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Detalles de los productos

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Chip Infineon
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IPA50R190CE Infineon Chip Energía almacenada reducida de la capacitancia de salida Eₒₛₛ Diodo de cuerpo altamente robusto

IPA50R190CE Infineon Chip Energía almacenada reducida de la capacitancia de salida Eₒₛₛ Diodo de cuerpo altamente robusto

Nombre De La Marca: Infineon Chip
Número De Modelo: IPA50R190CE
Cantidad Mínima De Pedido: 2500
Detalles De Embalaje: 2500PCS/carrete
Condiciones De Pago: T/T
Información detallada
Lugar de origen:
China
modelo:
IPA50R190CE
Nombre del producto:
Chip Infineon
Tipo:
A través del agujero
Corriente continua del dren:
24.8 A
Voltaje de avería de la Dren-fuente:
500 V
Temperatura de funcionamiento:
- 40 ºC ~ + 150 ºC
Disipación de energía:
32 W
Capacidad de la fuente:
100000
Resaltar:

IPA50R190CE

,

IPA50R190C Infineon Chip

,

Energía de capacitancia de salida MOSFET

Descripción del Producto

Chip Infineon IPA50R190CE Energía almacenada reducida de la capacitancia de salida (Eoss) Diodo de cuerpo muy robusto


Características y beneficios
Energía almacenada reducida de la capacidad de salida (Eoss)
Diodo de carrocería muy robusto
Tarifa de recuperación inversa reducida (Qrr)
Tarifa de entrada reducida
Rendimiento general
Menor pérdida de conmutación, mayor eficiencia de carga ligera
Mayor fiabilidad en condiciones de funcionamiento adversas
Menos propenso a la conmutación dura en topologías resonantes
Mejora de la eficiencia de la carga ligera
Se requiere menos capacidad de accionamiento de puertas
Control de operación de cambio fácil
Calidad comprobada CoolMOSTM para una fiabilidad excepcional

Aplicaciones y topologías de destino
IPA50R190CE Infineon Chip Energía almacenada reducida de la capacitancia de salida Eₒₛₛ Diodo de cuerpo altamente robusto