Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Светодиодный чип SEOUL

CUN8GF1A СЕУЛ Светодиодный чип ближнего УФ 385 нм серия УФ CA3535 Светодиодный диод чип

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

CUN8GF1A СЕУЛ Светодиодный чип ближнего УФ 385 нм серия УФ CA3535 Светодиодный диод чип

Название бренда:	SEOUL
Номер модели:	CUN8GF1A
минимальный заказ:	500 шт.
Детали упаковки:	500
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Документ:

Название продукта:

модель:

CUN8GF1A

Приложение:

Флуоресцентная фотография, лечение зубов, криминальная проверка, обнаружение утечек масла

Пиковая длина волны:

385nm

Серия упаковки:

CA3535

Мощный светодиод ближнего ультрафиолета

Рабочая температура:

-40~100°C

Температура хранения:

-40~100°C

Поставка способности:

100000

Выделить:

CUN8GF1A УФ светодиодный диод чип

SEOUL Светодиодный чип CA3535 385 нм

Светодиодный диод чип ближнего УФ

Описание продукта

СЕУЛ Ближний УФ светодиод - серия CA3535 УФ 385 нм светодиодные диоды

Краткое описание продукта

Описание

• Высокомощные УФ-светодиоды серии разработаны

для работы при высоких токах и высокой мощности

выходных приложений.

• Он включает в себя передовой дизайн SMD

и материал с низким тепловым сопротивлением.

• CA3535 является идеальным источником УФ-света для

отверждения, печати и обнаружения.

Особенности и преимущества

• Сверхвысокая выходная мощность

• Разработан для работы при высоких токах

• Низкое тепловое сопротивление

• Тип SMT

• Бессвинцовый продукт

• Соответствует RoHS

Ключевые области применения

• УФ-отверждение

• Печать

• Покрытие

• Клей

• УФ-фонарь

• Флуоресцентная фотография

• Стоматологическое отверждение

• Криминалистическое расследование

• Обнаружение утечек масла

Светодиодное устройство в условиях испытаний и относительной влажности (RH) = 30% при прямом токе 1 А, электрооптические параметры и параметры максимальных абсолютных характеристик всесторонне изложены ниже. В таблице 1 электрооптические характеристики показывают, что устройство имеет пиковую длину волны () 385 нм, излучаемую мощность () 1,65 Вт, прямое напряжение () 3,6 В, полуширину спектра () 11 нм и угол излучения () 115 градусов. Эти значения в совокупности определяют основные оптические и электрические характеристики компонента при заданном рабочем токе.

Переходя к Таблице 2, максимальные абсолютные характеристики устанавливают безопасные рабочие и эксплуатационные границы для устройства. Прямой ток () имеет минимальное значение 0,2 А, типичное значение 1,0 А и максимальный предел 1,4 А, обеспечивая работу устройства в контролируемом диапазоне токов. Температура перехода () ограничена 125°C, в то время как рабочая температура () и температура хранения () находятся в диапазоне от -40°C до 100°C, что подчеркивает устойчивость устройства к экстремальным условиям окружающей среды. Кроме того, тепловое сопротивление от перехода до точки пайки () составляет 3,8 °C/Вт, что является критически важным параметром, определяющим возможности управления тепловым режимом устройства и общую надежность. Вместе эти спецификации предоставляют полную основу для оценки производительности устройства, рабочих пределов и теплового поведения в практических приложениях.

Светодиодное устройство при прямом токе , представленное в Таблицах 3 и 4. Таблица 4 сначала разъясняет значение кодов биннинга: соответствует пиковой длине волны (измеренной в нм), представляет излучаемую мощность (в Вт), а обозначает прямое напряжение (в В), устанавливая четкую основу для категоризации производительности устройства по трем критическим параметрам.

Таблица 3 затем подробно описывает конкретные диапазоны биннинга для каждого параметра. Для пиковой длины волны (в рамках ) существует два основных бина: m1 охватывает диапазон от 380 нм до 385 нм, в то время как m2 охватывает диапазон от 385 нм до 390 нм, обеспечивая точное группирование по длине волны для приложений, требующих стабильного спектрального выхода. По излучаемой мощности (в рамках ) определены два бина мощности: Q60 находится в диапазоне от 1,60 Вт до 1,76 Вт, а Q76 простирается от 1,76 Вт до 1,94 Вт, что позволяет классифицировать по оптической выходной мощности. По прямому напряжению (в рамках ) указаны три бина напряжения: Z4 (3,3 В до 3,4 В), Z5 (3,4 В до 3,5 В) и Z6 (3,5 В до 3,6 В), которые позволяют сортировать устройства по их электрическим рабочим характеристикам напряжения. Вместе эта структура биннинга обеспечивает систематический метод классификации отдельных светодиодных устройств в соответствии с их пиковой длиной волны, излучаемой мощностью и прямым напряжением, обеспечивая согласованность и совместимость в конечных приложениях путем группировки компонентов с строго контролируемыми параметрами производительности.

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

CUN8GF1A СЕУЛ Светодиодный чип ближнего УФ 385 нм серия УФ CA3535 Светодиодный диод чип

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI