Fotografia de fluorescência, cura dentária, inspeção criminal, detecção de vazamento de óleo
Temperatura operacional:
-40~105℃
Temperatura de armazenamento:
-40 a 100°C
Tensão direta:
3,5 V
Comprimento de onda máximo:
385nm
Habilidade da fonte:
100.000
Destacar:
Chip Diodo LED UV CUN8UB1A
,
Chip LED UV Série CU3737
,
Chip Diodo LED UV 385nm
Descrição do produto
SEOUL Near UV LED - 385nm UV CU3737 series CUN8UB1A diodos emissores de luz
Breve do Produto
Descrição
• A série de LEDs UV de alta potência é projetada para
operação de alta corrente, ângulo de radiação estreito
e aplicações de alta potência.
• Incorpora o design SMD de última geração
e material de baixa resistência térmica.
• O CU3737 é uma fonte de luz UV ideal para
aplicações de cura, impressão e detecção.
Recursos e Benefícios
• Baixa resistência térmica
• Tipo SMT
• Projetado para operação de alta corrente
Principais Aplicações
• Cura UV
• Impressão
• Revestimento
• Adesivo
• Fotografia de Fluorescência
• Lanterna UV
• Fotografia de Fluorescência
• Cura Dentária
• Inspeção Criminal
• Detecção de Vazamento de Óleo
Este dispositivo exibe as principais classificações eletro-óticas e máximas absolutas sob condições especificadas. Com uma corrente direta de 0,7A, temperatura do ponto de soldaTs=25∘C e umidade relativa RH = 30%, suas características eletro-óticas incluem um comprimento de onda de picoλp de 385 nm, um fluxo radianteΦe de 1,1 W, uma tensão diretaVF de 3,5 V, uma largura de banda espectralΔλ de 10,5 nm e um ângulo de radiação2Θ1/2 de 60 graus. Para classificações máximas absolutas, a corrente diretaIF tem um mínimo de 0,2 A, um valor típico de 0,7 A e um máximo de 1,0 A; a temperatura máxima da junçãoTj é 120∘C, a temperatura de operaçãoTopr varia de -40∘C a 105∘C, a temperatura de armazenamentoTstg varia de -40∘C a 100∘C, e a resistência térmica da junção ao ponto de soldaRθJ−S é tipicamente 4,5∘C/W.
A estrutura de binning com uma corrente direta deIF=0.7A categoriza os dispositivos com base em três parâmetros chave: comprimento de onda de pico (Z1Z2, unidade: nm), fluxo radiante (Z3Z6, unidade: W) e tensão direta (Z6Z7, unidade: V). Para o comprimento de onda de pico, os bins são definidos comom1 cobrindo de 380 a 385 nm em2 cobrindo de 385 a 390 nm. Para o fluxo radiante, os bins incluemQ00(1,00–1,10 W),Q10(1,10–1,21 W) eQ21(1,21–1,33 W). Para a tensão direta, os bins variam da seguinte forma:Z4(3,3–3,4 V),Z5(3,4–3,5 V),Z6(3,5–3,6 V) eZ7(3,6–3,7 V).
Em resumo, o sistema de código de binning mapeia diretamente para faixas de parâmetros específicas: Z1Z2 corresponde ao comprimento de onda de pico (nm), Z3Z6 ao fluxo radiante (W) e Z6Z7 à tensão direta (V), fornecendo uma estrutura clara para a classificação do dispositivo.