प्रतिदीप्ति फोटोग्राफी, दंत चिकित्सा, अपराध निरीक्षण, तेल रिसाव का पता लगाना
पीक वेवलेंथ:
385 एनएम
पैकेजिंग श्रृंखला:
CA3535
प्रकार:
उच्च-शक्ति निकट-पराबैंगनी एलईडी
परिचालन तापमान:
-40 ~ 100 ℃
भंडारण तापमान:
-40 ~ 100 ℃
आपूर्ति की क्षमता:
100000
प्रमुखता देना:
CUN8GF1A यूवी एलईडी डायोड चिप
,
सियोल एलईडी चिप CA3535 385nm
,
नियर यूवी एलईडी डायोड चिप
उत्पाद वर्णन
SEOUL Near UV LED - 385nm UV CA3535 series CUN8GF1A एलईडी डायोड चिप्स
उत्पाद संक्षिप्त
विवरण
• उच्च शक्ति यूवी एलईडी श्रृंखला को डिजाइन किया गया है
उच्च वर्तमान संचालन और उच्च शक्ति के लिए
आउटपुट अनुप्रयोग।
• यह अत्याधुनिक एसएमडी को शामिल करता है
डिजाइन और कम थर्मल प्रतिरोधी सामग्री।
• CA3535 एक आदर्श यूवी प्रकाश स्रोत है
क्युरिंग, प्रिंटिंग और डिटेक्शन अनुप्रयोगों के लिए।
विशेषताएं और लाभ
• सुपर हाई पावर आउटपुट
• उच्च वर्तमान संचालन के लिए डिज़ाइन किया गया
• कम थर्मल प्रतिरोध
• एसएमटी प्रकार
• लीड फ्री उत्पाद
• RoHS आज्ञाकारी
मुख्य अनुप्रयोग
• यूवी क्योरिंग
• छपाई
• कोटिंग
• चिपकने वाला
• यूवी टॉर्च
• फ्लोरेसेंस फोटोग्राफी
• डेंटल क्योरिंग
• अपराध निरीक्षण
• तेल रिसाव का पता लगाना
परीक्षण स्थितियों के तहत एलईडी डिवाइस टीएस=25∘सी और सापेक्ष आर्द्रता (आरएच) = 30% 1A के फॉरवर्ड करंट पर, इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल और पूर्ण अधिकतम रेटिंग पैरामीटर व्यापक रूप से निम्नानुसार उल्लिखित हैं। तालिका 1 में, इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल विशेषताओं से पता चलता है कि डिवाइस एक पीक तरंग दैर्ध्य (λपी) 385 एनएम, एक रेडियंट फ्लक्स (Φई) 1.65 डब्ल्यू, एक फॉरवर्ड वोल्टेज (वीएफ) 3.6 वी, एक स्पेक्ट्रम हाफ विड्थ (Δλ) 11 एनएम, और एक विकिरण कोण (θ) 115 डिग्री का प्रदर्शन करता है। ये मान सामूहिक रूप से निर्दिष्ट ऑपरेटिंग करंट के तहत घटक के मुख्य ऑप्टिकल और विद्युत प्रदर्शन को परिभाषित करते हैं।
तालिका 2 पर चलते हुए, पूर्ण अधिकतम रेटिंग डिवाइस के लिए सुरक्षित परिचालन और भंडारण सीमाएं स्थापित करती हैं। फॉरवर्ड करंट (आईएफ) में न्यूनतम रेटिंग 0.2 ए, एक विशिष्ट मान 1.0 ए, और अधिकतम सीमा 1.4 ए है, यह सुनिश्चित करता है कि डिवाइस एक नियंत्रित वर्तमान सीमा के भीतर संचालित होता है। जंक्शन तापमान (टीजे) 125°सी पर कैप किया गया है, जबकि ऑपरेटिंग तापमान (टीओपीआर) और भंडारण तापमान (टीएसटीजी) दोनों -40°सी से 100°सी तक फैले हुए हैं, जो चरम पर्यावरणीय परिस्थितियों में डिवाइस की मजबूती को उजागर करते हैं। इसके अतिरिक्त, जंक्शन से सोल्डर पॉइंट तक थर्मल प्रतिरोध (आरθजे−एस) 3.8 °सी/डब्ल्यू पर निर्दिष्ट है, जो एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो डिवाइस की थर्मल प्रबंधन क्षमताओं और समग्र विश्वसनीयता को नियंत्रित करता है। एक साथ, ये विनिर्देश डिवाइस के प्रदर्शन, परिचालन सीमाओं और व्यावहारिक अनुप्रयोगों में थर्मल व्यवहार का मूल्यांकन करने के लिए एक पूर्ण ढांचा प्रदान करते हैं।
तालिका 3 और 4 में प्रस्तुत 1A के फॉरवर्ड करंट आईएफ=1A के तहत एलईडी डिवाइस। तालिका 4 पहले बिनिंग कोड का अर्थ स्पष्ट करती है: जेड1जेड2 पीक वेवलेंथ (एनएम में मापा गया) के अनुरूप है, जेड3जेड4जेड5 रेडियंट फ्लक्स (डब्ल्यू में) का प्रतिनिधित्व करता है, और जेड6जेड7 फॉरवर्ड वोल्टेज (वी में) को दर्शाता है, तीन महत्वपूर्ण मापदंडों पर डिवाइस के प्रदर्शन को वर्गीकृत करने के लिए एक स्पष्ट ढांचा स्थापित करता है।
तालिका 3 फिर प्रत्येक पैरामीटर के लिए विशिष्ट बिनिंग रेंज पर विस्तार से बताती है। पीक वेवलेंथ (जेड1जेड2) के तहत, दो प्राथमिक बिन हैं: एम1 380 एनएम से 385 एनएम तक फैला हुआ है, जबकि एम2 385 एनएम से 390 एनएम तक कवर करता है, लगातार स्पेक्ट्रल आउटपुट की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए सटीक तरंग दैर्ध्य समूहीकरण सुनिश्चित करता है। रेडियंट फ्लक्स (जेड3जेड4जेड5) के तहत) के संदर्भ में, दो फ्लक्स बिन परिभाषित किए गए हैं: क्यू60 1.60 डब्ल्यू से 1.76 डब्ल्यू तक है, और क्यू76 1.76 डब्ल्यू से 1.94 डब्ल्यू तक फैला हुआ है, जो ऑप्टिकल पावर आउटपुट के आधार पर वर्गीकरण की अनुमति देता है। फॉरवर्ड वोल्टेज (जेड6जेड7) के तहत) के लिए, तीन वोल्टेज बिन निर्दिष्ट किए गए हैं: जेड4 (3.3 वी से 3.4 वी), जेड5 (3.4 वी से 3.5 वी), और जेड6 (3.5 वी से 3.6 वी), जो उनके विद्युत ऑपरेटिंग वोल्टेज विशेषताओं द्वारा उपकरणों को छांटने में सक्षम बनाते हैं। एक साथ, यह बिनिंग संरचना व्यक्तिगत एलईडी उपकरणों को उनके पीक वेवलेंथ, रेडियंट फ्लक्स और फॉरवर्ड वोल्टेज के अनुसार वर्गीकृत करने के लिए एक व्यवस्थित विधि प्रदान करती है, जिससे अंतिम-उपयोग अनुप्रयोगों में स्थिरता और संगतता सुनिश्चित होती है, जो कसकर नियंत्रित प्रदर्शन मापदंडों वाले घटकों को समूहित करके होती है।