Fotografía de fluorescencia, curado dental, inspección de delitos, detección de fugas de aceite
Temperatura de funcionamiento:
-40~105℃
Temperatura de almacenamiento:
-40 a 100 °C
voltaje directo:
3,5 V
Longitud de onda máxima:
385nm
Capacidad de la fuente:
100000
Resaltar:
Chip LED UV CUN8UB1A Diodo LED UV
,
Chip LED SEOUL Serie CU3737
,
Chip LED UV 385nm Diodo LED UV
Descripción del Producto
SEOUL Near UV LED - 385nm UV CU3737 series CUN8UB1A diodos emisores de luz
Resumen del producto
Descripción
• La serie de LED UV de alta potencia está diseñada para
operación de alta corriente, ángulo de radiación estrecho
y aplicaciones de alta potencia de salida.
• Incorpora el diseño SMD de última generación
y material de baja resistencia térmica.
• CU3737 es una fuente de luz UV ideal para
aplicaciones de curado, impresión y detección.
Características y beneficios
• Baja resistencia térmica
• Tipo SMT
• Diseñado para operación de alta corriente
Aplicaciones clave
• Curado UV
• Impresión
• Recubrimiento
• Adhesivo
• Fotografía de fluorescencia
• Linterna UV
• Fotografía de fluorescencia
• Curado dental
• Inspección de delitos
• Detección de fugas de aceite
Este dispositivo presenta las principales clasificaciones electro-ópticas y máximas absolutas bajo condiciones especificadas. A una corriente directa de 0.7A, con una temperatura del punto de soldaduraTs=25∘C y una humedad relativa RH = 30%, sus características electro-ópticas incluyen una longitud de onda picoλp de 385 nm, un flujo radianteΦe de 1.1 W, un voltaje directoVF de 3.5 V, un ancho de banda espectralΔλ de 10.5 nm y un ángulo de radiación2Θ1/2 de 60 grados. Para las clasificaciones máximas absolutas, la corriente directaIF tiene un mínimo de 0.2 A, un valor típico de 0.7 A y un máximo de 1.0 A; la temperatura máxima de la uniónTj es de 120∘C, la temperatura de operaciónTopr varía de -40∘C a 105∘C, la temperatura de almacenamientoTstg varía de -40∘C a 100∘C, y la resistencia térmica de la unión al punto de soldaduraRθJ−S es típicamente de 4.5∘C/W.
La estructura de binning a una corriente directa deIF=0.7A clasifica los dispositivos según tres parámetros clave: longitud de onda pico (Z1Z2, unidad: nm), flujo radiante (Z3Z6, unidad: W) y voltaje directo (Z6Z7, unidad: V). Para la longitud de onda pico, los bins se definen comom1 que abarca de 380 a 385 nm ym2 que cubre de 385 a 390 nm. Para el flujo radiante, los bins incluyenQ00(1.00–1.10 W),Q10(1.10–1.21 W) yQ21(1.21–1.33 W). Para el voltaje directo, los bins varían de la siguiente manera:Z4(3.3–3.4 V),Z5(3.4–3.5 V),Z6(3.5–3.6 V) yZ7(3.6–3.7 V).
En resumen, el sistema de código de binning se mapea directamente a rangos de parámetros específicos: Z1Z2 corresponde a la longitud de onda pico (nm), Z3Z6 al flujo radiante (W) y Z6Z7 al voltaje directo (V), proporcionando un marco claro para la clasificación de dispositivos.