Name: Chip LED CUN8GF1A SEOUL UV cercano 385nm Serie UV CA3535 Chip Diodo LED
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: CUN8GF1A
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	SEOUL
Número De Modelo:	CUN8GF1A
Cantidad Mínima De Pedido:	500 Uds.
Detalles De Embalaje:	500
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Documento:

CUN8GF1A_220303_R5.pdf

Nombre del producto:

Seúl

modelo:

CUN8GF1A

Solicitud:

Fotografía de fluorescencia, curado dental, inspección de delitos, detección de fugas de aceite

Longitud de onda máxima:

385nm

Serie de envases:

CA3535

Tipo:

LED casi ultravioleta de alta potencia

Temperatura de funcionamiento:

-40 a 100 °C

Temperatura de almacenamiento:

-40 a 100 °C

Capacidad de la fuente:

100000

Resaltar:

Chip Diodo LED UV CUN8GF1A

Chip LED SEOUL CA3535 385nm UV cercano

Chip Diodo LED UV cercano

Descripción del Producto

SEOUL Near UV LED - 385nm UV CA3535 series CUN8GF1A diodos emisores de luz

Resumen del producto

Descripción

• La serie de LED UV de alta potencia está diseñada

para operación a alta corriente y alta potencia

salida.

• Incorpora el diseño SMD de última generación

y material de baja resistencia térmica.

• CA3535 es una fuente de luz UV ideal para

aplicaciones de curado, impresión y detección.

Características y Beneficios

• Salida de súper alta potencia

• Diseñado para operación a alta corriente

• Baja resistencia térmica

• Tipo SMT

• Producto sin plomo

• Cumple con RoHS

Aplicaciones Clave

• Curado UV

• Impresión

• Recubrimiento

• Adhesivo

• Linterna UV

• Fotografía de fluorescencia

• Curado dental

• Inspección de delitos

• Detección de fugas de aceite

El dispositivo LED bajo condiciones de prueba de y humedad relativa (HR) = 30% a una corriente directa de 1A, los parámetros de rendimiento electro-óptico y de máxima clasificación absoluta se describen de manera integral a continuación. En la Tabla 1, las características electro-ópticas revelan que el dispositivo exhibe una longitud de onda pico () de 385 nm, un flujo radiante () de 1.65 W, un voltaje directo () de 3.6 V, un ancho de banda espectral () de 11 nm y un ángulo de radiación () de 115 grados. Estos valores definen colectivamente el rendimiento óptico y eléctrico central del componente bajo la corriente de operación especificada.

Pasando a la Tabla 2, las clasificaciones máximas absolutas establecen los límites operativos y de almacenamiento seguros para el dispositivo. La corriente directa () tiene una clasificación mínima de 0.2 A, un valor típico de 1.0 A y un límite máximo de 1.4 A, lo que garantiza que el dispositivo opere dentro de un rango de corriente controlado. La temperatura de la unión () se limita a 125°C, mientras que tanto la temperatura de operación () como la temperatura de almacenamiento () varían de -40°C a 100°C, lo que destaca la robustez del dispositivo en condiciones ambientales extremas. Además, la resistencia térmica de la unión al punto de soldadura () se especifica en 3.8 °C/W, un parámetro crítico que rige las capacidades de gestión térmica del dispositivo y la confiabilidad general. En conjunto, estas especificaciones proporcionan un marco completo para evaluar el rendimiento, los límites operativos y el comportamiento térmico del dispositivo en aplicaciones prácticas.

El dispositivo LED bajo una corriente directa , como se presenta en las Tablas 3 y 4. La Tabla 4 primero aclara el significado de los códigos de binning: corresponde a la Longitud de Onda Pico (medida en nm), representa el Flujo Radiante (en W), y denota el Voltaje Directo (en V), estableciendo un marco claro para categorizar el rendimiento del dispositivo en tres parámetros críticos.

La Tabla 3 luego detalla los rangos de binning específicos para cada parámetro. Para la longitud de onda pico (bajo ), hay dos bins principales: m1 abarca de 380 nm a 385 nm, mientras que m2 cubre de 385 nm a 390 nm, asegurando una agrupación espectral precisa para aplicaciones que requieren una salida espectral consistente. En términos de flujo radiante (bajo ), se definen dos bins de flujo: Q60 varía de 1.60 W a 1.76 W, y Q76 se extiende de 1.76 W a 1.94 W, lo que permite la clasificación según la potencia de salida óptica. Para el voltaje directo (bajo ), se especifican tres bins de voltaje: Z4 (3.3 V a 3.4 V), Z5 (3.4 V a 3.5 V), y Z6 (3.5 V a 3.6 V), que permiten ordenar los dispositivos por sus características de voltaje operativo eléctrico. En conjunto, esta estructura de binning proporciona un método sistemático para clasificar dispositivos LED individuales según su longitud de onda pico, flujo radiante y voltaje directo, asegurando la consistencia y compatibilidad en las aplicaciones de uso final al agrupar componentes con parámetros de rendimiento estrictamente controlados.

Etiquetas:

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