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SEOUL LED Chip

CUN0HB4A SEOUL LED-Chip in der Nähe von UV 405nm UV CU6868-Serie LED-Diodenchip

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CUN0HB4A SEOUL LED-Chip in der Nähe von UV 405nm UV CU6868-Serie LED-Diodenchip

Markenname:	SEOUL
Modellnummer:	CUN0HB4A
Mindestbestellmenge:	500 Stück
Verpackungsdetails:	500
Zahlungsbedingungen:	T/T

Detailinformationen

Produktbeschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

China

Dokumentieren:

Produktname:

Seoul

Modell:

CUN0HB4A

Hochleistungs-SMD-LED im nahezu ultravioletten Bereich

Lagertemperatur:

-40-100 ℃

Durchlassspannung:

Nennwert 7,3 V

Anwendung:

UV-Härtung, Drucken, Beschichten, Kleben, Fluoreszenzfotografie

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

100000

Hervorheben:

CUN0HB4A UV-LED-Diodenchip

LED-Chip der Serie CU6868

405 nm LED-Diodenchip mit UV-Nähe

Produktbeschreibung

Seoul Near UV LED-CUN0HB4A 405nmUV CU6868 series-CUN0HB4A LED Dioden Chips

Produktübersicht

Beschreibung

• Hochleistungs-UV-LED-Serie ist für hohe Strombelastung und ultrahohe Leistungsausgabeanwendungen konzipiert.

• Sie integriert das hochmoderne SMD-Design und das Material mit geringem thermischen Widerstand.

Merkmale und Vorteile

• Geringer thermischer Widerstand

• SMT-Typ

• Entwickelt für hohen Strombetrieb

Schlüsselanwendungen

• UV-Härtung

• Drucken

• Beschichtung

• Klebstoff

• Fluoreszenzfotografie

• UV-Taschenlampe

• Fluoreszenzfotografie

• Ölleckerkennung

• Kriminalinspektion

• Ölleckerkennung

Dieses Hochleistungs-LED-Gerät zeigt eine Schlüssel-elektrooptische Leistung bei einem Vorwärtsstrom von 2A (unter Testbedingungen von Ts = 25 °C, RH = 30%): Es verfügt über eine Spitzenwellenlänge von 405 nm, einen Strahlungsfluss von 6,1 W, eine Vorwärtsspannung von 7,3 V, eine spektrale Halbwertsbreite von 17 nm und einen Abstrahlwinkel von 70 Grad. Seine absoluten Maximalwerte umfassen einen minimalen Vorwärtsstrom von 0,4 A (typisch 2,0 A), eine maximale Sperrschichttemperatur von 125 °C, einen Betriebstemperaturbereich von −10 °C bis 85 °C, einen Lagertemperaturbereich von −40 °C bis 100 °C und einen thermischen Widerstand (Sperrschicht zu Lötstelle) von 1,8 °C/W.

Bei einem Vorwärtsstrom von 2A folgt diese LED einem strukturierten Binning-System, das durch drei Schlüsselparameter definiert ist: Spitzenwellenlänge (Wp), Strahlungsfluss und Vorwärtsspannung (Vf). Für die Spitzenwellenlänge gibt es zwei Bins: P1 (400–405 nm) und P2 (405–410 nm). Für den Strahlungsfluss sind zwei Bins verfügbar: T55 (5,56–6,12 W) und T61 (6,12–6,73 W). Für die Vorwärtsspannung sind drei Bins definiert: Z70 (7,0–7,2 V), Z72 (7,2–7,4 V) und Z74 (7,4–7,6 V). Der Binning-Code ist so strukturiert, dass die Segmente Z1Z2 die Spitzenwellenlänge (nm) bezeichnen, Z3Z4Z5 den Strahlungsfluss (W) darstellen und Z6Z7Z8 die Vorwärtsspannung (V) angeben, was eine präzise Komponentenauswahl für spezifische Anwendungsanforderungen ermöglicht.

Schlagworte:

OSRAM LED-CHIP

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ST IC-Chips

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LED-Chip von Bridgelux

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