รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิป LED โซล

CUN8GF1A ซีโอล LED ชิป ใกล้ UV 385nm UV CA3535 ซีรีส LED Diode ชิป

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

CUN8GF1A ซีโอล LED ชิป ใกล้ UV 385nm UV CA3535 ซีรีส LED Diode ชิป

ชื่อแบรนด์:	SEOUL
หมายเลขรุ่น:	CUN8GF1A
ขั้นต่ำ:	500ชิ้น
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์:	500
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

เอกสาร:

ชื่อสินค้า:

แบบอย่าง:

CUN8GF1A

แอปพลิเคชัน:

การถ่ายภาพเรืองแสง, การบ่มทางทันตกรรม, การตรวจสอบอาชญากรรม, การตรวจจับการรั่วไหลของน้ำมัน

ความยาวคลื่นสูงสุด:

385นาโนเมตร

ซีรี่ย์บรรจุ:

CA3535

พิมพ์:

LED ใกล้อัลตราไวโอเลตกำลังสูง

อุณหภูมิในการทำงาน:

-40~100℃

อุณหภูมิในการจัดเก็บ:

-40~100℃

สามารถในการผลิต:

100000

เน้น:

CUN8GF1A ชิปไดโอเดส LED UV

ซีโอล LED ชิป CA3535 385nm

ชิปไดโอเดส LED ใกล้ UV

รายละเอียดสินค้า

โซล UV LED ใกล้เคียง - 385nm UV CA3535 series CUN8GF1A led diodes chips

เอกสารสรุปผลิตภัณฑ์

คำอธิบาย

• UV LED ซีรีส์กำลังสูงได้รับการออกแบบ

สำหรับการทำงานที่กระแสสูงและกำลังสูง

เอาต์พุตแอปพลิเคชัน

• มันรวมเข้ากับเทคโนโลยี SMD ล่าสุด

การออกแบบและวัสดุที่มีความต้านทานความร้อนต่ำ

• CA3535 เป็นแหล่งกำเนิดแสง UV ในอุดมคติสำหรับ

การบ่ม การพิมพ์ และการใช้งานการตรวจจับ

คุณสมบัติและประโยชน์

• กำลังขับสูงพิเศษ

• ออกแบบมาสำหรับการทำงานที่กระแสสูง

• ความต้านทานความร้อนต่ำ

• ประเภท SMT

• ผลิตภัณฑ์ไร้สารตะกั่ว

• เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS

แอปพลิเคชันหลัก

• การบ่ม UV

• การพิมพ์

• การเคลือบ

• กาว

• ไฟฉาย UV

• การถ่ายภาพฟลูออเรสเซนซ์

• การบ่มทางทันตกรรม

• การตรวจสอบอาชญากรรม

• การตรวจจับการรั่วไหลของน้ำมัน

อุปกรณ์ LED ที่อยู่ภายใต้เงื่อนไขการทดสอบ และความชื้นสัมพัทธ์ (RH) = 30% ที่กระแสไฟไปข้างหน้า 1A พารามิเตอร์คุณสมบัติทางไฟฟ้าและแสงและพิกัดสูงสุดสัมบูรณ์จะถูกสรุปไว้อย่างครอบคลุมดังนี้ ในตารางที่ 1 คุณสมบัติทางไฟฟ้าและแสงแสดงให้เห็นว่าอุปกรณ์มีค่าความยาวคลื่นสูงสุด () ที่ 385 นาโนเมตร ฟลักซ์รังสี () ที่ 1.65 W แรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้า () ที่ 3.6 V ความกว้างครึ่งหนึ่งของสเปกตรัม () ที่ 11 นาโนเมตร และมุมรังสี () ที่ 115 องศา ค่าเหล่านี้รวมกันกำหนดประสิทธิภาพแสงและไฟฟ้าหลักของส่วนประกอบภายใต้กระแสการทำงานที่ระบุ

