logo
Καλή τιμή  Διαδικτυακά

λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
SEOUL LED Τσιπ
Created with Pixso.

CUN8GF1A SEOUL LED Chip Near UV 385nm UV CA3535 Series LED Diode Chip

CUN8GF1A SEOUL LED Chip Near UV 385nm UV CA3535 Series LED Diode Chip

Επωνυμία: SEOUL
Αριθμός μοντέλου: CUN8GF1A
MOQ: 500 ΤΕΜ
Λεπτομέρειες συσκευασίας: 500
Όροι πληρωμής: T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Κίνα
Έγγραφο:
Όνομα προϊόντος:
Σεούλ
μοντέλο:
CUN8GF1A
Εφαρμογή:
Φωτογραφία φθορισμού, οδοντική ωρίμανση, επιθεώρηση εγκλήματος, ανίχνευση διαρροής λαδιού
Μέγιστο μήκος κύματος:
385nm
Σειρά συσκευασίας:
CA3535
Τύπος:
Υψηλής ισχύος σχεδόν υπεριώδες LED
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-40~100°C
Θερμοκρασία αποθήκευσης:
-40~100°C
Δυνατότητα προσφοράς:
100000
Επισημαίνω:

CUN8GF1A UV LED Diode Chip

,

SEOUL LED Chip CA3535 385nm

,

Near UV LED Diode Chip

Περιγραφή προϊόντος

ΣΕΟΥΛ Κοντά σε UV LED - Τσιπ διόδων led 385nm UV CA3535 CUN8GF1A


Σύντομη περιγραφή προϊόντος
Περιγραφή
•Έχουν σχεδιαστεί σειρές UV LED υψηλής ισχύος
για λειτουργία υψηλού ρεύματος και υψηλή ισχύ
εφαρμογές εξόδου.
•Ενσωματώνεται με την τελευταία λέξη της τεχνολογίας SMD
σχεδιασμός και υλικό χαμηλής αντοχής στη θερμότητα.
•Το CA3535 είναι μια ιδανική πηγή υπεριώδους φωτός για
ωρίμανση, εκτύπωση και ανίχνευση εφαρμογών.

Χαρακτηριστικά και Οφέλη
• Εξαιρετικά υψηλή απόδοση ισχύος
• Σχεδιασμένο για λειτουργία υψηλού ρεύματος
• Χαμηλή θερμική αντίσταση
• Τύπος SMT
• Προϊόν Χωρίς μόλυβδο
• Συμβατό με RoHS

Βασικές Εφαρμογές
• Πολυμερισμός UV
• Εκτύπωση
• Επικάλυψη
• Κόλλα
• Φακός UV
• Φωτογραφία φθορισμού
• Οδοντιατρική ωρίμανση
• Έλεγχος Εγκληματικότητας
• Ανίχνευση διαρροής λαδιού

Η συσκευή LED υπό συνθήκες δοκιμής τουκαι σχετική υγρασία (RH) = 30% σε μπροστινό ρεύμα 1Α, οι παράμετροι ηλεκτρο-οπτικής και απόλυτης μέγιστης βαθμολογίας περιγράφονται αναλυτικά ως εξής. Στον Πίνακα 1, τα ηλεκτροοπτικά χαρακτηριστικά αποκαλύπτουν ότι η συσκευή εμφανίζει μήκος κύματος κορυφής () των 385 nm, μια ροή ακτινοβολίας () 1,65 W, μια τάση προς τα εμπρός () 3,6 V, μισό πλάτος φάσματος () 11 nm και γωνία ακτινοβολίας () των 115 μοιρών. Αυτές οι τιμές καθορίζουν συλλογικά την οπτική και ηλεκτρική απόδοση του πυρήνα του εξαρτήματος κάτω από το καθορισμένο ρεύμα λειτουργίας.

