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detalhes dos produtos

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Chip Infineon
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IPA50R190CE Chip Infineon Energia armazenada reduzida da capacidade de saída Eoss Diodo de corpo altamente robusto

IPA50R190CE Chip Infineon Energia armazenada reduzida da capacidade de saída Eoss Diodo de corpo altamente robusto

Marca: Infineon Chip
Número do modelo: IPA50R190CE
Quantidade mínima: 2500
Detalhes da embalagem: 2500 unidades/carretel
Condições de pagamento: T/T
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
modelo:
IPA50R190CE
Nome do produto:
Chip Infineon
Tipo:
Através do buraco
Corrente contínua do dreno:
24.8 A
Tensão de divisão da Dreno-fonte:
500 v
Temperatura operacional:
- 40 °C ~ + 150 °C
Dissipação de energia:
32 W
Habilidade da fonte:
100.000
Destacar:

IPA50R190CE

,

IPA50R190C Chip Infineon

,

Capacidade de saída MOSFET de energia

Descrição do produto

Chip Infineon IPA50R190CE Energia armazenada reduzida da capacitância de saída (Eₒₛₛ) Diodo de corpo altamente robusto


Recursos e Benefícios
Energia armazenada reduzida da capacitância de saída (Eₒₛₛ)
Diodo de corpo altamente robusto
Carga de recuperação reversa reduzida (Qᵣᵣ)
Carga de gate reduzida
Desempenho geral
Menor perda de comutação, melhor eficiência em carga leve
Maior confiabilidade em condições operacionais severas
Menos propenso à comutação dura em topologias ressonantes
Melhor eficiência em carga leve
Menos capacidade de acionamento de gate necessária
Controle fácil da operação de comutação
Qualidade CoolMOS™ comprovada para confiabilidade excepcional

Aplicações e Topologias Alvo
IPA50R190CE Chip Infineon Energia armazenada reduzida da capacidade de saída Eoss Diodo de corpo altamente robusto