เมื่อพิจารณาตารางที่ 2 พิกัดสูงสุดสัมบูรณ์จะกำหนดขอบเขตการทำงานและการจัดเก็บที่ปลอดภัยสำหรับอุปกรณ์ กระแสไฟไปข้างหน้า () มีค่าต่ำสุดที่ 0.2 A ค่าทั่วไปที่ 1.0 A และขีดจำกัดสูงสุดที่ 1.4 A เพื่อให้แน่ใจว่าอุปกรณ์ทำงานภายในช่วงกระแสที่ควบคุม อุณหภูมิรอยต่อ () ถูกจำกัดไว้ที่ 125°C ในขณะที่อุณหภูมิการทำงาน () และอุณหภูมิการจัดเก็บ () อยู่ในช่วงตั้งแต่ -40°C ถึง 100°C ซึ่งแสดงให้เห็นถึงความทนทานของอุปกรณ์ในสภาวะแวดล้อมที่รุนแรง นอกจากนี้ ความต้านทานความร้อนจากรอยต่อไปยังจุดบัดกรี () ถูกระบุไว้ที่ 3.8 °C/W ซึ่งเป็นพารามิเตอร์ที่สำคัญซึ่งควบคุมความสามารถในการจัดการความร้อนของอุปกรณ์และความน่าเชื่อถือโดยรวม ข้อกำหนดเหล่านี้ร่วมกันเป็นกรอบการทำงานที่สมบูรณ์สำหรับการประเมินประสิทธิภาพของอุปกรณ์ ขีดจำกัดการทำงาน และพฤติกรรมความร้อนในการใช้งานจริง

อุปกรณ์ LED ที่กระแสไฟไปข้างหน้า ตามที่แสดงในตารางที่ 3 และ 4 ตารางที่ 4 อธิบายความหมายของรหัส binning ก่อน: สอดคล้องกับความยาวคลื่นสูงสุด (วัดเป็นนาโนเมตร) แสดงถึงฟลักซ์รังสี (ใน W) และ แสดงถึงแรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้า (ใน V) ซึ่งสร้างกรอบการทำงานที่ชัดเจนสำหรับการจัดหมวดหมู่ประสิทธิภาพของอุปกรณ์ในสามพารามิเตอร์ที่สำคัญ

ตารางที่ 3 อธิบายช่วง binning ที่เฉพาะเจาะจงสำหรับแต่ละพารามิเตอร์ สำหรับความยาวคลื่นสูงสุด (ภายใต้ ) มีสอง bin หลัก: m1 อยู่ในช่วง 380 นาโนเมตรถึง 385 นาโนเมตร ในขณะที่ m2 ครอบคลุม 385 นาโนเมตรถึง 390 นาโนเมตร เพื่อให้แน่ใจว่ามีการจัดกลุ่มสเปกตรัมที่แม่นยำสำหรับการใช้งานที่ต้องการเอาต์พุตสเปกตรัมที่สม่ำเสมอ ในแง่ของฟลักซ์รังสี (ภายใต้ ) มีการกำหนด bin ฟลักซ์สอง bin: Q60 อยู่ในช่วง 1.60 W ถึง 1.76 W และ Q76 ขยายจาก 1.76 W ถึง 1.94 W ซึ่งช่วยให้สามารถจำแนกตามกำลังแสงเอาต์พุต สำหรับแรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้า (ภายใต้ ) มีการระบุ bin แรงดันไฟฟ้าสาม bin: Z4 (3.3 V ถึง 3.4 V), Z5 (3.4 V ถึง 3.5 V), และ Z6 (3.5 V ถึง 3.6 V) ซึ่งช่วยให้สามารถจัดเรียงอุปกรณ์ตามลักษณะแรงดันไฟฟ้าการทำงานทางไฟฟ้าได้ โครงสร้าง binning นี้ร่วมกันเป็นวิธีการที่เป็นระบบในการจัดหมวดหมู่อุปกรณ์ LED แต่ละตัวตามความยาวคลื่นสูงสุด ฟลักซ์รังสี และแรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้า เพื่อให้มั่นใจถึงความสม่ำเสมอและความเข้ากันได้ในการใช้งานขั้นสุดท้ายโดยการจัดกลุ่มส่วนประกอบที่มีพารามิเตอร์ประสิทธิภาพที่ควบคุมอย่างเข้มงวด

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

CUN8GF1A ซีโอล LED ชิป ใกล้ UV 385nm UV CA3535 ซีรีส LED Diode ชิป

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI