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SEOUL LED Chip

CUN8UB1A SEOUL LED Chip Near UV 385nm UV CU3737 Serie LED Diodenchip

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CUN8UB1A SEOUL LED Chip Near UV 385nm UV CU3737 Serie LED Diodenchip

Markenname:	SEOUL
Modellnummer:	CUN8UB1A
Mindestbestellmenge:	500 Stück
Verpackungsdetails:	500
Zahlungsbedingungen:	T/T

Detailinformationen

Produktbeschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

China

Dokumentieren:

Produktname:

Seoul

Modell:

CUN8UB1A

Anwendung:

Fluoreszenzfotografie, Zahnheilung, Kriminalinspektion, Ölleckerkennung

Betriebstemperatur:

-40~105℃

Lagertemperatur:

-40 ~ 100 °C

Durchlassspannung:

Spitzenwellenlänge:

385nm

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

100000

Hervorheben:

CUN8UB1A UV LED Diodenchip

SEOUL LED Chip CU3737 Serie

385nm UV LED Diodenchip

Produktbeschreibung

SEOUL Near UV LED - 385nm UV CU3737 Serie CUN8UB1A LED Dioden Chips

Produktübersicht

Beschreibung

• Hochleistungs-UV-LED-Serie für

Hochstrombetrieb, engen Abstrahlwinkel

und Anwendungen mit hoher Leistung.

• Es integriert das modernste SMD

Design und Material mit geringem thermischen Widerstand.

• CU3737 ist eine ideale UV-Lichtquelle für

Härtungs-, Druck- und Detektionsanwendungen.

Merkmale und Vorteile

• Geringer thermischer Widerstand

• SMT-Typ

• Entwickelt für Hochstrombetrieb

Schlüsselanwendungen

• UV-Härtung

• Drucken

• Beschichtung

• Klebstoff

• Fluoreszenzfotografie

• UV-Taschenlampe

• Fluoreszenzfotografie

• Zahnärztliche Härtung

• Kriminalinspektion

• Ölleckerkennung

Dieses Gerät zeigt wichtige elektrooptische und absolute Maximalwerte unter spezifizierten Bedingungen. Bei einem Vorwärtsstrom von 0,7 A, mit einer Lötpunkttemperatur und einer relativen Luftfeuchtigkeit RH = 30 % umfassen seine elektrooptischen Eigenschaften eine Spitzenwellenlänge von 385 nm, einen Strahlungsfluss von 1,1 W, eine Vorwärtsspannung von 3,5 V, eine Spektralhalbbreite von 10,5 nm und einen Abstrahlwinkel von 60 Grad. Für absolute Maximalwerte hat der Vorwärtsstrom ein Minimum von 0,2 A, einen typischen Wert von 0,7 A und ein Maximum von 1,0 A; die maximale Sperrschichttemperatur beträgt 120 , der Betriebstemperaturbereich reicht von -40 bis 105 , der Lagertemperaturbereich reicht von -40 bis 100 , und der thermische Widerstand von Sperrschicht zu Lötpunkt beträgt typischerweise 4,5 .

Die Binning-Struktur bei einem Vorwärtsstrom von kategorisiert Geräte anhand von drei Schlüsselparametern: Spitzenwellenlänge (, Einheit: nm), Strahlungsfluss (, Einheit: W) und Vorwärtsspannung (, Einheit: V). Für die Spitzenwellenlänge sind die Bins definiert als m1 von 380 bis 385 nm und m2 von 385 bis 390 nm. Für den Strahlungsfluss umfassen die Bins Q00 (1,00–1,10 W), Q10 (1,10–1,21 W) und Q21 (1,21–1,33 W). Für die Vorwärtsspannung reichen die Bins wie folgt: Z4 (3,3–3,4 V), Z5 (3,4–3,5 V), Z6 (3,5–3,6 V) und Z7 (3,6–3,7 V).

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass das Binning-Code-System direkt auf spezifische Parameterbereiche abgebildet wird: entspricht der Spitzenwellenlänge (nm), dem Strahlungsfluss (W) und der Vorwärtsspannung (V), was einen klaren Rahmen für die Geräteklassifizierung bietet.

Schlagworte:

OSRAM LED-CHIP

Cree-LED-Chip

ST IC-Chips

TI-Chips

LED-Chip von Bridgelux

Infineon-Chip

LUMINUS LED-Chip

LED-Lampenperlen

SAMSUNG IC Chips

Mikron-Chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-Chip

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SEOUL LED Chip

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TSLC Semileds LED Lamp Beads

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CUN8UB1A SEOUL LED Chip Near UV 385nm UV CU3737 Serie LED Diodenchip

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