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सियोल एलईडी चिप

CUN0HB4A सियोल एलईडी चिप नियर यूवी 405nm यूवी CU6868 सीरीज एलईडी डायोड चिप

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CUN0HB4A सियोल एलईडी चिप नियर यूवी 405nm यूवी CU6868 सीरीज एलईडी डायोड चिप

ब्रांड का नाम:	SEOUL
मॉडल नंबर:	CUN0HB4A
MOQ:	500PCS
पैकेजिंग विवरण:	500
भुगतान की शर्तें:	टी/टी

विस्तृत जानकारी

उत्पाद वर्णन

विस्तृत जानकारी

उत्पत्ति के प्लेस:

दस्तावेज:

प्रोडक्ट का नाम:

नमूना:

CUN0HB4A

प्रकार:

उच्च-शक्ति एसएमडी निकट-पराबैंगनी एलईडी

भंडारण तापमान:

-40-100 ℃

फॉरवर्ड वोल्टेज:

रेटेड मूल्य 7.3V

आवेदन:

यूवी इलाज, मुद्रण, कोटिंग, चिपकने वाला, प्रतिदीप्ति फोटोग्राफी

आपूर्ति की क्षमता:

100000

प्रमुखता देना:

CUN0HB4A यूवी एलईडी डायोड चिप

SEOUL LED चिप CU6868 सीरीज

405nm नियर यूवी एलईडी डायोड चिप

उत्पाद वर्णन

सियोल नियर यूवी एलईडी-CUN0HB4A 405nmUV CU6868 सीरीज-CUN0HB4A एलईडी डायोड चिप्स

उत्पाद संक्षिप्त

विवरण

• उच्च शक्ति यूवी एलईडी श्रृंखला के लिए डिज़ाइन की गई है

उच्च वर्तमान संचालन और अल्ट्रा उच्च शक्ति

आउटपुट अनुप्रयोग।

• यह अत्याधुनिक SMD को शामिल करता है

डिजाइन और कम थर्मल प्रतिरोधी सामग्री।

विशेषताएं और लाभ

• कम थर्मल प्रतिरोध

• एसएमटी प्रकार

• उच्च वर्तमान संचालन के लिए डिज़ाइन किया गया

मुख्य अनुप्रयोग

• यूवी क्योरिंग

• छपाई

• कोटिंग

• चिपकने वाला

• फ्लोरेसेंस फोटोग्राफी

• यूवी टॉर्च

• फ्लोरेसेंस फोटोग्राफी

• डेंटल क्योरिंग

• अपराध निरीक्षण

• तेल रिसाव का पता लगाना

यह उच्च-शक्ति एलईडी डिवाइस 2A के फॉरवर्ड करंट पर प्रमुख इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल प्रदर्शन प्रदर्शित करता है (परीक्षण स्थितियों के तहत): इसमें 405nm की पीक वेवलेंथ, 6.1W का रेडियंट फ्लक्स, 7.3V का फॉरवर्ड वोल्टेज, 17nm की स्पेक्ट्रल हाफ-विड्थ और 70 डिग्री का रेडिएशन एंगल है। इसकी पूर्ण अधिकतम रेटिंग में 0.4A (विशिष्ट 2.0A) का न्यूनतम फॉरवर्ड करंट, 125°C का अधिकतम जंक्शन तापमान, -10°C से 85°C की ऑपरेटिंग तापमान सीमा, -40°C से 100°C की स्टोरेज तापमान सीमा और 1.8°C/W का थर्मल रेजिस्टेंस (जंक्शन से सोल्डर पॉइंट तक) शामिल है।

2A के फॉरवर्ड करंट पर, यह एलईडी तीन प्रमुख मापदंडों द्वारा परिभाषित एक संरचित बिनिंग सिस्टम का अनुसरण करता है: पीक वेवलेंथ (Wp), रेडियंट फ्लक्स और फॉरवर्ड वोल्टेज (Vf)। पीक वेवलेंथ के लिए, दो बिन हैं: P1 (400-405nm) और P2 (405-410nm)। रेडियंट फ्लक्स के लिए, दो बिन उपलब्ध हैं: T55 (5.56-6.12W) और T61 (6.12-6.73W)। फॉरवर्ड वोल्टेज के लिए, तीन बिन परिभाषित किए गए हैं: Z70 (7.0-7.2V), Z72 (7.2-7.4V), और Z74 (7.4-7.6V)। बिनिंग कोड इस तरह से संरचित है कि सेगमेंट Z₁Z₂ पीक वेवलेंथ (nm) को दर्शाता है, Z₃Z₄Z₅ रेडियंट फ्लक्स (W) का प्रतिनिधित्व करता है, और Z₆Z₇Z₈ फॉरवर्ड वोल्टेज (V) को इंगित करता है, जिससे विशिष्ट एप्लिकेशन आवश्यकताओं के लिए सटीक घटक चयन सक्षम होता है।

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