Προχωρώντας στον Πίνακα 2, οι απόλυτες μέγιστες αξιολογήσεις καθορίζουν τα ασφαλή όρια λειτουργίας και αποθήκευσης για τη συσκευή. Το μπροστινό ρεύμα () έχει ελάχιστη βαθμολογία 0,2 Α, τυπική τιμή 1,0 Α και μέγιστο όριο 1,4 Α, διασφαλίζοντας ότι η συσκευή λειτουργεί εντός ελεγχόμενης περιοχής ρεύματος. Η θερμοκρασία της διασταύρωσης () καλύπτεται στους 125°C, ενώ η θερμοκρασία λειτουργίας () και θερμοκρασία αποθήκευσης () εκτείνονται από -40°C έως 100°C, υπογραμμίζοντας τη στιβαρότητα της συσκευής σε ακραίες περιβαλλοντικές συνθήκες. Επιπλέον, η θερμική αντίσταση από τη διασταύρωση στο σημείο συγκόλλησης () καθορίζεται στους 3,8 °C/W, μια κρίσιμη παράμετρος που διέπει τις δυνατότητες θερμικής διαχείρισης και τη συνολική αξιοπιστία της συσκευής. Μαζί, αυτές οι προδιαγραφές παρέχουν ένα πλήρες πλαίσιο για την αξιολόγηση της απόδοσης, των λειτουργικών ορίων και της θερμικής συμπεριφοράς της συσκευής σε πρακτικές εφαρμογές.
CUN8GF1A SEOUL LED Chip Near UV 385nm UV CA3535 Series LED Diode Chip

Η συσκευή LED υπό ένα ρεύμα προς τα εμπρός, όπως παρουσιάζεται στους Πίνακες 3 και 4. Ο Πίνακας 4 διευκρινίζει πρώτα τη σημασία των κωδικών δέσμευσης:αντιστοιχεί στο μήκος κύματος κορυφής (μετρούμενο σε nm),αντιπροσωπεύει την Ροή ακτινοβολίας (σε W) καιυποδηλώνει την μπροστινή τάση (σε V), δημιουργώντας ένα σαφές πλαίσιο για την κατηγοριοποίηση της απόδοσης της συσκευής σε τρεις κρίσιμες παραμέτρους.
Στη συνέχεια, ο Πίνακας 3 επεξεργάζεται τις συγκεκριμένες περιοχές binning για κάθε παράμετρο. Για μέγιστο μήκος κύματος (κάτω), υπάρχουν δύο κύριοι κάδοι:m1εκτείνεται από 380 nm έως 385 nm, ενώm2καλύπτει 385 nm έως 390 nm, εξασφαλίζοντας ακριβή ομαδοποίηση μήκους κύματος για εφαρμογές που απαιτούν σταθερή φασματική έξοδο. Όσον αφορά τη ροή ακτινοβολίας (κάτω από), ορίζονται δύο κάδοι ροής:Q60κυμαίνεται από 1,60 W έως 1,76 W καιQ76εκτείνεται από 1,76 W έως 1,94 W, επιτρέποντας την ταξινόμηση με βάση την οπτική ισχύ εξόδου. Για μπροστινή τάση (κάτω), καθορίζονται τρεις κάδοι τάσης:Ζ4(3,3 V έως 3,4 V),Ζ5(3,4 V έως 3,5 V), καιΖ6(3,5 V έως 3,6 V), τα οποία επιτρέπουν τη διαλογή των συσκευών με βάση τα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά τάσης λειτουργίας τους. Μαζί, αυτή η δομή binning παρέχει μια συστηματική μέθοδο ταξινόμησης μεμονωμένων συσκευών LED σύμφωνα με το μέγιστο μήκος κύματος, τη ροή ακτινοβολίας και την τάση προς τα εμπρός, διασφαλίζοντας συνέπεια και συμβατότητα σε εφαρμογές τελικής χρήσης ομαδοποιώντας εξαρτήματα με αυστηρά ελεγχόμενες παραμέτρους απόδοσης.
CUN8GF1A SEOUL LED Chip Near UV 385nm UV CA3535 Series LED Diode Chip