تفاصيل المنتجات

المنزل المنتجات

شريحة سيول LED

شريحة LED CUN0HB4A SEOUL بالقرب من الأشعة فوق البنفسجية 405 نانومتر سلسلة UV CU6868 شريحة LED

جميع الفئات

رقاقة LED عالية الطاقة

اتصل بنا

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

اتصل الآن

جميع الفئات

شريحة LED CUN0HB4A SEOUL بالقرب من الأشعة فوق البنفسجية 405 نانومتر سلسلة UV CU6868 شريحة LED

اسم العلامة التجارية:	SEOUL
رقم الموديل:	CUN0HB4A
موك:	500 قطعة
تفاصيل التغليف:	500
شروط الدفع:	تي/تي

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

الصين

وثيقة:

اسم المنتج:

نموذج:

CUN0HB4A

يكتب:

SMD عالي الطاقة LED بالقرب من الأشعة فوق البنفسجية

درجة حرارة التخزين:

-40-100 ℃

الجهد إلى الأمام:

القيمة المقدرة 7.3 فولت

المعالجة بالأشعة فوق البنفسجية، الطباعة، الطلاء، اللاصق، التصوير الفلوري

القدرة على العرض:

100000

إبراز:

شريحة LED UV CUN0HB4A

سلسلة شرائح LED SEOUL CU6868

شريحة LED بالقرب من الأشعة فوق البنفسجية 405 نانومتر

وصف المنتج

سيول Near UV LED-CUN0HB4A 405nmUV CU6868 سلسلة-CUN0HB4A رقائق ثنائيات LED

ملخص المنتج

الوصف

• صممت سلسلة LED UV عالية الطاقة

تشغيل التيار العالي والقوة العالية للغاية

تطبيقات الناتج.

• يتضمن مع الدولة من الفن SMD

التصميم والمواد ذات المقاومة الحرارية المنخفضة.

الخصائص والفوائد

• مقاومة حرارية منخفضة

• نوع SMT

• مصممة لتشغيل التيار العالي

التطبيقات الرئيسية

• علاج الأشعة فوق البنفسجية

• الطباعة

• الطلاء

• الملصق

• التصوير الفوتوغرافي بالفلوريسانس

• مصباح الأشعة فوق البنفسجية

• التصوير الفوتوغرافي بالفلوريسانس

• علاج الاسنان

• مراقبة الجريمة

• اكتشاف تسرب النفط

يظهر هذا الجهاز LED عالي الطاقة أداء الكهرو البصري الرئيسي في تيار إلى الأمام من 2A (في ظل ظروف الاختباريحتوي على طول موجة ذروة 405 نانومتر ، وتدفق إشعاعي 6.1 واط ، وجهد إلى الأمام 7.3 فولت ، ونصف عرض طيفي 17 نانومتر ، وزاوية إشعاع 70 درجة.أقصى تصنيفاتها المطلقة تشمل الحد الأدنى للتيار الأمامي 0.4 A (عادة 2.0 A) ، درجة حرارة التقاطع القصوى 125 °C، نطاق درجة حرارة التشغيل من -10 °C إلى 85 °C، نطاق درجة حرارة التخزين من -40 °C إلى 100 °C،ومقاومة حرارية (التقاطع مع نقطة اللحام) 1.8 °C/W

عند التيار الأمامي من 2A ، يتبع هذا LED نظامًا هيكليًا يتم تحديده بواسطة ثلاثة معايير رئيسية: طول موجة الذروة (Wp) ، وتدفق الإشعاع ، والجهد الأمامي (Vf).هناك صندوقين: P1 (400~405 nm) و P2 (405~410 nm). بالنسبة لتدفق الإشعاع ، هناك علبتان متاحتان: T55 (5.56~6.12 واط) و T61 (6.12~6.73 واط). بالنسبة لجهد الأمامي ، يتم تعريف ثلاثة علب: Z70 (7.0~7.2 فولت) ، Z72 (7.2~7.4 فولت),و Z74 (7.4 ‬7.6 فولت) ، و يتم هيكلة رمز التوصيل بحيث تشير الأجزاء Z1Z2 إلى طول موجة الذروة (nm) ، و Z3Z4Z5 تشير إلى تدفق الإشعاع (W) و Z6Z7Z8 تشير إلى الجهد الأمامي (V) ،تمكين اختيار المكونات الدقيقة لمتطلبات التطبيقات الخاصة.

العلامات:

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

تفاصيل المنتجات

شريحة LED CUN0HB4A SEOUL بالقرب من الأشعة فوق البنفسجية 405 نانومتر سلسلة UV CU6868 شريحة LED

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي