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Einzelheiten zu den Produkten

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Infineon-Chip
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IPA50R190CE Infineon Chip Reduzierte gespeicherte Energie der Ausgangskapazität Eₒₛₛ Hochrobuste Body-Diode

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IPA50R190CE Infineon Chip Reduzierte gespeicherte Energie der Ausgangskapazität Eₒₛₛ Hochrobuste Body-Diode
  • Name

IPA50R190CE Infineon Chip Reduzierte gespeicherte Energie der Ausgangskapazität Eₒₛₛ Hochrobuste Body-Diode

Markenname: Infineon Chip
Modellnummer: IPA50R190CE
Mindestbestellmenge: 2500
Verpackungsdetails: 2500 Stück/Rolle
Zahlungsbedingungen: T/T
Detailinformationen
Produktbeschreibung
Detailinformationen
Herkunftsort:
China
Dokumentieren:
infineon_applicationnote_mo...1).pdf
Modell:
IPA50R190CE
Produktname:
Infineon-Chip
Typ:
Durch Loch
Ununterbrochener Abfluss-Strom:
24.8 A
Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
500 V
Betriebstemperatur:
- 40 °C ~ + 150 °C
Verlustleistung:
32 W
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
100000
Hervorheben:

IPA50R190CE

,

IPA50R190C Infineon Chip

,

Ausgangskapazitätsenergie MOSFET

Produktbeschreibung

Infineon Chip IPA50R190CE Reduzierte gespeicherte Energie der Ausgangskapazität (Eₒₛₛ) Hochrobuste Body-Diode


Merkmale und Vorteile
Reduzierte gespeicherte Energie der Ausgangskapazität (Eₒₛₛ)
Hochrobuste Body-Diode
Reduzierte Sperrverzögerungsladung (Qᵣᵣ)
Reduzierte Gate-Ladung
Gesamtleistung
Geringere Schaltverluste, verbesserte Leichtlast-Effizienz
Höhere Zuverlässigkeit unter rauen Betriebsbedingungen
Weniger anfällig für harte Kommutierung in resonanten Topologien
Verbesserte Leichtlast-Effizienz
Weniger Gate-Ansteuermöglichkeit erforderlich
Einfache Steuerung des Schaltbetriebs
Bewährte CoolMOS™-Qualität für herausragende Zuverlässigkeit

Zielanwendungen und Topologien
IPA50R190CE Infineon Chip Reduzierte gespeicherte Energie der Ausgangskapazität Eₒₛₛ Hochrobuste Body-Diode



Schlagworte: 

Infineon Power MOSFET  

Infineon Chip  

Infineon PFC Controller

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