Name: CUN0HB4A SEOL Chip LED cercano al UV 405nm Chip de diodo LED de la serie CU6868
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: CUN0HB4A
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	SEOUL
Número De Modelo:	CUN0HB4A
Cantidad Mínima De Pedido:	500 Uds.
Detalles De Embalaje:	500
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Documento:

CUN0HB4A_240909_R1.1.pdf

Nombre del producto:

Seúl

modelo:

CUN0HB4A

Tipo:

LED SMD de alta potencia casi ultravioleta

Temperatura de almacenamiento:

-40-100 ℃

voltaje directo:

Valor nominal 7,3 V

Solicitud:

Curado UV, Impresión, Recubrimiento, Adhesivo, Fotografía fluorescente

Capacidad de la fuente:

100000

Resaltar:

El chip de diodo LED UV CUN0HB4A

El chip LED SEOL de la serie CU6868

405nm Chip de diodo LED cercano a los UV

Descripción del Producto

Seúl cercano a los UV LED-CUN0HB4A 405nmUV CU6868 serie-CUN0HB4A chips de diodos LED

Resumen del producto

Descripción

• Las series de LED UV de alta potencia están diseñadas para

funcionamiento de alta corriente y potencia ultra alta

las aplicaciones de salida.

• Incorpora el SMD más avanzado

diseño y material de baja resistencia térmica.

Características y beneficios

• Baja resistencia térmica

• Tipo SMT

• Diseñado para el funcionamiento de alta corriente

Principales aplicaciones

• Curado por rayos UV

• Impresión

• Revestimiento

• Adhesivos

• Fotografía por fluorescencia

• Antorcha UV

• Fotografía por fluorescencia

• Tratamiento dental

• Inspección del delito

• Detección de fugas de aceite

Este dispositivo LED de alta potencia presenta un rendimiento electroóptico clave a una corriente de 2A (en condiciones de ensayo de): presenta una longitud de onda máxima de 405 nm, un flujo radiante de 6,1 W, un voltaje de 7,3 V, una media anchura espectral de 17 nm y un ángulo de radiación de 70 grados.Sus calificaciones máximas absolutas incluyen una corriente de avance mínima de 0.4 A (típicamente 2,0 A), una temperatura máxima de unión de 125 °C, un rango de temperatura de funcionamiento de -10 °C a 85 °C, un rango de temperatura de almacenamiento de -40 °C a 100 °C,una resistencia térmica (junción al punto de soldadura) de 10,8 °C/W.

A una corriente de 2A, este LED sigue un sistema estructurado definido por tres parámetros clave: longitud de onda de pico (Wp), flujo radiante y voltaje de avance (Vf).Hay dos contenedores.Para el flujo radiante, hay dos contenedores disponibles: T55 (5,56 ̇6,12 W) y T61 (6,12 ̇6,73 W). Para el voltaje hacia adelante, se definen tres contenedores: Z70 (7,0 ̇7,2 V), Z72 (7,2 ̇7,4 V),y Z74 (7,4 ∼7,6 V). El código de enlace está estructurado de tal manera que los segmentos Z1Z2 denotan la longitud de onda máxima (nm), Z3Z4Z5 representan el flujo radiante (W) y Z6Z7Z8 indican el voltaje hacia adelante (V),que permite una selección precisa de componentes para requisitos específicos de aplicación.

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

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Chip LED de NICHIA

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ONsemi Chips

chips ADI

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Detalles de los productos

CUN0HB4A SEOL Chip LED cercano al UV 405nm Chip de diodo LED de la serie CU6868

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

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chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

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