logo
Καλή τιμή  Διαδικτυακά

λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
Infineon Chip
Created with Pixso.

IPA50R190CE Infineon Chip Μειωμένη αποθηκευμένη ενέργεια της χωρητικότητας εξόδου Eoss Υψηλής αντοχής διόδος σώματος

IPA50R190CE Infineon Chip Μειωμένη αποθηκευμένη ενέργεια της χωρητικότητας εξόδου Eoss Υψηλής αντοχής διόδος σώματος

Επωνυμία: Infineon Chip
Αριθμός μοντέλου: IPA50R190CE
MOQ: 2500
Λεπτομέρειες συσκευασίας: 2500 ΤΕΜ/κύλινδρο
Όροι πληρωμής: T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Κίνα
μοντέλο:
IPA50R190CE
Όνομα προϊόντος:
Infineon Chip
Τύπος:
Με τρύπα
Συνεχές ρεύμα αγωγών:
24.8 Α
Τάση διακοπής αγωγός-πηγής:
500 V
Θερμοκρασία λειτουργίας:
- 40 °C ~ + 150 °C
Διαρροή Ισχύος:
32 W
Δυνατότητα προσφοράς:
100000
Επισημαίνω:

IPA50R190CE

,

IPA50R190C Infineon Τσιπ

,

Δυνατότητα εξόδου Ενέργεια MOSFET

Περιγραφή προϊόντος

Infineon Chip IPA50R190CE Μειωμένη αποθηκευμένη ενέργεια της χωρητικότητας εξόδου (Eoss) Υψηλής αντοχής διόδος σώματος


Χαρακτηριστικά και οφέλη
Μειωμένη αποθηκευμένη ενέργεια της χωρητικότητας εξόδου (Eoss)
Υψηλής ανθεκτικότητας διοδίου σώματος
Μειωμένη αντιστροφή χρέωσης ανάκτησης (Qrr)
Μειωμένη χρέωση πύλης
Συνολική απόδοση
Μικρότερη απώλεια διακόπτη, βελτιωμένη απόδοση ελαφρού φορτίου
Μεγαλύτερη αξιοπιστία σε δύσκολες συνθήκες λειτουργίας
Λιγότερο επιρρεπείς σε σκληρή μετατροπή σε τοπολογίες συντονισμού
Βελτιωμένη απόδοση ελαφρού φορτίου
Απαιτείται λιγότερη ικανότητα κίνησης πύλης
Εύκολο έλεγχο λειτουργίας εναλλαγής
Αποδεδειγμένη ποιότητα CoolMOSTM για εξαιρετική αξιοπιστία

Στόχοι εφαρμογών και τοπολογιών
IPA50R190CE Infineon Chip Μειωμένη αποθηκευμένη ενέργεια της χωρητικότητας εξόδου Eoss Υψηλής αντοχής διόδος σώματος