szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

SEOUL LED Chip

CUN8GF1A SEOL LED Chip Near UV 385nm UV CA3535 Series LED Diode Chip

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

Skontaktuj się z nami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

CUN8GF1A SEOL LED Chip Near UV 385nm UV CA3535 Series LED Diode Chip

Nazwa marki:	SEOUL
Numer modelu:	CUN8GF1A
MOQ:	500szt
Szczegóły opakowania:	500
Warunki płatności:	T/T

Informacje szczegółowe

Opis produktu

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

Chiny

Dokument:

Nazwa produktu:

model:

CUN8GF1A

Aplikacja:

Fotografia fluorescencyjna, leczenie zębów, kontrola kryminalna, wykrywanie wycieków oleju

Szczytowa długość fali:

385 nm

Seria opakowań:

CA3535

Dioda LED dużej mocy w zakresie bliskiego ultrafioletu

Temperatura pracy:

-40 ~ 100 ℃

Temperatura przechowywania:

-40 ~ 100 ℃

Możliwość Supply:

100 000

Podkreślić:

CUN8GF1A UV diodowy chip LED

SEOL LED Chip CA3535 385nm

Chip diodowy LED w pobliżu UV

Opis produktu

SEOUL Near UV LED - 385nm UV CA3535 serii CUN8GF1A diody LED chip

Krótka informacja o produkcie

Opis

•Wysokiej mocy UV LED serii są zaprojektowane

do pracy z dużym prądem i wysoką mocą

aplikacje wyjściowe.

•Zawiera najnowocześniejsze urządzenia SMD

konstrukcja i materiał o niskiej odporności termicznej.

•CA3535 jest idealnym źródłem światła UV dla

wytrzymałość, drukowanie i wykrywanie zastosowań.

Cechy i korzyści

• Super wysoka moc wyjściowa

• Zaprojektowane do pracy z dużym prądem

• Niska odporność cieplna

• Typ SMT

• Produkt bez ołowiu

• Zgodność z RoHS

Kluczowe zastosowania

• Utrzymanie promieni UV

• Drukowanie

• powłoka

• Klej

• latarka UV

• Fotografia fluorescencyjna

• Leczenie zębów

• Inspekcja przestępczości

• Wykrywanie wycieków oleju

Urządzenie LED w warunkach badań:a wilgotność względna (RH) = 30% przy prędkości prądu naprzód 1A, elektroptyczne i bezwzględne maksymalne parametry znamionowe są szczegółowo przedstawione w następujący sposób:charakterystyki elektrooptyczne wskazują, że urządzenie wykazuje maksymalną długość fali () o długości 385 nm, strumieniowy strumień () o napięciu 1,65 W, napięciu naprzód () o napięciu 3,6 V, połowa szerokości widma () o długości 11 nm i kącie promieniowania (Wartości te definiują łącznie podstawową właściwość optyczną i elektryczną komponentu przy określonym prądzie roboczym.

Przechodząc do tabeli 2, maksymalne wartości absolutne określają bezpieczne granice eksploatacji i przechowywania urządzenia.W przypadku urządzenia o temperaturze łącznikowej nieprzekraczalnej (w przypadku urządzenia o temperaturze łącznikowej nieprzekraczalnej)W tym celu należy wprowadzić ograniczenie temperatury 125°C, podczas gdy zarówno) i temperatury przechowywania (Ponadto odporność termiczna od łącznika do punktu lutowania (W przypadku urządzenia o temperaturze 3,8 °C/W, które jest parametrem krytycznym, który określa zdolności zarządzania cieplnym i ogólną niezawodność urządzenia,specyfikacje te zapewniają pełne ramy oceny wydajności urządzenia, ograniczeń operacyjnych i zachowania termicznego w praktycznych zastosowaniach.

Urządzenie LED pod prądem naprzód, przedstawione w tabelach 3 i 4. Tabela 4 wyjaśnia po pierwsze znaczenie kodów pakowania:odpowiada długości fali szczytowej (mierzonej w nm),oznacza strumień promieniowania (w W), orazoznacza napięcie naprzód (w V), ustanawiając jasne ramy kategoryzacji wydajności urządzenia według trzech krytycznych parametrów.

W tabeli 3 przedstawiono szczegółowe zakresy węzłów węzłowych dla każdego parametru.), istnieją dwa główne pojemniki:m1rozpiętości od 380 nm do 385 nm,m2Obejmuje od 385 nm do 390 nm, zapewniając precyzyjne grupowanie długości fal dla zastosowań wymagających stałej mocy widmowej.), zdefiniowane są dwa zbiorniki strumieniowe:Q60w zakresie od 1,60 W do 1,76 W, orazQ76W przypadku napięcia naprzód (poniżej), określone są trzy zbiorniki napięcia:Z4(3,3 V do 3,4 V),Z5(3,4 V do 3,5 V) orazZ63,5 V do 3,6 V), które umożliwiają sortowanie urządzeń według ich charakterystyki napięcia elektrycznego.ta struktura wiązania zapewnia systematyczną metodę klasyfikacji poszczególnych urządzeń LED w zależności od ich długości fali szczytowej, strumienia promieniowania i napięcia naprzód, zapewniając spójność i kompatybilność w zastosowaniach końcowych poprzez grupowanie komponentów o ściśle kontrolowanych parametrach wydajności.

Tagi:

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

szczegółowe informacje o produktach

CUN8GF1A SEOL LED Chip Near UV 385nm UV CA3535 Series LED Diode Chip

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI