logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
อินฟิเนียนชิป
Created with Pixso.

IPA50R190CE Infineon Chip พลังงานที่เก็บไว้ของเอาต์พุตคาปาซิเตอร์ที่ลดลง Eₒₛₛ ไดโอดตัวถังที่ทนทานสูง

IPA50R190CE Infineon Chip พลังงานที่เก็บไว้ของเอาต์พุตคาปาซิเตอร์ที่ลดลง Eₒₛₛ ไดโอดตัวถังที่ทนทานสูง

ชื่อแบรนด์: Infineon Chip
หมายเลขรุ่น: IPA50R190CE
ขั้นต่ำ: 2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: 2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
แบบอย่าง:
IPA50R190CE
ชื่อสินค้า:
อินฟิเนียนชิป
พิมพ์:
ผ่านรู
กระแสเดรนต่อเนื่อง:
24.8 A
แรงดันพังทลายของ Drain-Source:
500 V
อุณหภูมิในการทำงาน:
- 40 องศาเซลเซียส ~ + 150 องศาเซลเซียส
การกระจายพลังงาน:
32 วัตต์
สามารถในการผลิต:
100000
เน้น:

IPA50R190CE

,

IPA50R190C Infineon Chip

,

พลังงานคาปาซิเตอร์เอาต์พุต MOSFET

รายละเอียดสินค้า

Infineon Chip IPA50R190CE พลังงานที่เก็บไว้ของความจุเอาต์พุตที่ลดลง (Eₒₛₛ) ไดโอดตัวถังที่ทนทานสูง


คุณสมบัติและประโยชน์
พลังงานที่เก็บไว้ของความจุเอาต์พุตที่ลดลง (Eₒₛₛ)
ไดโอดตัวถังที่ทนทานสูง
ประจุย้อนกลับที่ลดลง (Qᵣᵣ)
ประจุเกตที่ลดลง
ประสิทธิภาพโดยรวม
การสูญเสียการสวิตช์ที่ต่ำลง ประสิทธิภาพโหลดเบาที่ดีขึ้น
ความน่าเชื่อถือสูงขึ้นภายใต้สภาวะการทำงานที่รุนแรง
มีแนวโน้มที่จะเกิดการสวิตช์แบบฮาร์ดคอมมิวเทชั่นน้อยลงในโทโพโลยีแบบเรโซแนนซ์
ประสิทธิภาพโหลดเบาที่ดีขึ้น
ต้องการความสามารถในการขับเกตน้อยลง
การควบคุมการทำงานสวิตช์ที่ง่าย
คุณภาพ CoolMOS™ ที่พิสูจน์แล้วเพื่อความน่าเชื่อถือที่โดดเด่น

แอปพลิเคชันเป้าหมายและโทโพโลยี
IPA50R190CE Infineon Chip พลังงานที่เก็บไว้ของเอาต์พุตคาปาซิเตอร์ที่ลดลง Eₒₛₛ ไดโอดตัวถังที่ทนทานสูง