logo
Dobra cena  W Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Chip Infineona
Created with Pixso.

IPA50R190CE Infineon Chip Zmniejszona zmagazynowana energia pojemności wyjściowej Eₒₛₛ Wysoce wytrzymała dioda ciała

IPA50R190CE Infineon Chip Zmniejszona zmagazynowana energia pojemności wyjściowej Eₒₛₛ Wysoce wytrzymała dioda ciała

Nazwa marki: Infineon Chip
Numer modelu: IPA50R190CE
MOQ: 2500
Szczegóły opakowania: 2500 sztuk / rolka
Warunki płatności: T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Chiny
model:
IPA50R190CE
Nazwa produktu:
Chip Infineona
Typ:
Przez dziurę
Ciągły prąd spustowy:
24,8 A
Napięcie przebicia dren-źródło:
500 v
Temperatura pracy:
- 40°C ~ + 150°C
Rozpraszanie mocy:
32 W
Możliwość Supply:
100 000
Podkreślić:

IPA50R190CE

,

IPA50R190C Infineon Chip

,

Energia pojemności wyjściowej MOSFET

Opis produktu

Infineon Chip IPA50R190CE Zredukowana zmagazynowana energia pojemności wyjściowej (Eₒₛₛ) Wysoce wytrzymała dioda


Funkcje i zalety
Zredukowana zmagazynowana energia pojemności wyjściowej (Eₒₛₛ)
Wysoce wytrzymała dioda
Zredukowany ładunek odwróconego odzyskiwania (Qᵣᵣ)
Zredukowany ładunek bramki
Ogólna wydajność
Niższe straty przełączania, poprawiona wydajność przy niskim obciążeniu
Wyższa niezawodność w trudnych warunkach pracy
Mniej podatne na twarde komutacje w topologiach rezonansowych
Poprawiona wydajność przy niskim obciążeniu
Mniejsza wymagana zdolność sterowania bramką
Łatwa kontrola pracy przełączania
Sprawdzona jakość CoolMOS™ dla wyjątkowej niezawodności

Docelowe zastosowania i topologie
IPA50R190CE Infineon Chip Zmniejszona zmagazynowana energia pojemności wyjściowej Eₒₛₛ Wysoce wytrzymała dioda ciała