Name: CUN8GF1A SEOL LED Chip Near UV 385nm UV CA3535 série LED Diode Chip
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: CUN8GF1A
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	SEOUL
Número do modelo:	CUN8GF1A
Quantidade mínima:	500 PCS
Detalhes da embalagem:	500
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Documento:

CUN8GF1A_220303_R5.pdf

Nome do produto:

Seul

modelo:

CUN8GF1A

Aplicativo:

Fotografia de fluorescência, cura dentária, inspeção criminal, detecção de vazamento de óleo

Comprimento de onda máximo:

385nm

Série de embalagens:

CA3535

Tipo:

LED quase ultravioleta de alta potência

Temperatura operacional:

-40 a 100°C

Temperatura de armazenamento:

-40 a 100°C

Habilidade da fonte:

100.000

Destacar:

Chip de diodo LED UV CUN8GF1A

SEOL LED Chip CA3535 385nm

Chipe de diodo LED UV próximo

Descrição do produto

SEOUL Near UV LED - 385nm UV CA3535 series CUN8GF1A diodos emissores de luz

Breve do Produto

Descrição

• A série de LEDs UV de alta potência é projetada

para operação com alta corrente e alta potência

de saída.

• Incorpora o design SMD de última geração

e material de baixa resistência térmica.

• O CA3535 é uma fonte de luz UV ideal para

aplicações de cura, impressão e detecção.

Características e Benefícios

• Saída de super alta potência

• Projetado para operação com alta corrente

• Baixa resistência térmica

• Tipo SMT

• Produto sem chumbo

• Compatível com RoHS

Principais Aplicações

• Cura UV

• Impressão

• Revestimento

• Adesivo

• Lanterna UV

• Fotografia de Fluorescência

• Cura Dentária

• Inspeção Criminal

• Detecção de Vazamento de Óleo

O dispositivo LED sob condições de teste de e umidade relativa (RH) = 30% com uma corrente direta de 1A, os parâmetros eletro-ópticos e de classificação máxima absoluta são detalhados de forma abrangente a seguir. Na Tabela 1, as características eletro-ópticas revelam que o dispositivo exibe um comprimento de onda de pico () de 385 nm, um fluxo radiante () de 1,65 W, uma tensão direta () de 3,6 V, uma largura de espectro () de 11 nm e um ângulo de radiação () de 115 graus. Esses valores definem coletivamente o desempenho óptico e elétrico central do componente sob a corrente operacional especificada.

Passando para a Tabela 2, as classificações máximas absolutas estabelecem os limites operacionais e de armazenamento seguros para o dispositivo. A corrente direta () tem uma classificação mínima de 0,2 A, um valor típico de 1,0 A e um limite máximo de 1,4 A, garantindo que o dispositivo opere dentro de uma faixa de corrente controlada. A temperatura da junção () é limitada a 125°C, enquanto tanto a temperatura operacional () quanto a temperatura de armazenamento () variam de -40°C a 100°C, destacando a robustez do dispositivo em condições ambientais extremas. Além disso, a resistência térmica da junção ao ponto de solda () é especificada em 3,8 °C/W, um parâmetro crítico que governa as capacidades de gerenciamento térmico do dispositivo e a confiabilidade geral. Juntas, essas especificações fornecem uma estrutura completa para avaliar o desempenho, os limites operacionais e o comportamento térmico do dispositivo em aplicações práticas.

O dispositivo LED sob uma corrente direta , conforme apresentado nas Tabelas 3 e 4. A Tabela 4 primeiro esclarece o significado dos códigos de binning: corresponde ao Comprimento de Onda de Pico (medido em nm), representa o Fluxo Radiante (em W) e denota a Tensão Direta (em V), estabelecendo uma estrutura clara para categorizar o desempenho do dispositivo em três parâmetros críticos.

A Tabela 3, em seguida, detalha as faixas de binning específicas para cada parâmetro. Para o comprimento de onda de pico (sob ), existem dois bins principais: m1 varia de 380 nm a 385 nm, enquanto m2 cobre de 385 nm a 390 nm, garantindo um agrupamento espectral preciso para aplicações que exigem saída espectral consistente. Em termos de fluxo radiante (sob ), dois bins de fluxo são definidos: Q60 varia de 1,60 W a 1,76 W e Q76 se estende de 1,76 W a 1,94 W, permitindo a classificação com base na saída de potência óptica. Para a tensão direta (sob ), três bins de tensão são especificados: Z4 (3,3 V a 3,4 V), Z5 (3,4 V a 3,5 V) e Z6 (3,5 V a 3,6 V), que permitem a classificação dos dispositivos por suas características de tensão operacional elétrica. Juntas, essa estrutura de binning fornece um método sistemático para classificar dispositivos LED individuais de acordo com seu comprimento de onda de pico, fluxo radiante e tensão direta, garantindo consistência e compatibilidade em aplicações de uso final, agrupando componentes com parâmetros de desempenho rigorosamente controlados.

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

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detalhes dos produtos

CUN8GF1A SEOL LED Chip Near UV 385nm UV CA3535 série LED Diode Chip

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Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

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