Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Светодиодный чип SEOUL

CUN8UB1A СЕУЛ Светодиодный чип ближний УФ 385нм УФ серия CU3737 Светодиодный диод Чип

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

CUN8UB1A СЕУЛ Светодиодный чип ближний УФ 385нм УФ серия CU3737 Светодиодный диод Чип

Название бренда:	SEOUL
Номер модели:	CUN8UB1A
минимальный заказ:	500 шт.
Детали упаковки:	500
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Документ:

Название продукта:

модель:

CUN8UB1A

Приложение:

Флуоресцентная фотография, лечение зубов, криминальная проверка, обнаружение утечек масла

Рабочая температура:

-40~105℃

Температура хранения:

-40~100°C

Прямое напряжение:

3,5 В

Пиковая длина волны:

385nm

Поставка способности:

100000

Выделить:

CUN8UB1A УФ светодиодный диод Чип

СЕУЛ Светодиодный чип серия CU3737

385нм УФ светодиодный диод Чип

Описание продукта

УФ-светодиод SEOUL Near UV - 385 нм УФ CU3737 серии CUN8UB1A светодиодные диоды

Краткое описание продукта

Описание

• Серия УФ-светодиодов высокой мощности разработана для

работы при высоком токе, узкого угла излучения

и применений с высокой выходной мощностью.

• Он включает в себя современный SMD

дизайн и материал с низким тепловым сопротивлением.

• CU3737 является идеальным источником УФ-излучения для

отверждения, печати и обнаружения.

Особенности и преимущества

• Низкое тепловое сопротивление

• Тип SMT

• Разработан для работы при высоком токе

Ключевые области применения

• УФ-отверждение

• Печать

• Покрытие

• Клей

• Флуоресцентная фотография

• УФ-фонарь

• Флуоресцентная фотография

• Отверждение зубов

• Криминалистическое расследование

• Обнаружение утечек масла

Это устройство демонстрирует ключевые электрооптические и абсолютные максимальные характеристики при заданных условиях. При прямом токе 0,7 А, температуре пайки и относительной влажности RH = 30% его электрооптические характеристики включают пиковую длину волны 385 нм, мощность излучения 1,1 Вт, прямое напряжение 3,5 В, полуширину спектра 10,5 нм и угол излучения 60 градусов. Для абсолютных максимальных характеристик прямой ток составляет минимум 0,2 А, типичное значение 0,7 А и максимум 1,0 А; максимальная температура перехода составляет 120 , рабочая температура составляет от -40 до 105 , температура хранения составляет от -40 до 100 , а тепловое сопротивление от перехода к точке пайки обычно составляет 4,5 .

Структура биннинга при прямом токе классифицирует устройства на основе трех ключевых параметров: пиковая длина волны (, ед. изм.: нм), мощность излучения (, ед. изм.: Вт) и прямое напряжение (, ед. изм.: В). Для пиковой длины волны бины определяются как m1 в диапазоне от 380 до 385 нм и m2 в диапазоне от 385 до 390 нм. Для мощности излучения бины включают Q00 (1,00–1,10 Вт), Q10 (1,10–1,21 Вт) и Q21 (1,21–1,33 Вт). Для прямого напряжения бины варьируются следующим образом: Z4 (3,3–3,4 В), Z5 (3,4–3,5 В), Z6 (3,5–3,6 В) и Z7 (3,6–3,7 В).

Таким образом, система кодов биннинга напрямую соответствует конкретным диапазонам параметров: соответствует пиковой длине волны (нм), - мощности излучения (Вт), а - прямому напряжению (В), обеспечивая четкую основу для классификации устройств.

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

CUN8UB1A СЕУЛ Светодиодный чип ближний УФ 385нм УФ серия CU3737 Светодиодный диод Чип

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI