon IGBT ความเร็วสูง 5 IGBT ในเทคโนโลยี TRENCHSTOP 5 ที่บรรจุร่วมกับ RAPID 1 ไดโอด antiparallel ที่รวดเร็วและอ่อนนุ่ม

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT ความเร็วสูง 5 IGBT ในเทคโนโลยี TRENCHSTOP 5 ที่บรรจุร่วมกับ RAPID 1 ไดโอด antiparallel ที่รวดเร็วและอ่อนนุ่ม

อะไรคือความหมาย

ค้นหา 2 คำหลัก อ้างอิง 7 เอกสาร

ต้นฉบับ

IGBT

IGBT ความเร็วสูง 5 ในเทคโนโลยี TRENCHSTOP™5 พร้อมไดโอด antiparallel RAPID 1 ที่รวดเร็วและนุ่มนวล
IKZ75N65EH5

IGBT และไดโอด DuoPack 650V

ซีรีส์ความเร็วสูงรุ่นที่ห้า

การแปลภาษาจีน (วิธีการแปลมาตรฐานของ Infineon datasheet)

IGBT

IGBT ความเร็วสูงรุ่นที่ห้าที่ใช้เทคโนโลยี TRENCHSTOP™5 ซึ่งมาพร้อมกับไดโอด antiparallel RAPID 1 ที่รวดเร็วและนุ่มนวล
IKZ75N65EH5

IGBT และไดโอด DuoPack 650V

ซีรีส์ความเร็วสูงรุ่นที่ห้า

คำอธิบายที่เรียบง่าย

  1. IGBT: ทรานซิสเตอร์แบบฟิลด์เอฟเฟกต์แบบสองขั้ว, อุปกรณ์สวิตชิ่งกำลัง, ใช้กันทั่วไปในอินเวอร์เตอร์, เครื่องเชื่อม, แหล่งจ่ายไฟอุตสาหกรรม
  2. TRENCHSTOP™5: เทคโนโลยีสิทธิบัตร IGBT แบบร่องรุ่นที่ห้าของ Infineon, เน้นการลดการสูญเสียการสวิตช์, การสวิตช์แบบฮาร์ดความเร็วสูง
  3. copacked: บรรจุภัณฑ์ร่วม, ในชิปตัวเดียว บรรจุ IGBT + ไดโอดกระแสต่อเนื่อง
  4. fast and soft antiparallel diode: ไดโอด antiparallel ที่รวดเร็วและนุ่มนวล (ไดโอดกระแสต่อเนื่อง, ดูดซับกระแสไฟฟ้าแบบย้อนกลับเมื่อปิด, การกู้คืนที่นุ่มนวลสามารถลดแรงดันไฟฟ้าสูงสุด, ลดการรบกวน EMI)
  5. DuoPack: ชื่อแพ็คเกจของ Infineon, รวม IGBT + ไดโอดกระแสต่อเนื่องในแพ็คเกจเดียว
  6. 650V: แรงดันไฟฟ้าที่กำหนดของอุปกรณ์ 650 โวลต์
  7. High speed series fifth generation(H5): ซีรีส์ H5 รุ่นที่ห้าความเร็วสูง, เหมาะสำหรับการสวิตช์ความถี่สูง (UPS, พลังงานแสงอาทิตย์, แหล่งจ่ายไฟอุตสาหกรรม ฯลฯ)

พารามิเตอร์หลักของอุปกรณ์

รุ่น IKZ75N65EH5, กระแสต่อเนื่องที่ 100°C 75A, กระแสสูงสุดที่ 25°C 90A, แพ็คเกจ TO247-4, พร้อมขา Kelvin emitter, เหมาะสำหรับแอปพลิเคชันแหล่งจ่ายไฟอุตสาหกรรมความถี่สูงInfineon.
คุณต้องการให้ฉันแปลเนื้อหาในหน้าถัดไปของเอกสารนี้ต่อไปหรือไม่?

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT ความเร็วสูง 5 IGBT ในเทคโนโลยี TRENCHSTOP 5 ที่บรรจุร่วมกับ RAPID 1 ไดโอด antiparallel ที่รวดเร็วและอ่อนนุ่ม

คัดลอก

คุณสมบัติและประโยชน์:
เทคโนโลยี H5 ความเร็วสูงนำเสนอ
  • การสวิตช์ที่สูญเสียต่ำเป็นพิเศษด้วยขา Kelvin emitter ร่วมกับ TRENCHSTOP™ 5
  • ประสิทธิภาพที่ดีที่สุดในระดับเดียวกันในโทโพโลยีแบบสวิตชิ่งแบบฮาร์ดและแบบเรโซแนนซ์
  • การเปลี่ยนแทน IGBT รุ่นก่อนหน้าแบบ Plug and play
  • แรงดันไฟฟ้าทะลุ 650V
  • ประจุเกตต่ำ QG
  • IGBT พร้อมไดโอด antiparallel RAPID 1 ที่รวดเร็วและนุ่มนวล
  • อุณหภูมิรอยต่อสูงสุด 175°C
  • ผ่านการรับรองตาม JEDEC สำหรับแอปพลิเคชันเป้าหมาย
  • การเคลือบตะกั่วปราศจากสารตะกั่ว; เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
  • สเปกตรัมผลิตภัณฑ์ที่สมบูรณ์และ PSpice Models:
คุณต้องการให้ฉันให้การแปลภาษาจีนระดับมืออาชีพสำหรับส่วนนี้หรือไม่?

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT ความเร็วสูง 5 IGBT ในเทคโนโลยี TRENCHSTOP 5 ที่บรรจุร่วมกับ RAPID 1 ไดโอด antiparallel ที่รวดเร็วและอ่อนนุ่ม

คัดลอก

แอปพลิเคชัน
  • แหล่งจ่ายไฟสำรอง
  • ตัวแปลงการเชื่อม
  • ตัวแปลงความถี่สวิตชิ่งระดับกลางถึงสูง
  • อินเวอร์เตอร์สตริงโซลาร์
การกำหนดขาแพ็คเกจ:
  • ขา C & ด้านหลัง - คอลเลคเตอร์
  • ขา E - อิมิตเตอร์
  • ขา K - เคลวิน อิมิตเตอร์
  • ขา G - เกต
คุณต้องการให้ฉันให้การแปลภาษาจีนที่สอดคล้องกันหรือไม่?

IKZ75N65EH5 Infineon IGBT ความเร็วสูง 5 IGBT ในเทคโนโลยี TRENCHSTOP 5 ที่บรรจุร่วมกับ RAPID 1 ไดโอด antiparallel ที่รวดเร็วและอ่อนนุ่ม

คัดลอก







การให้คะแนนสูงสุด