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IPA50R190CE Infineon 칩 출력 커패시턴스 Eₒₛₛ의 저장 에너지 감소, 매우 견고한 바디 다이오드

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IPA50R190CE Infineon 칩 출력 커패시턴스 Eₒₛₛ의 저장 에너지 감소, 매우 견고한 바디 다이오드

브랜드 이름:	Infineon Chip
모델 번호:	IPA50R190CE
MOQ:	2500
포장 세부사항:	2500PCS/릴
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

IPA50R190CE

인피니언 칩

구멍을 통해

연속배수 경향:

24.8 A

드레인-소스 항복 전압:

500 v

작동 온도:

- 40°C ~ + 150°C

전력 소비:

공급 능력:

100000

강조하다:

IPA50R190CE

IPA50R190C Infineon 칩

출력 커패시턴스 에너지 MOSFET

제품 설명

Infineon Chip IPA50R190CE 출력 커패시턴스(Eₒₛₛ)에 저장된 에너지 감소, 매우 견고한 바디 다이오드

특징 및 장점

출력 커패시턴스(Eₒₛₛ)에 저장된 에너지 감소

매우 견고한 바디 다이오드

역회복 전하(Qᵣᵣ) 감소

게이트 전하 감소

전반적인 성능

낮은 스위칭 손실, 개선된 경부하 효율

가혹한 작동 조건에서 높은 신뢰성

공진 토폴로지에서 하드 스위칭에 덜 민감함

개선된 경부하 효율

더 적은 게이트 구동 능력 필요

쉬운 스위칭 작동 제어

뛰어난 신뢰성을 위한 입증된 CoolMOS™ 품질

대상 애플리케이션 및 토폴로지

태그:

오스람 LED 칩

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