logo
Goede prijs  Online

details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
Infineon-chip
Created with Pixso.

IPA50R190CE Infineon Chip Verminderde opgeslagen energie van de uitgangscapaciteit Eoss Zeer robuuste diode

IPA50R190CE Infineon Chip Verminderde opgeslagen energie van de uitgangscapaciteit Eoss Zeer robuuste diode

Merknaam: Infineon Chip
Modelnummer: IPA50R190CE
MOQ: 2500
Verpakkingsdetails: 2500 STKS/spoel
Betalingsvoorwaarden: T/T
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
China
model:
IPA50R190CE
Productnaam:
Infineon-chip
Type:
Door gat
Ononderbroken Afvoerkanaalstroom:
24.8 A
Afvoerkanaal-bronanalysevoltage:
500 V
Bedrijfstemperatuur:
- 40 °C ~ + 150 °C
Vermogensdissipatie:
32 W
Levering vermogen:
100000
Markeren:

IPA50R190CE

,

IPA50R190C Infineon-chip

,

Uitgangscapaciteit Energie MOSFET

Productbeschrijving

Infineon Chip IPA50R190CE Verminderde opgeslagen energie van uitgangscapaciteit (Eₒₛₛ) Zeer robuuste body diode


Kenmerken en voordelen
Verminderde opgeslagen energie van uitgangscapaciteit (Eₒₛₛ)
Zeer robuuste body diode
Verminderde reverse recovery charge (Qᵣᵣ)
Verminderde gate charge
Algemene prestaties
Lager schakelverlies, verbeterde efficiëntie bij lichte belasting
Hogere betrouwbaarheid onder zware bedrijfsomstandigheden
Minder gevoelig voor harde commutatie in resonante topologieën
Verbeterde efficiëntie bij lichte belasting
Minder gate drive capaciteit vereist
Eenvoudige besturing van schakelwerking
Bewezen CoolMOS™ kwaliteit voor uitstekende betrouwbaarheid

Doelapplicaties en topologieën
IPA50R190CE Infineon Chip Verminderde opgeslagen energie van de uitgangscapaciteit Eoss Zeer robuuste diode