szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

SEOUL LED Chip

CUN8UB1A SEOUL LED Chip Near UV 385nm UV CU3737 Series LED Dioda Chip

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

Skontaktuj się z nami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

CUN8UB1A SEOUL LED Chip Near UV 385nm UV CU3737 Series LED Dioda Chip

Nazwa marki:	SEOUL
Numer modelu:	CUN8UB1A
MOQ:	500szt
Szczegóły opakowania:	500
Warunki płatności:	T/T

Informacje szczegółowe

Opis produktu

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

Chiny

Dokument:

Nazwa produktu:

model:

CUN8UB1A

Aplikacja:

Fotografia fluorescencyjna, utwardzanie zębów, kontrola kryminalna, wykrywanie wycieków oleju

Temperatura pracy:

-40 ~ 105 ℃

Temperatura przechowywania:

-40 ~ 100 ℃

Napięcie przewodzenia:

3,5 V

Szczytowa długość fali:

385 nm

Możliwość Supply:

100 000

Podkreślić:

CUN8UB1A UV LED Dioda Chip

SEOUL LED Chip CU3737 Series

385nm UV LED Dioda Chip

Opis produktu

SEOUL Near UV LED - 385nm UV CU3737 series CUN8UB1A diody LED

Krótki opis produktu

Opis

• Seria UV LED o dużej mocy jest przeznaczona do pracy przy wysokim prądzie, wąskim kącie promieniowania i zastosowań o dużej mocy wyjściowej.

• Wykorzystuje najnowocześniejszą konstrukcję SMD i materiał o niskiej odporności termicznej.

• CU3737 to idealne źródło światła UV do utwardzania, drukowania i wykrywania.

Funkcje i zalety

• Niska odporność termiczna

• Typ SMT

• Zaprojektowany do pracy przy wysokim prądzie

Kluczowe zastosowania

• Utwardzanie UV

• Drukowanie

• Powlekanie

• Klejenie

• Fotografia fluorescencyjna

• Latarka UV

• Fotografia fluorescencyjna

• Utwardzanie stomatologiczne

Urządzenie to wykazuje kluczowe parametry elektrooptyczne i maksymalne parametry bezwzględne w określonych warunkach. Przy prądzie przewodzenia 0,7 A, z temperaturą punktu lutowania T s = 25 °C i wilgotnością względną RH = 30%, jego charakterystyki elektrooptyczne obejmują długość fali szczytowej λ p wynoszącą 385 nm, strumień promieniowania Φ e wynoszący 1,1 W, napięcie przewodzenia V F wynoszące 3,5 V, szerokość połówkową widma Δλ wynoszącą 10,5 nm i kąt promieniowania 2Θ 1/2 wynoszący 60 stopni. Dla maksymalnych parametrów bezwzględnych, prąd przewodzenia I F ma minimum 0,2 A, wartość typową 0,7 A i maksimum 1,0 A; maksymalna temperatura złącza T j wynosi 120 °C, temperatura pracy T opr wynosi od -40 °C do 105 °C, temperatura przechowywania T stg wynosi od -40 °C do 100 °C, a odporność termiczna złącza do punktu lutowania R θ J-S wynosi zazwyczaj 4,5 °C/W.

• Wykrywanie wycieków oleju

Struktura binningu przy prądzie przewodzenia I F = 0,7 A kategoryzuje urządzenia na podstawie trzech kluczowych parametrów: długości fali szczytowej (Z1Z2, jednostka: nm), strumienia promieniowania (Z3Z6, jednostka: W) i napięcia przewodzenia (Z6Z7, jednostka: V). Dla długości fali szczytowej, biny są zdefiniowane jako m1 obejmujące 380 do 385 nm i m2 obejmujące 385 do 390 nm. Dla strumienia promieniowania, biny obejmują Q00 (1,00–1,10 W), Q10 (1,10–1,21 W) i Q21 (1,21–1,33 W). Dla napięcia przewodzenia, biny mieszczą się w następujących zakresach: Z4 (3,3–3,4 V), Z5 (3,4–3,5 V), Z6 (3,5–3,6 V) i Z7 (3,6–3,7 V).

Podsumowując, system kodów binningu bezpośrednio mapuje się na określone zakresy parametrów: Z1Z2 odpowiada długości fali szczytowej (nm), Z3Z6 strumieniowi promieniowania (W), a Z6Z7 napięciu przewodzenia (V), zapewniając jasne ramy klasyfikacji urządzeń.

Tagi:

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

szczegółowe informacje o produktach

CUN8UB1A SEOUL LED Chip Near UV 385nm UV CU3737 Series LED Dioda Chip

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI