rincian produk

Rumah Produk

Chip LED SEOUL

CUN8GF1A SEOL LED Chip Dekat UV 385nm UV CA3535 Series LED Diode Chip

Semua Kategori

Chip Led Daya Tinggi

Hubungi Kami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Hubungi Sekarang

Semua Kategori

CUN8GF1A SEOL LED Chip Dekat UV 385nm UV CA3535 Series LED Diode Chip

Nama Merek:	SEOUL
Nomor Model:	CUN8GF1A
MOQ:	500 buah
Detail Kemasan:	500
Ketentuan Pembayaran:	T/T

Informasi Rinci

Deskripsi Produk

Informasi Rinci

Tempat asal:

Tiongkok

Dokumen:

Nama Produk:

Seoul

model:

CUN8GF1A

Aplikasi:

Fotografi Fluoresensi, Perawatan Gigi, Inspeksi Kejahatan, Deteksi Kebocoran Minyak

Panjang gelombang puncak:

385nm

Seri kemasan:

CA3535

Jenis:

LED mendekati ultraviolet berdaya tinggi

Suhu Operasional:

-40~100℃

Suhu Penyimpanan:

-40~100℃

Menyediakan kemampuan:

100.000

Menyoroti:

CUN8GF1A Chip dioda LED UV

SEOUL LED Chip CA3535 385nm

Chip dioda LED UV dekat

Deskripsi Produk

SEOUL Near UV LED - 385nm UV CA3535 series CUN8GF1A dioda led chip

Ringkasan Produk

Deskripsi

• Seri UV LED daya tinggi dirancang

untuk operasi arus tinggi dan daya tinggi

aplikasi keluaran.

• Ini menggabungkan desain SMD canggih

dan bahan tahan panas rendah.

• CA3535 adalah sumber cahaya UV yang ideal untuk

aplikasi pengawetan, pencetakan, dan deteksi.

Fitur dan Keunggulan

• Output daya super tinggi

• Dirancang untuk operasi arus tinggi

• Resistansi termal rendah

• Tipe SMT

• Produk Bebas Timbal

• Sesuai RoHS

Aplikasi Utama

• Pengawetan UV

• Pencetakan

• Pelapisan

• Perekat

• Senter UV

• Fotografi Fluoresensi

• Pengawetan Gigi

• Inspeksi Kejahatan

• Deteksi Kebocoran Minyak

Perangkat LED di bawah kondisi pengujian dan kelembaban relatif (RH) = 30% pada arus maju 1A, parameter peringkat elektro-optik dan absolut maksimum diuraikan secara komprehensif sebagai berikut. Dalam Tabel 1, karakteristik elektro-optik mengungkapkan bahwa perangkat menunjukkan panjang gelombang puncak () 385 nm, fluks radiasi () 1,65 W, tegangan maju () 3,6 V, lebar setengah spektrum () 11 nm, dan sudut radiasi () 115 derajat. Nilai-nilai ini secara kolektif mendefinisikan kinerja optik dan listrik inti komponen di bawah arus operasi yang ditentukan.

Beralih ke Tabel 2, peringkat absolut maksimum menetapkan batas operasional dan penyimpanan yang aman untuk perangkat. Arus maju () memiliki peringkat minimum 0,2 A, nilai tipikal 1,0 A, dan batas maksimum 1,4 A, memastikan perangkat beroperasi dalam rentang arus yang terkontrol. Suhu sambungan () dibatasi hingga 125°C, sementara suhu operasi () dan suhu penyimpanan () berkisar dari -40°C hingga 100°C, menyoroti ketahanan perangkat di berbagai kondisi lingkungan ekstrem. Selain itu, resistansi termal dari sambungan ke titik solder () ditentukan pada 3,8 °C/W, parameter penting yang mengatur kemampuan manajemen termal perangkat dan keandalan keseluruhan. Bersama-sama, spesifikasi ini memberikan kerangka kerja yang lengkap untuk mengevaluasi kinerja perangkat, batas operasional, dan perilaku termal dalam aplikasi praktis.

Perangkat LED di bawah arus maju , seperti yang disajikan dalam Tabel 3 dan 4. Tabel 4 pertama-tama mengklarifikasi arti kode binning: sesuai dengan Panjang Gelombang Puncak (diukur dalam nm), mewakili Fluks Radiasi (dalam W), dan menunjukkan Tegangan Maju (dalam V), menetapkan kerangka kerja yang jelas untuk mengkategorikan kinerja perangkat di tiga parameter penting.

Tabel 3 kemudian menguraikan rentang binning spesifik untuk setiap parameter. Untuk panjang gelombang puncak (di bawah ), ada dua bin utama: m1 berkisar dari 380 nm hingga 385 nm, sedangkan m2 mencakup 385 nm hingga 390 nm, memastikan pengelompokan panjang gelombang yang tepat untuk aplikasi yang membutuhkan output spektral yang konsisten. Dalam hal fluks radiasi (di bawah ), dua bin fluks didefinisikan: Q60 berkisar dari 1,60 W hingga 1,76 W, dan Q76 meluas dari 1,76 W hingga 1,94 W, memungkinkan klasifikasi berdasarkan output daya optik. Untuk tegangan maju (di bawah ), tiga bin tegangan ditentukan: Z4 (3,3 V hingga 3,4 V), Z5 (3,4 V hingga 3,5 V), dan Z6 (3,5 V hingga 3,6 V), yang memungkinkan penyortiran perangkat berdasarkan karakteristik tegangan operasi listriknya. Bersama-sama, struktur binning ini menyediakan metode sistematis untuk mengklasifikasikan perangkat LED individu sesuai dengan panjang gelombang puncak, fluks radiasi, dan tegangan maju, memastikan konsistensi dan kompatibilitas dalam aplikasi penggunaan akhir dengan mengelompokkan komponen dengan parameter kinerja yang terkontrol ketat.

Tag:

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Chip Led Daya Tinggi

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Chip Led Daya Tinggi

rincian produk

CUN8GF1A SEOL LED Chip Dekat UV 385nm UV CA3535 Series LED Diode Chip

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Chip Led Daya Tinggi

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI