logo
Хорошая цена  Онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Чип Инфинеон
Created with Pixso.

IPA50R190CE Infineon Chip Сниженная запасенная энергия выходной емкости Eₒₛₛ Высокопрочный корпус диода

IPA50R190CE Infineon Chip Сниженная запасенная энергия выходной емкости Eₒₛₛ Высокопрочный корпус диода

Название бренда: Infineon Chip
Номер модели: IPA50R190CE
минимальный заказ: 2500
Детали упаковки: 2500 шт./катушка
Условия оплаты: Т/Т
Детальная информация
Место происхождения:
Китай
модель:
IPA50R190CE
Название продукта:
Чип Инфинеон
Тип:
Через дыру
Непрерывное течение стока:
24.8 А
Пробивное напряжение Сток-источника:
500 В.
Рабочая температура:
- 40°С ~ + 150°С
Рассеяние мощности:
32 Вт
Поставка способности:
100000
Выделить:

IPA50R190CE

,

IPA50R190C Infineon Chip

,

Энергия выходной емкости MOSFET

Описание продукта

Чип Infineon IPA50R190CE Сниженная запасенная энергия выходной емкости (Eₒₛₛ) Высоко надежный диод тела


Особенности и преимущества
Сниженная запасенная энергия выходной емкости (Eₒₛₛ)
Высоко надежный диод тела
Сниженный заряд обратного восстановления (Qᵣᵣ)
Сниженный заряд затвора
Общая производительность
Меньшие потери при переключении, улучшенная эффективность при малой нагрузке
Повышенная надежность в суровых условиях эксплуатации
Менее подвержен жесткой коммутации в резонансных топологиях
Улучшенная эффективность при малой нагрузке
Требуется меньшая способность управления затвором
Простое управление операцией переключения
Проверенное качество CoolMOS™ для выдающейся надежности

Целевые приложения и топологии
IPA50R190CE Infineon Chip Сниженная запасенная энергия выходной емкости Eₒₛₛ Высокопрочный корпус диода