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Chip Infineon

IPA50R190CE Infineon Chip Energia immagazzinata ridotta della capacità di uscita Eₒₛₛ Diodo del corpo altamente robusto

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IPA50R190CE Infineon Chip Energia immagazzinata ridotta della capacità di uscita Eₒₛₛ Diodo del corpo altamente robusto

Marchio:	Infineon Chip
Numero di modello:	IPA50R190CE
MOQ:	2500
Dettagli dell'imballaggio:	2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Documento:

modello:

IPA50R190CE

Nome del prodotto:

Chip Infineon

Tipo:

Attraverso il buco

Corrente continua dello scolo:

24.8 A

Tensione di ripartizione di Scolo-fonte:

500 v

Temperatura operativa:

-40°C~+150°C

Dissipazione di potenza:

Capacità di alimentazione:

100000

Evidenziare:

IPA50R190CE

IPA50R190C Infineon Chip

Energia della capacità di uscita MOSFET

Descrizione del prodotto

Infineon Chip IPA50R190CE Energia immagazzinata ridotta della capacità di uscita (Eₒₛₛ) Diodo del corpo altamente robusto

Caratteristiche e vantaggi

Energia immagazzinata ridotta della capacità di uscita (Eₒₛₛ)

Diodo del corpo altamente robusto

Carica di recupero inversa ridotta (Qᵣᵣ)

Carica di gate ridotta

Prestazioni complessive

Minore perdita di commutazione, migliore efficienza a basso carico

Maggiore affidabilità in condizioni operative difficili

Meno incline alla commutazione dura nelle topologie risonanti

Migliore efficienza a basso carico

Minore capacità di pilotaggio del gate richiesta

Facile controllo dell'operazione di commutazione

Qualità CoolMOS™ comprovata per un'affidabilità eccezionale

Applicazioni e topologie target

Tag:

CHIP LED OSRAM

Chip del Cree LED

Chip ST IC

Chip TI

Chip a LED Bridgelux

Chip Infineon

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Perle della lampada del LED

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