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Puce Infineon
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IPA50R190CE Infineon Chip Énergie stockée réduite de la capacité de sortie Eₒₛₛ Diode de corps très robuste

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IPA50R190CE Infineon Chip Énergie stockée réduite de la capacité de sortie Eₒₛₛ Diode de corps très robuste
  • Nom

IPA50R190CE Infineon Chip Énergie stockée réduite de la capacité de sortie Eₒₛₛ Diode de corps très robuste

Nom De La Marque: Infineon Chip
Numéro De Modèle: IPA50R190CE
Quantité Minimale De Commande: 2500
Détails De L'emballage: 2500 pièces/bobine
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Description du produit
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
Documents:
infineon_applicationnote_mo...1).pdf
modèle:
IPA50R190CE
Nom du produit:
Puce Infineon
Taper:
Par le trou
Courant continu de drain:
24.8 A
Tension claque de Drain-source:
500 V
Température de fonctionnement:
- 40 °C ~ + 150 °C
Dissipation de puissance:
32 W
Capacité d'approvisionnement:
100000
Mettre en évidence:

IPA50R190CE

,

IPA50R190C Infineon Chip

,

Énergie de capacité de sortie MOSFET

Description du produit

Infineon Chip IPA50R190CE Énergie stockée réduite de la capacité de sortie (Eₒₛₛ) Diode de corps très robuste


Caractéristiques et avantages
Énergie stockée réduite de la capacité de sortie (Eₒₛₛ)
Diode de corps très robuste
Charge de récupération inverse réduite (Qᵣᵣ)
Charge de grille réduite
Performance globale
Pertes de commutation plus faibles, efficacité améliorée à faible charge
Fiabilité accrue dans des conditions de fonctionnement difficiles
Moins sujet à la commutation dure dans les topologies résonantes
Efficacité améliorée à faible charge
Moins de capacité de commande de grille requise
Contrôle facile de l'opération de commutation
Qualité CoolMOS™ éprouvée pour une fiabilité exceptionnelle

Applications cibles et topologies
IPA50R190CE Infineon Chip Énergie stockée réduite de la capacité de sortie Eₒₛₛ Diode de corps très robuste



Balises: 

mosfet de puissance infineon  

puce infineon  

contrôleur pfc infineon

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